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本实用新型公开一种单片超小型MEMS芯片，由盖板、MEMS层和硅穿孔层组成，盖板上有一个下腔体，硅穿孔层上有一个上腔体，上腔体深度为1～5?m，上、下腔体与MEMS层围成密封腔，MEMS结构位于密封腔内；硅穿孔层上有隔离沟，隔离沟将硅穿孔层...
该专利属于安徽北方芯动联科微系统技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽北方芯动联科微系统技术有限公司授权不得商用。

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