离子生成装置及离子注入装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够稳定地生成高纯度的多价离子的离子生成装置。离子生成装置(10)具备：电弧室(50)，区划等离子体生成空间(S)；阴极(56)，朝向等离子体生成空间(S)释放热电子；及反射极(58)，隔着等离子体生成空间(S)而与阴极(56)相对置。电弧室(50)具有：箱形主体部(52)，其前表面(52g)开口；及狭缝部件(54)，安装在主体部(52)的前表面(52g)，且设置有用于引出离子的前狭缝(60)。暴露于等离子体生成空间(S)的主体部(52)的内表面(52a)由高熔点金属材料构成，暴露于等离子体生成空间(S)的狭缝部件(54)的内表面(54a)由石墨构成。

【技术实现步骤摘要】
离子生成装置及离子注入装置
本申请主张基于2019年3月18日申请的日本专利申请第2019-049842号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。本专利技术涉及一种离子生成装置及包含该离子生成装置的离子注入装置。
技术介绍
在半导体制造工序中，由于改变半导体的导电性、改变半导体的结晶结构的目的等，标准地实施向半导体晶片注入离子的工序。在该工序中使用的装置一般称为离子注入装置。这种离子注入装置中，通过具备旁热型阴极结构及电弧室的离子生成装置来生成离子。所生成的离子通过引出电极引出到电弧室之外。专利文献1：日本特开2001-227688号公报近年来，为了对晶片表面的较深区域进行离子注入，有时要求高能量离子束的生成。生成高能量离子束时，需要通过离子生成装置来生成多价离子，并利用直流加速机构或高频加速机构(例如线性加速机构)对多价离子进行加速。通过离子生成装置来生成足够量的多价离子时，需要更加增大电弧电压或电弧电流，电弧室的损耗或电弧室与引出电极之间的放电可能变得更加明显。在这种条件下，可能会产生由电弧室的损耗引本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子生成装置，其特征在于，具备：/n电弧室，区划等离子体生成空间；/n阴极，朝向所述等离子体生成空间释放热电子；及/n反射极，隔着所述等离子体生成空间而与所述阴极相对置，/n所述电弧室具有：箱形主体部，其前表面开口；及狭缝部件，安装在所述主体部的所述前表面，且设置有用于引出离子的前狭缝，/n暴露于所述等离子体生成空间的所述主体部的内表面由高熔点金属材料构成，暴露于所述等离子体生成空间的所述狭缝部件的内表面由石墨构成。/n

【技术特征摘要】
20190318 JP 2019-0498421.一种离子生成装置，其特征在于，具备：
电弧室，区划等离子体生成空间；
阴极，朝向所述等离子体生成空间释放热电子；及
反射极，隔着所述等离子体生成空间而与所述阴极相对置，
所述电弧室具有：箱形主体部，其前表面开口；及狭缝部件，安装在所述主体部的所述前表面，且设置有用于引出离子的前狭缝，
暴露于所述等离子体生成空间的所述主体部的内表面由高熔点金属材料构成，暴露于所述等离子体生成空间的所述狭缝部件的内表面由石墨构成。


2.根据权利要求1所述的离子生成装置，其特征在于，
所述阴极具有暴露于所述等离子体生成空间的阴极头，所述阴极头由比所述电弧室的所述主体部更高纯度的高熔点金属材料构成。


3.根据权利要求1或2所述的离子生成装置，其特征在于，
所述反射极具有暴露于所述等离子体生成空间的反射极头，所述反射极头由比所述电弧室的所述主体部更高纯度的高熔点金属材料构成。


4.根据权利要求2或3所述的离子生成装置，其特征在于，
所述高纯度的高熔点金属材料的高熔点金属元素的含有率为99.99重量％以上。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的离子生成装置，其特征在于，
暴露于所述电弧室的外侧的所述狭缝部件的外表面的至少一部分由高熔点金属材料构成。


6.根据权利要求5所述的离子生成装置，其特征在于，
所述狭缝部件的所述外表面除了所述前狭缝的附近以外由高熔点金属材料构成。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的离子生成装置，其特征在于，
所述狭缝部件具有由石墨构成的内侧部件及由高熔点金属材料构成的外侧部件，
在所述内侧部件设置有用于形成所述前狭缝的内侧开口，在所述外侧部件设置有用于形成所述前狭缝的外侧开口，
所述外侧开口的开口尺寸大于所述内侧开口的开口尺寸。


8.根据权利要求7所述的离子生成装置，其特征在于，
所述内侧部件具有设置在所述内侧开口的周缘的锥形面，以使开口尺寸从所述电弧室的内侧朝向外侧变大，
所述外侧开口的周缘设置在比使所述锥形面向所述电弧室的外侧延长而获得的假想面更远离所述前狭缝的中心的位置。


9.根据权利要求7或8所述的离子生成装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：越智秀太，
申请(专利权)人：住友重机械离子科技株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP