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本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，目的在于改善半导体装置的特性。半导体装置具有形成于感应器(Ia)的上方的层叠绝缘膜。该层叠绝缘膜具有聚酰亚胺膜(PI1)和形成于聚酰亚胺膜(PI1)上且与聚酰亚胺膜(PI1)之间具有阶梯差(S...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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