本发明专利技术公开了一种阵列基板、阵列基板的制备方法、显示装置，阵列基板包括设置在基底上的栅电极、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极以及像素电极，有源层具有导电区域、被源电极和漏电极覆盖的覆盖区域和包围于所述覆盖区域外侧的暴露区域，像素电极搭接在漏电极、有源层的暴露区域以及栅极绝缘层的上表面上。可知，由于有源层的暴露区域的存在，沉积像素电极层薄膜时，在漏电极的坡度角较大的区域，像素电极层薄膜可以落在有源层的暴露区域上，避免了由于重力下滑导致的在漏电极的坡度角较大的区域出现像素电极断裂的情况，有效促进了像素电极和漏电极的搭接。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种阵列基板、阵列基板的制备方法、显示装置，阵列基板包括设置在基底上的栅电极、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极以及像素电极，有源层具有导电区域、被源电极和漏电极覆盖的覆盖区域和包围于所述覆盖区域外侧的暴露区域，像素电极搭接在漏电极、有源层的暴露区域以及栅极绝缘层的上表面上。可知，由于有源层的暴露区域的存在，沉积像素电极层薄膜时，在漏电极的坡度角较大的区域，像素电极层薄膜可以落在有源层的暴露区域上，避免了由于重力下滑导致的在漏电极的坡度角较大的区域出现像素电极断裂的情况，有效促进了像素电极和漏电极的搭接。【专利说明】阵列基板、阵列基板的制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制备方法，以及采用该阵列基板的显示装置。
技术介绍
各向异性亦称为非均匀性，是指物体的全部或部分物理化学性质随方向的不同而各自表现出一定的差异的特性，理想的刻蚀工艺需要具备的一个重要特点就是良好的各向异性刻蚀，即只有垂直刻蚀，没有横向刻蚀。这样才能保证精确地在被刻蚀的薄膜上刻蚀出与抗蚀剂膜上完全一致的几何图形。请参考图1，图1为现有技术一种阵列基板的结构示意图。如图1所示，现有技术中的阵列基板包括依次设置在基底I上的栅电极2、栅极绝缘层3 (GI)、有源层4、欧姆接触层5、源电极61以及漏电极62，像素电极7 (ITO)搭接在漏电极62和栅极绝缘层3的上表面。一般情况下，其制备方法为:在基底I首先形成栅电极2 ;然后形成栅极绝缘层3、有源层4以及欧姆接触层5 ;接着形成源电极61和漏电极62 ;最后形成像素电极7。在上述形成源电极61和漏电极62的过程中，采用湿法刻蚀工艺，湿法刻蚀虽然操作简便，对设备要求低，但是其化学反应的各向异性较差，横向刻蚀导致薄膜上的图形的线宽比抗蚀剂膜上的线宽小，因此，精确控制性较差。现有技术中，在源电极61和漏电极62的制备过程中，由于湿法刻蚀的各向异性较差以及精确控制性较差，因此，在刻蚀完成后漏电极62侧面形成的坡度角a较大，坡度角a的范围为80°?90° ;同时，由于源漏电极金属层厚度范围为2000?4000 A，而像素电极金属层较薄，厚度范围为400?700 A，因此，在沉积像素电极金属层时，在上述坡度角a的侧面会由于重力作用而产生下滑，导致在此处的像素电极金属层较薄甚至出现断裂，很容易造成形成的像素电极7和漏电极62搭接不良，严重影响产品质量。因此，如何提供一种阵列基板的制备方法，能够促进像素电极和漏电极搭接，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种阵列基板的制备方法，能够促进像素电极和漏电极搭接。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是:一种阵列基板，包括设置在基底上的栅电极、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极以及像素电极；所述有源层具有导电区域、被所述源电极和漏电极覆盖的覆盖区域以及包围于所述覆盖区域外侧的暴露区域；像素电极搭接在所述漏电极、所述有源层的暴露区域以及所述栅极绝缘层的上表面上。优选地，上述阵列基板中，所述有源层的暴露区域的宽度范围为0.5μπι?L O μ m0优选地，上述阵列基板中，还包括位于所述有源层与所述源电极和漏电极之间的欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述源电极和所述漏电极对应的区域。优选地，上述阵列基板中，所述有源层的覆盖区域的厚度大于所述有源层的暴露区域的厚度。本专利技术还公开了一种阵列基板的制备方法，包括:在基底上形成包括栅电极的图形、栅极绝缘层、包括有源层的图形；还包括:步骤1:通过构图工艺形成源电极和漏电极，使所述有源层的图形具有导电区域、被所述源电极和漏电极覆盖的覆盖区域以及包围于所述覆盖区域外侧的暴露区域；步骤2:在所述漏电极、所述有源层的暴露区域以及所述栅极绝缘层的上表面上形成像素电极。优选地，上述制备方法中，所述步骤I包括:步骤101:在所述有源层的图形上方涂覆一层源漏电极层薄膜，并在所述源漏电极层薄膜上涂覆光刻胶，曝光、显影后对源漏电极层薄膜进行刻蚀以形成源电极和漏电极的图形；步骤102:对位于所述源电极和漏电极上保留的光刻胶的边缘进行处理，暴露出所述光刻胶外边缘下方的源电极和漏电极；步骤103:对步骤102中暴露出的所述源电极和漏电极进行刻蚀，暴露出所述源电极和漏电极外边缘下方的有源层，形成所述有源层的暴露区域；步骤104:剥离所述源电极和漏电极上的光刻胶。优选地，上述制备方法中，所述步骤102包括:采用六氟化硫和氧气对所述光刻胶进行轰击，使得所述光刻胶收缩，暴露出所述光刻胶边缘下方的源电极和漏电极。优选地，上述制备方法中，所述六氟化硫的含量范围为30?50sCCm，所述氧气的含量范围为1500?2500sccm，轰击功率范围为4500?5500W，处理时间范围为30?40s。优选地，上述制备方法中，所述步骤103包括:采用氯气和氧气对暴露出的所述源电极和漏电极进行刻蚀。优选地，上述制备方法中，所述氯气的含量范围为800?lOOOsccm，所述氧气的含量范围为1600?2000sccm，轰击功率范围为3500?4500W，压力范围为30?40mT，处理时间范围为35?85s。优选地，上述制备方法中，还包括:通过构图工艺在所述有源层与所述源电极和漏电极之间形成包括欧姆接触层的图形，所述欧姆接触层位于所述源电极和所述漏电极对应的区域。优选地，上述制备方法中，所述步骤I还包括采用六氟化硫、氯气和氦气对所述欧姆接触层进行刻蚀，去掉所述有源层导电区域对应的欧姆接触层，保留所述源电极和漏电极对应的区域下方的欧姆接触层；同时，所述有源层的暴露区域也被部分刻蚀，使得所述有源层的覆盖区域的厚度大于所述有源层的暴露区域的厚度。本专利技术还公开了一种显示装置，包括阵列基板，所述阵列基板为上述的阵列基板。本专利技术的有益效果是:本专利技术提供的阵列基板，包括设置在基底上的栅电极、栅极绝缘层、有源层，有源层具有导电区域、被源电极和漏电极覆盖的覆盖区域和包围于所述覆盖区域外侧的暴露区域，像素电极搭接在漏电极、有源层的暴露区域以及栅极绝缘层的上表面上。可知，由于有源层的暴露区域的存在，沉积像素电极层薄膜时，在漏电极的坡度角较大的区域，像素电极层薄膜可以落在有源层的暴露区域上，避免了由于重力下滑导致的在漏电极的坡度角较大的区域出现像素电极断裂的情况，有效促进了像素电极和漏电极的搭接。本专利技术还提供了一种阵列基板的制备方法，能够制备上述的阵列基板，从而能够有效促进像素电极和漏电极的搭接。本专利技术还提供了一种具有上述阵列基板的显示装置，由于采用上述阵列基板，使得显示装置的显示效果更好，产品良率更高。【专利附图】【附图说明】图1为现有技术一种阵列基板的结构不意图；图2为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备方法中刻蚀形成源电极和漏电极后的不意图；图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备方法中对光刻胶的边缘处理后的示意图；图5为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备方法中对源电极和漏电极的外边缘刻蚀后的不意图；图6为本专利技术实施例提供的阵列基板的制备方法中对欧姆接触层刻蚀后的示意图。上图中附图标记和部件名称的对应关系为:I基底；2栅电极；3栅极绝缘层；4有源层本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括设置在基底上的栅电极、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极以及像素电极；其特征在于，所述有源层具有导电区域、被所述源电极和漏电极覆盖的覆盖区域和包围于所述覆盖区域外侧的暴露区域；像素电极搭接在所述漏电极、所述有源层的暴露区域以及所述栅极绝缘层的上表面上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：姜晓辉，郭建，张家祥，田宗民，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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