本发明专利技术涉及晶片温度调整装置、晶片处理装置及晶片温度调整方法，均匀且迅速地调整晶片的温度。晶片温度调整装置(100)具备：上表面(112)；晶片支承机构(114)，在将上表面(112)与晶片(W)的间隔(d)维持在规定范围内，且上表面(112)与晶片(W)之间的第1空间(118)和晶片(W)上方的第2空间(120)连通的状态下，在上表面(112)的上方支承晶片(W)；工作台(104)，调整上表面(112)的温度；及气体供给部(106)，向第1空间(118)及第2空间(120)供给热传递气体。间(118)及第2空间(120)供给热传递气体。间(118)及第2空间(120)供给热传递气体。
【技术实现步骤摘要】
晶片温度调整装置、晶片处理装置及晶片温度调整方法
[0001]本申请主张基于2021年2月24日申请的日本专利申请第2021
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027143号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。
[0002]本专利技术涉及调整晶片温度的装置及方法。
技术介绍
[0003]在半导体制造工序中处理晶片的情况下，可以在处理前、处理中及处理后中的至少一方加热或冷却晶片。例如，有如下方法：与晶片的表面或背面对置配置加热器，并通过来自加热器的热辐射而加热晶片。此外，已知有一种静电吸附机构，其在将晶片固定于静电卡盘的状态下，通过向晶片的背面供给热交换用气体而调整晶片的温度(例如，参考专利文献1)。
[0004]专利文献1：日本特开2002
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76105号公报
[0005]在晶片的加热中利用热辐射的情况下，由于辐射系统的热响应性低，因此存在加热费时间且不易使晶片面内的加热均匀的问题。并且，在用静电卡盘固定了晶片的状态下向晶片背面供给热交换用气体的情况下，当使静电卡盘的吸附力降低时，晶片可能因存在于晶片背面的热交换用气体的压力而在静电卡盘上弹起。为了防止晶片的弹起，在完全解除吸附力之前，需要充分排出晶片背面的气体，为了排出气体而费时间。若晶片的温度调整费时间，则会导致半导体制造工序的生产率降低。
技术实现思路
[0006]本专利技术的一个实施方式的示例性目的之一为，提供一种均匀且迅速地调整晶片的温度的技术。
[0007]本专利技术的一个实施方式的晶片温度调整装置具备：上表面；晶片支承机构，在将上表面与晶片的间隔维持在规定范围内，且上表面与晶片之间的第1空间和晶片上方的第2空间连通的状态下，在上表面的上方支承晶片；工作台，调整上表面的温度；气体供给部，向第1空间及第2空间供给热传递气体。
[0008]本专利技术的另一个实施方式为一种晶片处理装置。该装置具备：真空处理室，进行针对晶片的处理；上述实施方式的晶片温度调整装置，在真空处理室内的处理之前及之后的至少一方，调整晶片的温度；温度调整室，设置有晶片温度调整装置；闸阀，能够封闭真空处理室与温度调整室之间；及真空排气装置，使温度调整室内的压力下降。
[0009]本专利技术的另一个实施方式为一种晶片温度调整方法。该方法具备如下步骤：调整上表面的温度；在将上表面与晶片的间隔维持在规定范围内，且上表面与晶片之间的第1空间和晶片上方的第2空间连通的状态下，在上表面的上方支承晶片；向第1空间及第2空间供给热传递气体。
[0010]另外，将以上构成要件的任意组合、本专利技术的构成要件、表述方式在方法、装置、系统等之间彼此替换的内容，作为本专利技术的实施方式也有效。
[0011]专利技术的效果
[0012]根据本专利技术的一个实施方式，能够均匀且迅速地调整晶片的温度。
附图说明
[0013]图1是表示实施方式所涉及的晶片温度调整装置的概略结构的剖视图。
[0014]图2是表示图1的晶片温度调整装置的概略结构的俯视图。
[0015]图3是示意性地表示晶片温度的调整时间的曲线图。
[0016]图4是表示实施方式所涉及的离子注入装置的概略结构的俯视图。
[0017]图5是表示图4的离子注入装置的概略结构的侧视图。
[0018]图6是表示实施方式所涉及的晶片输送装置的概略结构的俯视图。
[0019]图7是表示晶片输送装置的动作的一例的流程图。
[0020]图8是表示另一实施方式所涉及的晶片温度调整装置的概略结构的剖视图。
[0021]图9是表示又一实施方式所涉及的晶片温度调整装置的概略结构的剖视图。
[0022]符号的说明
[0023]100
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晶片温度调整装置，102
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支承板，104
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工作台，106
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气体供给部，112
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上表面，114
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晶片支承机构，116
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凸部，118
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第1空间，120
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第2空间，122
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流路，126
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提升销，128
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驱动机构。
具体实施方式
[0024]以下，参考附图，对用于实施本专利技术的方式进行详细说明。另外，在附图说明中，对相同的要件标注相同的符号，并适当地省略重复说明。并且，以下所述的结构是示例，对本专利技术的范围不作任何限定。
[0025]在详述实施方式之前说明概要。本实施方式是晶片温度调整装置。晶片温度调整装置在处理前、处理中及处理后中的至少一方调整在真空处理室内被处理的晶片的温度。晶片温度调整装置例如用于在处理前加热或冷却晶片，以在真空处理室内在高温状态或低温状态下处理晶片。晶片温度调整装置用于在处理后冷却或加热晶片，以使在高温状态或低温状态下处理后的晶片恢复到室温或接近室温的温度。在此，高温状态是指比室温高20℃以上、50℃以上或100℃以上的状态，低温状态是指比室温低20℃以上、50℃以上或100℃以上的状态。在真空处理室内被处理的晶片的温度例如设定在
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200℃～500℃的范围内。
[0026]本实施方式所涉及的晶片温度调整装置与以往相比，能够通过简单的结构进行均匀且迅速的温度调整。晶片温度调整装置具备：上表面；晶片支承机构，在将上表面与晶片的间隔维持在规定范围内的状态下支承晶片；工作台，调整上表面的温度；及气体供给部，向上表面与晶片之间的空间供给热传递气体。例如，在将上表面与晶片之间的间隔维持在规定范围内(例如10μm～30μm)的状态下，通过向上表面与晶片之间的空间供给5torr以上的热传递气体，由此能够促进工作台与晶片之间的热传递，并能够在几秒钟左右的短时间内调整晶片的温度。
[0027]在本实施方式中，不仅向工作台的上表面与晶片之间，还向晶片的上方供给热传递气体，因此在晶片的下侧(背面侧)与上侧(表面侧)之间没有气体的压力差。其结果，不需要使工作台的上表面和晶片紧贴而封入热传递气体，不需要用于使工作台的上表面和晶片
紧贴的静电卡盘等晶片固定装置。即，在工作台的上方简单地配置晶片的状态下，能够均匀且迅速地调整晶片的温度。从而，根据本实施方式，不需要用于固定晶片的复杂的结构，就能够抑制由于通过使晶片紧贴于工作台的上表面而使晶片摩擦等产生的背面微粒的增加。
[0028]图1是表示实施方式所涉及的晶片温度调整装置100的概略结构的剖视图。晶片温度调整装置100设置于温度调整室98的内部。晶片温度调整装置100具备支承板102、工作台104、气体供给部106、气体排出部108及提升机构110。
[0029]支承板102设置于工作台104上。支承板102具有上表面112和晶片支承机构114。晶片支承机构114在上表面112的上方支承晶片W，以使上表面112与晶片W的间隔d维持在规定范围内。晶片支承机构114在上表面本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶片温度调整装置，其特征在于，具备：上表面；晶片支承机构，在将所述上表面与晶片的间隔维持在规定范围内，且所述上表面与所述晶片之间的第1空间和所述晶片的上方的第2空间连通的状态下，在所述上表面的上方支承所述晶片；工作台，调整所述上表面的温度；及气体供给部，向所述第1空间及所述第2空间供给热传递气体。2.根据权利要求1所述的晶片温度调整装置，其特征在于，所述上表面与所述晶片的间隔为0.1μm以上且1000μm以下。3.根据权利要求1或2所述的晶片温度调整装置，其特征在于，所述热传递气体的压力为1torr以上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片温度调整装置，其特征在于，所述热传递气体的压力被确定为使所述热传递气体的平均自由行程比所述上表面与所述晶片的间隔小。5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶片温度调整装置，其特征在于，所述晶片支承机构具有从所述上表面突出的多个凸部。6.根据权利要求5所述的晶片温度调整装置，其特征在于，所述多个凸部的形成面积为所述上表面的面积的50％以下。7.根据权利要求5或6所述的晶片温度调整装置，其特征在于，所述多个凸部的数量在所述上表面的每平方厘米的面积中为0.01个以上且10000个以下。8.根据权利要求5至7中任一项所述的晶片温度调整装置，其特征在于，所述多个凸部中的至少一个能够装卸地安装于所述工作台。9.根据权利要求5至7中任一项所述的晶片温度调整装置，其特征在于，具备：支承板，具有所述上表面及所述多个凸部，并且能够装卸于所述工作台。10.根据权利要求5至7中任一项所述的晶片温度调整装置，其特征在于，所述上表面及所述多个凸部一体地形成于所述工作台。11.根据权利要求5至7中任一项所述的晶片温度调整装置，其特征在于，所述多个凸部从所述上表面的突出高度可变。12.根据权利要求5至11中任一项所述的晶片温度调整装置，其特征在于，所述多个凸部由陶瓷材料构成。13.根据权利要求5至11...
【专利技术属性】
技术研发人员：桥口定央，
申请(专利权)人：住友重机械离子科技株式会社，
类型：发明
国别省市：
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