【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种，其中，图像传感器包括：衬底，衬底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面，衬底内具有感光器件；至少位于感光器件上方的衬底第一表面的器件层；位于感光器件正上方的器件层表面的凸部，凸部表面为弧面、且相对于器件层表面凸起，感光器件与凸部之间的部分器件层材料为透光材料，凸部的材料为透光材料；位于凸部表面的反光层，反光层用于反射光线；位于衬底第二表面的滤色层结构、以及位于滤色层结构表面的微透镜结构，滤色层结构和微透镜结构的位置与感光器件对应，外部光线自衬底第二表面入射、并通过微透镜结构和滤色层结构进入感光器件。所述背照式图像传感器的光能损失减少、光电转换效率提高。【专利说明】
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种。
技术介绍
图像传感器是将光学图像信号转换为电信号的半导体器件。CMOS (互补金属氧化物半导体)图像传感器是一种快速发展的固态图像传感器，由于CMOS图像传感器中的图像传感器部分和控制电路部分集成于同一芯片中，因此CMOS图像传感器的体积小、功耗低、价格低廉，相较于传统的CCD (电荷耦合)图像传感器更具优势，也更易普及。现有的CMOS图像传感器中包括用于将光信号转换为电信号的光电传感器,所述光电传感器为形成于娃衬底中的光电二极管。此外，在形成有光电二极管的娃衬底表面还形成有介质层，所述介质层内形成有金属互联层，所述金属互联层用于使光电二极管与外围电路电连接。对于上述CMOS图像传感器来说,所述娃衬底具有介质层和金属互联层的一面为CMOS图像传感器的正面，与正面相对的一面为CMOS图像传感器的背面，根据光线照射方...
【技术保护点】
一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一表面、以及与所述第一表面相对的第二表面，所述衬底内具有感光器件；至少在所述感光器件上方的衬底第一表面形成器件层；在感光器件正上方的器件层表面形成凸部，所述凸部表面为弧面、且相对于器件层表面凸起，所述感光器件与凸部之间的部分器件层材料为透光材料，所述凸部的材料为透光材料；在所述凸部表面形成反光层，所述反光层用于反射光线；在形成反光层之后，在衬底的第二表面形成滤色层结构、以及位于滤色层结构表面的微透镜结构，所述滤色层结构和微透镜结构的位置与感光器件对应，外部光线自衬底第二表面入射、并通过微透镜结构和滤色层结构进入感光器件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：饶金华，孙玉红，张克云，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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