带载体的铜箔、使用它的覆铜板、印刷布线板、印刷电路板和印刷布线板的制造方法技术

本发明专利技术提供带载体的铜箔、使用它的覆铜板、印刷布线板、印刷电路板和印刷布线板的制造方法。所述带载体的铜箔能很好地抑制铜箔的翘曲而不会限制极薄铜层和载体的种类、以及它们的厚度。所述带载体的铜箔具有铜箔载体、层叠在铜箔载体上的中间层以及层叠在中间层上的极薄铜层，带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为0μm·MPa以上155μm·MPa以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及带载体的铜箔、使用它的覆铜板（銅張積層板）、印刷布线板、印刷电路板和印刷布线板的制造方法。 
技术介绍
印刷布线板在这半个世纪以来取得了很大的进展，至今已经到了几乎在所有的电子设备中都使用的地步。近年来随着对电子设备的小型化、高性能化需求的增大，搭载部件的高密度安装化和信号高频化得到发展，对印刷布线板要求导体图案的微细化（细间距化）和与高频对应等，特别是在印刷布线板上装有IC芯片的情况下，要求实现L/S＝20μm/20μm以下的细间距化。 印刷布线板首先作为覆铜层叠体被制造，把铜箔和以玻璃环氧基板、BT树脂、聚酰亚胺膜等为主的绝缘基板贴合而得到所述覆铜层叠体。贴合使用下述方法：把绝缘基板和铜箔重叠后加热加压形成的方法（层压法）；把作为绝缘基板材料的前驱体的清漆涂布在铜箔的具有覆盖层的面上，进行加热、固化的方法（浇注法）。 伴随细间距化，用于覆铜层叠体的铜箔的厚度也变成9μm、以至5μm以下等，箔的厚度在持续变薄。可是如果箔的厚度在9μm以下，则在使用前述的层压法和浇注法形成覆铜层叠体时，操作性变得非常差。所以就出现了将具有一定厚度的金属箔作为载体利用并在其上通过剥离层形成极薄铜层的带载体的铜箔。在把极薄铜层的表面贴合在绝缘基板上并热压粘合后，通过剥离层剥离载体是带载体的铜箔的一般使用方法。 可是，在贴合铜箔和绝缘基板时，在铜箔的翘曲非常大的情况下，存在引起铜箔的输送装置产生问题而停止，或铜箔被挂住而产生折断、褶皱等操作上的问题，即有时会产生生产技术的问题。此外，有时因铜箔的翘曲导致完成的覆铜层叠体也残留翘曲，从而造成在使用覆铜层叠 体的下一个工序中有可能产生问题。厚度为9μm以上的一般（不带载体）的铜箔由于机械特性、晶体组织等是在厚度方向上均匀的材料，此外因具有一定厚度造成刚性大，因此翘曲变大的情况少。另一方面，如前所述，由于带载体的铜箔是由载体箔、剥离层、极薄铜层构成的复合体，所以存在因这些构成要素的各自的机械特性或晶体组织的不同等而造成翘曲容易变大的倾向。 针对这样的问题，例如在专利文献1中公开了一种复合箔的卷曲矫正方法，其特征在于，复合箔是具有载体铜箔/有机剥离层/极薄电解铜箔的三层结构的带载体铜箔的极薄电解铜箔，把该复合箔在气氛温度为120℃～250℃的环境下加热处理1小时～10小时。而且记载有，按照所述的构成，可以提供不附着油分和不造成擦伤等损坏地矫正复合箔所产生的卷曲的方法、以及矫正了卷曲的复合箔。 现有技术文献 专利文献1：日本专利公开公报特开2011－68142号 可是，在专利文献1记载的技术中，仅仅是通过热处理对带载体的铜箔在刚刚制造后的翘曲进行矫正，而不是防止在带载体的铜箔制造阶段中产生翘曲的问题本身。在制造带载体的铜箔时产生的翘曲对于铜箔的制造者而言，由于会给制造工序中的操作带来障碍，所以减小在带载体的铜箔制造阶段的翘曲是更重要的。此外，从降低制造成本的观点出发，也希望在带载体的铜箔的制造阶段减小翘曲，去掉利用热处理的追加的翘曲矫正工序。此外，在专利文献1记载的方法中，存在可以抑制铜箔的翘曲的极薄铜层和载体的种类、以及它们的厚度会受到限制的问题。 
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供不会使极薄铜层和载体的种类、以及它们的厚度受到限制就能很好地抑制铜箔翘曲的带载体的铜箔、使用它的覆铜板、印刷布线板、印刷电路板和印刷布线板的制造方法。 为了实现所述目的，本专利技术人反复进行了专心的研究，发现带载体 的铜箔的总厚度T的二分之一、与铜箔载体外侧表面的残余应力和极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱在规定值以下是非常有效的。 本专利技术是以所述认识为基础完成的。本专利技术的一个方面提供一种带载体的铜箔，具有铜箔载体、层叠在所述铜箔载体上的中间层以及层叠在所述中间层上的极薄铜层，所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为0μm·MPa以上155μm·MPa以下。 本专利技术的带载体的铜箔在一个实施方式中，所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为大于0μm·MPa且为155μm·MPa以下。 本专利技术的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为10μm·MPa以上135μm·MPa以下。 本专利技术的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为15μm·MPa以上130μm·MPa以下。 本专利技术的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述铜箔载体由电解铜箔或压延铜箔构成。 本专利技术的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述中间层由Ni层和Cr层构成，所述Ni层与所述中间层和所述铜箔载体的界面接触，所述Cr层与所述中间层和所述极薄铜层的界面接触，所述中间层中的Ni的附着量为1μg/dm2以上40000μg/dm2以下，所述中间层中的Cr的附着量为1μg/dm2以上100μg/dm2以下，在所述中间层中以1μg/dm2以上70μg/dm2以下的附着量还存在有Zn。 本专利技术的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述极薄铜层厚度为1μm以上10μm以下。 本专利技术的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述极薄铜层的平均结晶粒径小于15μm。 本专利技术的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述极薄铜层表面具有粗化处理层。 本专利技术的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述粗化处理层的表面具有从由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层和硅烷偶联处理层构成的组中选择的一种以上的层。 本专利技术的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述防锈层和所述耐热层中的至少一方含有从镍、钴、铜和锌中选择的一种以上的元素。 本专利技术的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述防锈层和所述耐热层中的至少一方由从镍、钴、铜和锌中选择的一种以上的元素构成。 本专利技术的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述粗化处理层之上具有所述耐热层。 本专利技术的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述粗化处理层之上具有所述防锈层。 本专利技术的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述防锈层之上具有所述铬酸盐处理层。 本专利技术的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述铬酸盐处理层之上具有所述硅烷偶联处理层。 本专利技术的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述极薄铜层的表面具有从由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层和硅烷偶联处理层构成的组中选择的一种以上的层。 本专利技术的带载体的铜箔在另一个实施方式中，当把所述带载体的铜箔切成边长为10cm的正方形片状、且把所述片静置在水本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带载体的铜箔，具有铜箔载体、层叠在所述铜箔载体上的中间层以及层叠在所述中间层上的极薄铜层，所述带载体的铜箔的特征在于，所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为0μm·MPa以上155μm·MPa以下。

【技术特征摘要】
2012.10.26 JP 2012-236858;2013.01.30 JP 2013-016111.一种带载体的铜箔，具有铜箔载体、层叠在所述铜箔载体上的中
间层以及层叠在所述中间层上的极薄铜层，所述带载体的铜箔的特征在
于，
所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表
面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对
值︱(T/2)×D︱为0μm·MPa以上155μm·MPa以下。
2.根据权利要求1所述的带载体的铜箔，其特征在于，
所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表
面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对
值︱(T/2)×D︱为大于0μm·MPa且为155μm·MPa以下。
3.根据权利要求2所述的带载体的铜箔，其特征在于，
所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表
面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对
值︱(T/2)×D︱为10μm·MPa以上135μm·MPa以下。
4.根据权利要求3所述的带载体的铜箔，其特征在于，
所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表
面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对
值︱(T/2)×D︱为15μm·MPa以上130μm·MPa以下。
5.根据权利要求1所述的带载体的铜箔，其特征在于，
所述铜箔载体由电解铜箔或压延铜箔构成。
6.根据权利要求1所述的带载体的铜箔，其特征在于，
所述中间层由Ni层和Cr层构成，所述Ni层与所述中间层和所述铜
箔载体的界面接触，所述Cr层与所述中间层和所述极薄铜层的界面接触，
所述中间层中的Ni的附着量为1μg/dm2以上40000μg/dm2以下，所述

\t中间层中的Cr的附着量为1μg/dm2以上100μg/dm2以下，在所述中间
层中以1μg/dm2以上70μg/dm2以下的附着量还存在有Zn。
7.根据权利要求1所述的带载体的铜箔，其特征在于，
所述极薄铜层厚度为1μm以上10μm以下。
8.根据权利要求1所述的带载体的铜箔，其特征在于，
所述极薄铜层的平均结晶粒径小于15μm。
9.根据权利要求1所述的带载体的铜箔，其特征在于，
在所述极薄铜层表面具有粗化处理层。
10.根据权利要求9所述的带载体的铜箔，其特征在于，
在所述粗化处理层的表面具有从由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层
和硅烷偶联处理层构成的组中选择的一种以上的层。
11.根据权利要求10所述的带载体的铜箔，其特征在于，
所述防锈层和所述耐热层中的至少一方含有从镍、钴、铜和锌中选
择的一种以上的元素。
12.根据权利要求10所述的带载体的铜箔，其特征在于，
所述防锈层和所述耐热层中的至少一方由从镍、钴、铜和锌中选择
的一种以上的元素构成。
13.根据权利要求10所述的带载体的铜箔，其特征在于，
在所述粗化处理层之上具有所述耐热层。
14.根据权利要求10所述的带载体的铜箔，其特征在于，
在所述粗化处理层之上具有所述防锈层。
15.根据权利要求13所述的带载体的铜箔，其特征在于，
在所述耐热层之上具有所述防锈层。
16.根据权利要求10所述的带载体的铜箔，其特征在于，
在所述防锈层之上具有所述铬酸盐处理层。
17.根据权利要求15所述的带载体的铜箔，其特征在于，
在所述防锈层之上具有所述铬酸盐处理层。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：森山晃正，坂口和彦，永浦友太，古曳伦也，
申请(专利权)人：JX日矿日石金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP