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本发明提供一种TEM样品制备方法，通过预先将保护层覆盖的晶片区域划分成相间隔的多个子区域，对每个子区域进行样品两侧壁的细抛减薄，可以在一次TEM样品制备流程中制备出多个TEM样品，极大地节省了静态存储器等半导体器件的NMOS、PMOS的TE...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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