非易失性存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种非易失性存储器，其包括单极性电阻式存储单元以及二极管单元，其中二极管单元与单极性电阻式存储单元电性连接。二极管单元包括第一电极、第二电极、氧化钴层、以及氧化铟锌层。第一电极与第二电极相对配置。氧化钴层配置于第一电极与第二电极之间。氧化铟锌层配置于第一电极与氧化钴层之间。本发明专利技术不仅可具有良好的整流效果，更可承受重复100次以上的高电阻与低电阻之间的转态操作，并使得高电阻与低电阻之间可维持高的读取鉴别度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储器，且特别涉及一种非易失性存储器。
技术介绍
存储器，顾名思义便是用以存储资料或数据的半导体元件。当电脑微处理器的功能越来越强，软件所进行的程序与运算越来越庞大时，存储器的需求也就越来越高，为了制作容量大且便宜的存储器以满足这种需求的趋势，存储器的技术与工艺，已成为半导体科技持续往高积集度挑战的驱动力。在各种非易失性存储器中，电阻式存储器具有操作电压小、多状态存储、存储时间长、面积小及结构简单等优点，故电阻式存储器已成为未来存储器发展的趋势。电阻式存储器通常包括电阻式存储单元和二极管单元。具有一个电阻式存储单元和一个二极管单元的电阻式存储器称为具有1D1R结构的电阻式存储器。1D1R结构可使电阻式存储器具有超高密度及低成本，并可用来避免读取错误的问题。此外，在一般的1D1R结构中，通常是使用双极性电阻式存储单元来搭配二极管单元。然而，具有此种1D1R结构的电阻式存储器在高电阻与低电阻状态之间往往只能承受一次的转态操作，因而影响电阻式存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器，包括：单极性电阻式存储单元；以及二极管单元，与所述单极性电阻式存储单元电性连接，所述二极管单元包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极相对配置；氧化钴层，配置于所述第一电极与所述第二电极之间；以及氧化铟锌层，配置于所述第一电极与所述氧化钴层之间。

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器，包括：
单极性电阻式存储单元；以及
二极管单元，与所述单极性电阻式存储单元电性连接，所述二极管单元
包括：
第一电极；
第二电极，与所述第一电极相对配置；
氧化钴层，配置于所述第一电极与所述第二电极之间；以及
氧化铟锌层，配置于所述第一电极与所述氧化钴层之间。
2.如权利要求1所述的非易失性存储器，其中所述氧化钴层的厚度介于
1nm至1000nm之间。
3.如权利要求1所述的非易失性存储器，其中所述氧化铟锌层的厚度介
于1nm至1000nm之间。
4.如权利要求1所述的非易失性存...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾俊元，李岱萤，蔡宗霖，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
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