电子部件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种电子部件，其具有：衬底；元件，其形成在上述衬底上；侧壁构件，其在上述衬底上包围上述元件；盖构件，其配设在上述侧壁构件上，与上述侧壁构件一起在上述衬底上划分出包围上述元件的空间；密封构件，其设置在上述侧壁构件的外侧，将上述侧壁构件及盖构件与上述衬底的表面接合，并密封上述空间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子部件及其制造方法
以下说明的实施方式涉及一种电子部件及其制造方法。
技术介绍
晶片级封装技术是在将半导体晶片分割为各个芯片之前，将形成于半导体晶片上的多个元件统一地进行密封的技术，由于这种技术价格低廉，并且能够将得到的电子元件大致形成为各个芯片的尺寸，所以广泛用于制造小型的半导体装置。另一方面，最近，试图在晶片上统一形成具有可动部的开关或容量可变电容器、晶体振荡器等电子部件。于是，在制造这种电子部件元件的过程中，也希望通过晶片级封装技术来对在这些晶片上与上述电子部件相对应地形成的电子部件元件进行密封，来实现电子部件的小型化，并减少制造费用。
技术实现思路
专利技术要解决的问题例如，在电子部件为具有可动部的情况下，当对在晶片上与电子部件相对应地形成的元件进行密封时，优选利用覆盖该元件的盖构件，以使上述盖构件在晶片上划分出用于包围上述元件的空间的方式，在晶片上进行密封。例如，在专利文献1中公开了如下方法：通过在晶片表面的凹部形成元件，并利用钎焊剂将盖构件与上述晶片的表面接合，来对上述元件进行密封。并且，在专利文献2中公开了如下内容：通过利用钎焊剂层将盖构件与以包围元件的方式形成在晶片上的外周壁部件的上表面接合，来对上述元件进行密封。像这样，在利用钎焊剂层将盖构件与晶片表面或者形成于晶片表面的外周壁部件的上表面接合的情况下，需要使钎焊剂层熔融，并且优选轻轻按压盖构件，使得熔融的钎焊剂层吸收衬底表面或盖构件表面的凹凸，由此实现可靠的密封。但是，若压迫熔融的钎焊剂层，则有可能导致钎焊剂流向或者被压到用于包围上述元件的空间内。若流出的钎焊剂与元件相接触，则不仅会引起电接触不良，特别是在具有可动部的元件的情况下，还会妨碍上述可动部的动作。于是，在这种以往的结构中，考虑到这种钎焊剂的流入问题而需要将上述空间的尺寸设定为比所需的尺寸大，导致电子部件的尺寸变大。专利文献1：日本特开平11-340350号公报专利文献2：日本特开2006-74291号公报用于解决问题的手段根据一个技术方案，电子部件具有：衬底；元件，其形成在上述衬底上；侧壁构件，其在上述衬底上包围上述元件；盖构件，其配设在上述侧壁构件上，与上述侧壁构件一起在上述衬底上划分出包围上述元件的空间；密封构件，其设置在上述侧壁构件的外侧，将上述侧壁构件及盖构件与上述衬底的表面接合，并密封上述空间。根据另一个技术方案，电子部件的制造方法包括：在晶片上呈矩阵状地形成多个元件的工序；制作盖衬底的工序，上述盖衬底以如下的状态形成：呈矩阵状地形成分别与上述多个元件对应的多个盖构件，各个盖构件包括包围相对应的元件的侧壁部，利用槽部使相邻的盖构件彼此分隔，并且利用架设于上述槽部的桥接部使相邻的盖构件彼此结合；在上述晶片上，以使各个盖构件的侧壁部包围相对应的元件的方式载置上述盖衬底的工序；将吸附保持有处于流动状态的密封层的屏蔽衬底按压在上述盖衬底上，使上述密封层经由上述槽部压入到包围各个上述元件的侧壁部的外侧，并使上述密封层固化成密封构件，由此利用密封构件，对在上述屏蔽衬底的下方相邻的侧壁部之间进行填充的工序；沿着上述槽部切割上述屏蔽衬底、上述盖衬底及上述晶片，使上述多个元件分离成各个电子部件的工序。根据又一个技术方案，电子部件的制造方法包括：在晶片上呈矩阵状地形成多个元件的工序；在上述晶片上，以分别包围上述多个元件的方式形成从上述晶片的表面立起的多个侧壁构件以作为密封框的工序；制作盖衬底的工序，上述盖衬底以如下的状态形成：呈矩阵状地形成分别与上述多个元件对应的多个盖构件，利用槽部使相邻的盖构件彼此分隔，并且利用架设于上述槽部的桥接部使相邻的盖构件彼此结合；在上述晶片上，以使各个盖构件覆盖相对应的元件或者与相对应的侧壁构件相匹配的方式载置上述盖衬底的工序；将吸附保持有处于流动状态的密封层的屏蔽衬底按压在上述盖衬底上，使上述密封层经由上述槽部压入到包围各个上述元件的侧壁部的外侧，并使上述密封层固化成密封构件，由此利用密封构件，对在上述屏蔽衬底的下方相邻的侧壁部之间进行填充的工序；沿着上述槽部切割上述屏蔽衬底、上述盖衬底及上述晶片，使上述多个元件分离成各个电子部件的工序。专利技术的效果由盖构件及侧壁构件包围衬底上的元件，在侧壁构件的外侧通过密封构件来将该侧壁构件及盖构件与衬底表面相结合，以密封元件，由此，能够防止密封构件向形成有元件的空间内溢出。附图说明图1为示出第一实施方式的MEMS（微机电系统）开关的结构的剖视图。图2为示出形成有多个图1的MEMS开关的晶片的俯视图。图3为示出图1的MEMS开关的主体部的立体图。图4A为示出图1的MEMS开关的第一动作状态的图。图4B为示出图1的MEMS开关的第二动作状态的图。图5A为说明图1的MEMS开关的主体部的形成工序的工序剖视图（其1）。图5B为说明图1的MEMS开关的主体部的形成工序的工序剖视图（其2）。图5C为说明图1的MEMS开关的主体部的形成工序的工序剖视图（其3）。图5D为说明图1的MEMS开关的主体部的形成工序的工序剖视图（其4）。图5E为说明图1的MEMS开关的主体部的形成工序的工序剖视图（其5）。图5F为说明图1的MEMS开关的主体部的形成工序的工序剖视图（其6）。图5G为说明图1的MEMS开关的主体部的形成工序的工序剖视图（其7）。图5H为说明图1的MEMS开关的主体部的形成工序的工序剖视图（其8）。图5I为说明图1的MEMS开关的主体部的形成工序的工序剖视图（其9）。图6为示出第一实施方式的晶片级封装的概要的分解立体图。图7为示出形成有MEMS开关的晶片表面的俯视图。图8A为示出盖衬底（capsubstrate）的上表面的俯视图。图8B为示出盖衬底的下表面的俯视图。图9A为示出第一实施方式的晶片级封装的工序剖视图（其1）。图9B为示出第一实施方式的晶片级封装的工序剖视图（其2）。图9C为示出第一实施方式的晶片级封装的工序剖视图（其3）。图9D为示出第一实施方式的晶片级封装的工序剖视图（其4）。图10A为示出第一实施方式的晶片级封装的另一种工序剖视图（其1）。图10B为示出第一实施方式的晶片级封装的另一种工序剖视图（其2）。图10C为示出第一实施方式的晶片级封装的另一种工序剖视图（其3）。图10D为示出第一实施方式的晶片级封装的另一种工序剖视图（其4）。图11A为示出第一实施方式的盖衬底的形成工序的剖视图（其1）。图11B为示出第一实施方式的盖衬底的形成工序的剖视图（其2）。图11C为示出第一实施方式的盖衬底的形成工序的剖视图（其3）。图11D为示出第一实施方式的盖衬底的形成工序的剖视图（其4）。图11E为示出第一实施方式的盖衬底的形成工序的剖视图（其5）。图12为示出第一实施方式的一个变形例的MEMS开关的剖视图。图13为示出第一实施方式的另一个变形例的MEMS开关的剖视图。图14为示出第二实施方式的可变电容元件的结构的剖视图。图15为示出图14的可变电容元件的主体部的立体图。图16A为示出图14的可变电容元件的第一动作状态的图。图16B为示出图14的可变电容元件的第二动作状态的图。图16C为示出图14的可变电容元件的等效电路图。图17A为说明图14的可变电容元件的主体部的形成工序的工序剖视图（其1）。图17B为说本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子部件，其特征在于，具有：衬底；元件，其形成在上述衬底上；侧壁构件，其在上述衬底上包围上述元件；盖构件，其配设在上述侧壁构件上，与上述侧壁构件一起在上述衬底上划分出包围上述元件的空间；密封构件，其设置在上述侧壁构件的外侧，将上述侧壁构件及盖构件与上述衬底的表面接合，并密封上述空间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子部件，其特征在于，具有：衬底；元件，其形成在上述衬底上；侧壁构件，其在上述衬底上包围上述元件；盖构件，其配设在上述侧壁构件上，与上述侧壁构件一起在上述衬底上划分出包围上述元件的空间；密封构件，其设置在上述侧壁构件的外侧，将上述侧壁构件及盖构件与上述衬底的表面接合，并密封上述空间，上述盖构件为平板状的构件，接合在上述侧壁构件上，在上述盖构件上形成有具有与上述衬底的外周形状一致的外周的屏蔽构件，由位于从形成上述屏蔽构件的外周的侧壁面起后退的位置上的上述盖构件的侧壁面来形成上述盖构件的外周，形成上述侧壁构件的外周的侧壁面形成在特定位置，从而形成阶梯部，上述阶梯部由上述密封构件填充，上述特定位置是指，比形成上述屏蔽构件的外周的侧壁面以及形成上述盖构件的外周的侧壁面中的任一个侧壁面都后退的位置。2.一种电子部件，其特征在于，具有：衬底；元件，其形成在上述衬底上；侧壁构件，其在上述衬底上包围上述元件；盖构件，其配设在上述侧壁构件上，与上述侧壁构件一起在上述衬底上划分出包围上述元件的空间；密封构件，其设置在上述侧壁构件的外侧，将上述侧壁构件及盖构件与上述衬底的表面接合，并密封上述空间，上述盖构件为平板状的构件，接合在上述侧壁构件上，在上述盖构件上形成有具有与上述衬底的外周形状一致的外周的屏蔽构件，由位于从形成上述屏蔽构件的外周的侧壁面起后退的位置上的上述侧壁构件的侧壁面来形成上述侧壁构件的外周，形成上述盖构件的外周的侧壁面形成在特定位置，从而形成阶梯部，上述阶梯部由上述密封构件填充，上述特定位置是指，比形成上述屏蔽构件的外周的侧壁面以及形成上述侧壁构件的外周的侧壁面中的任一个侧壁面都后退的位置。3.根据权利要求1或2所述的电子部件，其特征在于，由上述衬底的侧壁面来形成上述衬底的外周，由与上述衬底的侧壁面的延伸面一致的上述密封构件的侧壁面来形成上述密封构件的外周。4.根据权利要求1或2所述的电子部件，其特征在于，上述盖构件和上述侧壁构件由一体的构件形成，上述侧壁构件与在上述衬底的表面上包围上述元件的密封框接合。5.根据权利要求1或2所述的电子部件，其特征在于，上述侧壁构件构成在上述衬底上包围上述元件的密封框的一部分。6.根据权利要求1或2所述的电子部件，其特征在于，上述盖构件及上述侧壁构件经由包括钛层的附着层，与上述密封构件接触。7.根据权利要求6所述的电子部件，其特征在于，上述侧壁构件经由上述附着层，与在上述衬底上包围上述元件的由...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛内岳明，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP