TEM样品的制备方法技术

本发明专利技术提供一种TEM样品制备方法，通过预先将保护层覆盖的晶片区域划分成相间隔的多个子区域，对每个子区域进行样品两侧壁的细抛减薄，可以在一次TEM样品制备流程中制备出多个TEM样品，极大地节省了静态存储器等半导体器件的NMOS、PMOS的TEM样品的制备时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种TEM样品的制备方法。
技术介绍
目前，透射电子显微镜(TEM)是电子显微学的重要工具，TEM通常用于检测组成半导体器件的薄膜的形貌、尺寸和特征等。将TEM样品放入TEM观测室后，TEM的主要工作原理为：高能电子束穿透TEM样品时发生散射、吸收、干涉及衍射等现象，使得在成像平面形成衬度，从而形成TEM样品的图像，后续再对所述TEM样品的图像进行观察、测量以及分析。现有技术中，聚焦离子束(FIB)机台可以在整片晶片（wafer）的局部区域完成TEM样品的制备，其过程是将wafer作为样品水平放置在FIB机台的样品台上，从FIB机台的液态金属离子源(一般为镓Ga)中抽取的离子束经过加速、质量分析、整形等处理之后形成具有一定束流和离子束斑直径的聚焦离子束(Ibeam)，聚焦在样品表面轰击wafer的局部区域，从而对wafer进行切割和微细加工，以制备TEM样品。如图1所示，现有技术中，在FIB机台上制备TEM样品的方法，用于同时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TEM样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶片，在所述晶片上表面形成保护层；在所述保护层两侧形成两个洞；在所述两个洞的底部分别形成开口；将所述保护层覆盖的区域划分为多个相互间隔的子区域，在所述两个洞中分别对每个子区域的晶片侧壁细抛；切断每个子区域与所述晶片的连接部分，形成多个TEM样品。

【技术特征摘要】
1.一种TEM样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一晶片，在所述晶片上表面形成保护层；
在所述保护层两侧形成两个洞；
在所述两个洞的底部分别形成开口；
将所述保护层覆盖的区域划分为多个相互间隔的子区域，在所述两个洞中
分别对每个子区域的晶片侧壁细抛；
切断每个子区域与所述晶片的连接部分，形成多个TEM样品。
2.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述保护层
的材质为铂和/或钨。
3.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述保护层
的形状为长条状。
4.如权利要求3所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述保护层
的长度为5~15μm。
5.如权利要求3所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述保护层
的宽度为0.5~5μm。

【专利技术属性】
技术研发人员：段淑卿，陈柳，齐瑞娟，李明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31