【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种三氯氢硅等离子体制备方法及其制备装置。技术背景多晶硅是电子工业和光伏产业所需的主要原料。随着全球能源危机的日益加剧，太阳能作为一种清洁、可持续再生的能源，在全球范围内越来越受到关注。太阳能级多晶硅(杂质质量分数为10-6～ 10-5 ) 作为生产太阳能电池的重要原料，需求量逐年上升。然而，生产多晶硅对环境的危害相当大。目前国内多晶硅企业所采用的生产方法均为西门子法 ，副产大量的四氯化硅。每生产1 t多晶硅同时产生18 t四氯化硅。四氯化硅是高毒性物质，对人的眼睛、皮肤、呼吸道有强烈刺激；遇到潮湿空气立即分解，生成硅酸和氯化氢。若不经处理便排放或掩埋四氯化硅，将严重污染环境，并使排放地或掩埋地寸草不生。由于四氯化硅转化的核心技术被国外少数几家企业垄断，若建处理四氯化硅的装置，其技术引进费用几乎占全部投资的1／3，国内多数企业没有此类装置。因此，妥善处理四氯化硅是提高国内多晶硅生产能力、实现光伏产业可持续发展而必须解决的一个十分迫切的问题。尽管通过利用四氯化硅生产白炭黑、有机硅等产品的技术消耗到部分四氯化...
【技术保护点】
一种三氯氢硅等离子体制备方法，其特征在于，首先将氢气与四氯化硅蒸汽按比例混合，然后将其预热，预热后的混合气体经过等离子体反应器，产物随后经过冷却同时进一步发生反应，之后被冷凝为液体，冷凝后的产物最后收集并分离。
【技术特征摘要】
1.一种三氯氢硅等离子体制备方法，其特征在于，首先将氢气与四氯化硅蒸汽按比例混合，然后将其预热，预热后的混合气体经过等离子体反应器，产物随后经过冷却同时进一步发生反应，之后被冷凝为液体，冷凝后的产物最后收集并分离。
2.根据权利要求1所述的三氯氢硅等离子体制备方法，其特征在于，所述氢气与四氯化硅蒸汽混合气体的流量比为1~4.5。
3.根据权利要求1所述的三氯氢硅等离子体制备方法，其特征在于：所述氢气与四氯化硅蒸汽混合气体的预热温度为100℃~300℃。
4.根据权利要求1所述的三氯氢硅等离子体制备方法，其特征在于，所...
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