单片超小型MEMS芯片制造技术

本实用新型专利技术公开一种单片超小型MEMS芯片，由盖板、MEMS层和硅穿孔层组成，盖板上有一个下腔体，硅穿孔层上有一个上腔体，上腔体深度为1～5?m，上、下腔体与MEMS层围成密封腔，MEMS结构位于密封腔内；硅穿孔层上有隔离沟，隔离沟将硅穿孔层分为密封区、垂直电极和导电柱，MEMS结构通过键合块与导电柱电连接；硅穿孔层上有绝缘层，绝缘层上有通孔，绝缘层上有金属导线层，金属导线层与导电柱和垂直电极电连接；绝缘层上有钝化层，钝化层上有压焊窗口；钝化层上有屏蔽金属层。本实用新型专利技术通过减小上腔体的深度，将部分硅穿孔层直接作为垂直电极，不需要另外制作垂直电极，工艺流程简单，可减小MEMS芯片的面积和体积，成本低，成品率高。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：华亚平，
申请(专利权)人：安徽北方芯动联科微系统技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：