【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本申请案涉及一种。集成电路系统包含在电介质的接合界面处接合到第二装置晶片的第一装置晶片。每一晶片包含多个裸片，其中每一裸片包含装置、金属堆叠以及形成于所述裸片的边缘区处的密封环。包含于所述第二装置晶片的裸片中的密封环各自包含具备形成于第一开口中的金属的第一导电路径，所述第一导电路径从所述第二装置晶片的背侧、穿过所述第二装置晶片且穿过所述接合界面延伸到所述第一装置晶片中的对应裸片的所述密封环。【专利说明】
本专利技术一般来说涉及半导体处理，且特定来说(但非排他性地)涉及堆叠式集成电路系统的半导体处理。
技术介绍
半导体芯片或裸片(例如图像传感器芯片)连同相同裸片的数百个且在一些情况中数千个副本一起制作于单个半导体晶片上。可借助裸片锯(例如，金刚锯)来完成将半导体晶片分离成个别裸片。沿着非功能性半导体材料区域做出分离每一裸片的称为划线的切口。然而，使用金刚锯会对半导体晶片引入机械应力且可能导致裸片边缘处的破裂并危及集成电路的完整性及可靠性。一种用于使裸片较不易于受到裸片锯的机械应力的结构是密封环。在半导体衬底的一个或一个以上电介质层的外边缘区中或所...
【技术保护点】
一种集成电路系统，其包括第一装置晶片，其具有多个第一裸片，每一第一裸片包含，第一装置，其形成于所述第一装置晶片的第一半导体层中；第一金属堆叠，其安置于所述第一半导体层上，其中所述第一金属堆叠包含至少一个第一金属层及至少一个第一电介质层；及第一密封环，其包含于所述第一金属堆叠中且形成于所述第一裸片的边缘区中；及第二装置晶片，其具有多个第二裸片，每一第二裸片包含，第二装置，其形成于所述第二装置晶片的第二半导体层中；第二金属堆叠，其安置于所述第二半导体层上，其中所述第二金属堆叠包含至少一个第二金属层及至少一个第二电介质层，且其中所述第二装置晶片的前侧在所述第一电介质层与所述第二电...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱胤，戴幸志，代铁军，毛杜立，杨存宇，霍华·E·罗狄丝，
申请(专利权)人：全视科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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