【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种集成MEMS传感器的晶圆级封装结构，其特征在于，包括：衬底和位于所述衬底上的介电质层，所述衬底中包括至少一个CMOS器件；所述衬底中包括一个或多个沟槽，所述沟槽的侧壁上具有绝缘层，所述沟槽中填充有金属，所述金属与所述衬底之间通过所述绝缘层相隔离；所述介电质层中具有与所述金属电连接的焊垫；所述介电质层中具有与所述CMOS器件和焊垫电连接的金属互连；所述介电质层的上面具有一个或多个MEMS传感器，所述MEMS传感器与所述金属互连电连接；所述MEMS传感器上面具有封装基板，所述封装基板具有与所述MEMS传感器上下相对应的通孔、盲孔或透明区域。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：喻涵，毛剑宏，唐德明，
申请(专利权)人：上海丽恒光微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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