绝缘结构、绝缘结构的制造方法、离子生成装置及离子注入装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够抑制由于污染物的附着而导致的绝缘性能的降低的绝缘结构。绝缘结构(74)具备：第1端部(82)；第2端部(84)；轴部(86)，连接第1端部(82)与第2端部(84)之间；及包围部(88)，具有与轴部(86)的外表面(94)对置的内表面(96)，并从第1端部(82)朝向第2端部(84)延伸。轴部(86)的外表面(94)与包围部(88)的内表面(96)之间的间隙(90)构成为与外部连通。第1端部(82)、第2端部(84)、轴部(86)及包围部(88)由电绝缘材料构成。部(88)由电绝缘材料构成。部(88)由电绝缘材料构成。

【技术实现步骤摘要】
绝缘结构、绝缘结构的制造方法、离子生成装置及离子注入装置


[0001]本申请主张基于2020年11月19日申请的日本专利申请第2020
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192598号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。
[0002]本专利技术涉及一种绝缘结构、绝缘结构的制造方法、离子生成装置及离子注入装置。

技术介绍

[0003]在半导体制造工序中，为了改变半导体的导电性的目的、改变半导体的结晶结构的目的等，常规实施向半导体晶圆注入离子的工序(也称为离子注入工序)。离子注入工序中使用的装置通常被称为离子注入装置。离子注入装置具备用于对源气体进行等离子体化而生成离子的离子生成装置。由离子生成装置生成的离子通过由引出电极施加的电场而被引出。引出电极由绝缘结构支承(例如，参考专利文献1)。
[0004]专利文献1：日本特开2014
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235814号公报
[0005]由于使用离子注入装置，导电性污染物附着于绝缘结构的表面上。若附着污染物，则绝缘结构的绝缘性能降低，因此需要定期的维护。若绝缘结构的维护频度高，则会导致离子注入装置的生产率降低。

技术实现思路

[0006]本专利技术的一方式的例示性目的之一在于提供一种能够抑制由于污染物的附着而导致的绝缘性能的降低的绝缘结构。
[0007]本专利技术的一方式的绝缘结构具备：第1端部；第2端部；轴部，连接第1端部与第2端部之间；及包围部，具有与轴部的外表面对置的内表面，并从第1端部朝向第2端部延伸。轴部的外表面与包围部的内表面之间的间隙构成为与外部连通。第1端部、第2端部、轴部及包围部由电绝缘材料构成。
[0008]本专利技术的另一方式为绝缘结构的制造方法。绝缘结构具备：第1端部；第2端部；轴部，连接第1端部与第2端部之间；及包围部，具有与轴部的外表面对置的内表面，并从第1端部朝向第2端部延伸，轴部的外表面与包围部的内表面之间的间隙构成为与外部连通。该方法为由电绝缘材料形成第1端部、第2端部、轴部及包围部。
[0009]本专利技术的又一方式为离子生成装置。离子生成装置具备：电弧室，具有生成等离子体的等离子体生成室及前狭缝；和引出电极系列，具有经由所述前狭缝将在所述等离子体生成室生成的离子引出到电弧室外部，所述离子生成装置的特征在于，所述引出电极系列包括：第1引出电极，位于所述前狭缝的下游，是抑制电极，以相对于接地电位成为负电位的方式被施加抑制电压；第2引出电极，位于所述第1引出电极的下游，是接地电极，与接地电位连接；以及绝缘结构，在所述第1引出电极与所述第2引出电极之间支承所述第1引出电极及所述第2引出电极，使所述第1引出电极与所述第2引出电极之间电绝缘，所述绝缘结构具备：第1端部；第2端部；轴部，连接所述第1端部与所述第2端部之间；及包围部，具有与所述
轴部的外表面对置的内表面，并从所述第1端部朝向所述第2端部延伸，所述轴部的所述外表面与所述包围部的所述内表面之间的间隙构成为与外部连通，所述第1端部、所述第2端部、所述轴部及所述包围部由电绝缘材料构成。
[0010]本专利技术的另一方式为离子注入装置。离子注入装置具备：离子生成装置；射束线装置，输送从所述离子生成装置引出的离子束；及注入处理室，将从所述射束线装置输出的离子束向工件注入，所述离子注入装置的特征在于，所述离子生产装置具备：电弧室，具有生成等离子体的等离子体生成室及前狭缝；和引出电极系列，具有经由所述前狭缝将在所述等离子体生成室生成的离子引出到电弧室外部，所述引出电极系列包括：第1引出电极，位于所述前狭缝的下游，是抑制电极，以相对于接地电位成为负电位的方式被施加抑制电压；第2引出电极，位于所述第1引出电极的下游，是接地电极，与接地电位连接；以及绝缘结构，在所述第1引出电极与所述第2引出电极之间支承所述第1引出电极及所述第2引出电极，使所述第1引出电极与所述第2引出电极之间电绝缘，所述绝缘结构具备：第1端部；第2端部；轴部，连接所述第1端部与所述第2端部之间；及包围部，具有与所述轴部的外表面对置的内表面，并从所述第1端部朝向所述第2端部延伸，所述轴部的所述外表面与所述包围部的所述内表面之间的间隙构成为与外部连通，所述第1端部、所述第2端部、所述轴部及所述包围部由电绝缘材料构成。
[0011]另外，在方法、装置、系统等之间相互置换以上构成要件的任意组合或本专利技术的构成要件或表述的方式，作为本专利技术的实施方式也同样有效。
[0012]专利技术效果
[0013]根据本专利技术的一方式，能够提供一种能够抑制由于污染物的附着而导致的绝缘性能的降低的绝缘结构。
附图说明
[0014]图1是表示实施方式所涉及的离子注入装置的概略结构的俯视图。
[0015]图2是表示图1的离子注入装置的概略结构的侧视图。
[0016]图3是概略地表示实施方式所涉及的离子生成装置的结构的图。
[0017]图4是详细地表示实施方式所涉及的绝缘结构的结构的剖视图。
[0018]图5是表示图4所示的绝缘体的外观的立体图。
[0019]图6是示意地表示利用层叠造型法来形成中间体的工序的图。
[0020]图7是示意地表示图4所示的绝缘体的另一结构例的剖视图。
[0021]图8是示意地表示接合图7的多个组件的工序的立体图。
[0022]图9是详细地表示变形例所涉及的绝缘体的结构的剖视图。
[0023]图10是详细地表示另一变形例所涉及的绝缘体的结构的剖视图。
[0024]图11是表示图10的第1组件的外观的侧视图。
[0025]图12是详细地表示又一变形例所涉及的绝缘体的结构的剖视图。
[0026]图中：74
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绝缘结构，80
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绝缘体，82
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第1端部，84
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第2端部，86
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轴部，88
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包围部，90
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间隙，92
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开口，94
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外表面，94a
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内侧凹部，94b
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内侧凸部，96
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内表面，96a
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外侧凸部，96b
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外侧凹部，120
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中间体，122
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主体部件，124
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支承部件。
具体实施方式
[0027]以下，参考附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。另外，在附图的说明中对相同的要件标注相同的符号，并适当省略重复说明。并且，以下叙述的结构为示例，对本专利技术的范围不做任何限定。
[0028]图1是概略地表示实施方式所涉及的离子注入装置10的俯视图，图2是表示离子注入装置10的概略结构的侧视图。离子注入装置10构成为对被处理物W的表面实施离子注入处理。被处理物W例如是基板，例如是半导体晶圆。为了便于说明，在本说明书中有时将被处理物W称为晶圆W，但这并不旨在将注入处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种绝缘结构，其特征在于，具备：第1端部；第2端部；轴部，连接所述第1端部与所述第2端部之间；及包围部，具有与所述轴部的外表面对置的内表面，并从所述第1端部朝向所述第2端部延伸，所述轴部的所述外表面与所述包围部的所述内表面之间的间隙构成为与外部连通，所述第1端部、所述第2端部、所述轴部及所述包围部由电绝缘材料构成。2.根据权利要求1所述的绝缘结构，其特征在于，所述间隙构成为具有无法从外部直接视觉辨认的部分。3.根据权利要求1或2所述的绝缘结构，其特征在于，所述轴部的所述外表面及所述包围部的所述内表面的至少一个具有凹部或凸部。4.根据权利要求3所述的绝缘结构，其特征在于，所述轴部的所述外表面具有凹部或凸部，所述包围部的所述内表面具有凹部或凸部。5.根据权利要求3所述的绝缘结构，其特征在于，所述包围部的所述内表面具有凸部及凹部的至少一个，所述凸部设置于与所述轴部的所述外表面的凹部对应的位置，所述凹部设置于与所述轴部的所述外表面的凸部对应的位置。6.根据权利要求3至5中任一项所述的绝缘结构，其特征在于，所述凹部或所述凸部沿周向或以螺旋状延伸。7.根据权利要求1至6中任一项所述的绝缘结构，其特征在于，所述包围部的外表面为圆筒面。8.根据权利要求1至7中任一项所述的绝缘结构，其特征在于，所述绝缘结构具有沿径向延伸的开口，所述间隙通过所述开口与外部连通。9.根据权利要求1至7中任一项所述的绝缘结构，其特征在于，所述包围部与所述第1端部连接，在所述包围部与所述第2端部之间设置有开口，所述间隙通过所述开口与外部连通。10.根据权利要求8或9所述的绝缘结构，其特征在于，所述开口构成为，开口宽度随着在径向上远离所述轴部而变大。11.根据权利要求8至10中任一项所述的绝缘结构，其特征在于，所述间隙构成为，随着远离所述开口，所述轴部的所述外表面与所述包围部的所述内表面之间的距离变小。12.根据权利要求1至11中任一项所述的绝缘结构，其特征在于，所述第1端部、所述第2端部、所述轴部及所述包围部由相同材料构成。13.根据权利要求1至12中任一项所述的绝缘结构，其特征在于，所述第1端部、所述第2端部、所述轴部及所述包围部由陶瓷材料或树脂材料构成。14.一种绝缘结构的制造方法，其特征在于，所述绝缘结构具备：第1端部；第2端部；轴部，连接所述第1端部与所述第2端部之间；及包围部，具有与所述轴部的外表面对置的内表面，并从所述第1端部朝向所述第2端部延伸，
所述轴部的所述外表面与所述包围部的所述内表面之间的间隙构成为与外部连通，由电绝缘材料形成所述第1端部、所述第2端部、所述轴部及所述包围部。15.根据权利要求14所述的绝缘结构的制造方法，其特征在于，利用层叠造型法来形成所述第1端部、所述第2端部、所述轴部及所述包围部的至少一部分。16.根据权利要求14或15所述的绝缘结构的制造方法，其特征在于，通过机械切削来形成所述第1端部、所述第2端部、所述轴部及所述包围部的至少一部分。17.根据权利要求14至16中任一项所述的绝缘结构的制造方法，其特征在于，包括：形成多个组件的工序，所述多个组件具备包含所述轴部的至少一部分的第1组件和包含所述包围部的至少一部分的第2组件；及接...

【专利技术属性】
技术研发人员：石田勇二，
申请(专利权)人：住友重机械离子科技株式会社，
类型：发明
国别省市：