本发明的课题在于提高离子注入工序中的生产率。离子注入方法包括如下步骤：根据第1扫描信号生成第1扫描射束；在多个测定位置，利用射束测定装置测定第1扫描射束的射束电流；根据经测定的射束电流的时间波形和确定为第1扫描信号的扫描指示值的时间波形...

本发明涉及离子注入装置及离子注入方法，在具备线性加速装置的离子注入装置中，可加速射束能量的调整。本发明的离子注入装置(100)具备：离子源(10)，生成离子；引出部(10a)，通过从离子源(10)引出离子并使其加速来生成离子束；线性加速...

本发明可抑制污垢附着于静电四极透镜装置中所包含的电极体或支承电极体的绝缘部件，以提高射束线的真空度。静电四极透镜装置具备：多个透镜电极(82)，在对置的多个透镜电极之间隔着射束线(BL)在与射束线(BL)所延伸的轴向正交的径向上对置，且...

本发明涉及晶片温度调整装置、晶片处理装置及晶片温度调整方法，均匀且迅速地调整晶片的温度。晶片温度调整装置(100)具备：上表面(112)；晶片支承机构(114)，在将上表面(112)与晶片(W)的间隔(d)维持在规定范围内，且上表面(1...

本发明可加速动作参数的调整。离子注入装置具备：射束生成装置，生成照射到工作件的离子束；控制装置(52)，设定用于控制射束生成装置的动作的多个动作参数；测定装置，测定离子束的至少一种射束特性；存储装置(56)，累积将多个动作参数的设定值集...

本发明涉及离子注入方法及离子注入装置，可加速射束能量的调整。离子注入方法具备如下工序：根据用于将从高能量多级线性加速单元输出的离子束(IB)的射束能量设为第1输出值的第1数据集，决定用于将射束能量设为第2输出值的第2数据集。高能量多级线...

本发明提供一种能够抑制由于污染物的附着而导致的绝缘性能的降低的绝缘结构。绝缘结构(74)具备：第1端部(82)；第2端部(84)；轴部(86)，连接第1端部(82)与第2端部(84)之间；及包围部(88)，具有与轴部(86)的外表面(9...

一种离子注入装置及微粒检测方法，提高与离子束一起输送的微粒的检测精度。离子注入装置(10)具备：射束线装置(14)，输送离子束；注入处理室(16)，进行向晶圆(W)照射离子束的注入处理；照明装置(64)，在射束线装置(14)内及注入处理...

本发明涉及离子注入装置以及离子束被照射体，应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。本发明的离子注入装置(100)具备：离子源，构成为生成包含第1非放射性核种的离子的离子束；射束线，构成为支承由包含与第1非放射性核种不同...

本发明提供一种有助于提高离子注入工序的生产率的离子生成装置。离子生成装置(12)具备：等离子体生成室(78)，生成用于引出离子的等离子体(P)；及加热装置(90)，构成为向区划等离子体生成室(78)的部件或暴露于等离子体生成室内的部件照...

本发明评价离子束的物理量的测定的妥当性。离子注入装置(10)具备：射束生成装置，根据注入配方生成离子束；多个测定装置，测定离子束的至少一个物理量；及控制装置(60)，获取包含通过多个测定装置测定的多个测定值的数据集，使用表示多个测定值的...

一种离子注入装置及射束分析仪，能够精确地测定离子束的射束电流分布。射束分析仪(50)具备：孔隙阵列，具有第1孔隙(111)和第2孔隙(112)；杯电极阵列(120)，相对于孔隙阵列固定地配置；及多个磁铁(140)。从离子束的行进方向观察...

一种离子注入装置及离子注入方法。控制装置在获取了晶片处理面内的二维不均匀剂量分布的目标值时，生成根据在晶片处理面内在第2方向上不同的多个位置上的第1方向的一维剂量分布而规定的多个聚合函数和将二维不均匀剂量分布的所述目标值与多个聚合函数建...

一种离子注入装置及离子注入方法。控制装置保持多个注入处方，多个注入处方中的每一个包含晶片处理面内的二维不均匀剂量分布、根据在晶片处理面内在第2方向上不同的多个位置上的第1方向的多个一维剂量分布而规定的多个校正函数及将二维不均匀剂量分布与...

本发明的课题在于长期维持射束电流的测定精度。离子注入装置(10)具备：注入处理室(16)，进行向晶圆W照射离子束的注入工序；第1法拉第杯，设置于注入处理室(16)内，且构成为在注入工序之前进行的准备工序中测定离子束的射束电流；第2法拉第...

本发明的课题在于提高将通过加热固体材料生成的蒸气用于原料的离子生成装置的性能。离子生成装置(12)具备：蒸气生成室(68)，用于对混合了作为杂质元素的单质的第1固体材料(91)和作为含有杂质元素的化合物的第2固体材料(92)的原料(90...

本发明的课题在于抑制装置外的中子剂量率。离子注入装置(100)具备装置主体(58)及至少局部包围装置主体(58)的框体(60)。装置主体(58)包括沿着传输离子束的射束线(BL)配置的多个单元(12、14、16、18)及配置在射束线(B...

本发明的课题在于以低成本适当地监控中子射线的产生状况。离子注入装置(100)具备：多个装置，沿着传输离子束的射束线(BL)配置；多个中子射线测定器(51、52、53、54)，配置于射束线的附近的多个位置，并测定由于高能量的离子束的碰撞而...

本发明提供一种能够稳定地生成高纯度的多价离子的离子生成装置。离子生成装置(10)具备：电弧室(50)，区划等离子体生成空间(S)；阴极(56)，朝向等离子体生成空间(S)释放热电子；及反射极(58)，隔着等离子体生成空间(S)而与阴极(...

本发明涉及离子注入装置及测定装置，防止产生二次电子引起的计测精度下降。离子注入装置具备测定照射于晶圆的离子束的角度分布的测定装置(62)。测定装置(62)具备：狭缝(66)，入射有离子束；中央电极体(70)，具有配置于从狭缝(66)向成...