偏振板、液晶显示装置和有机电致发光显示装置。本发明的课题在于，提供即使暴露于高温和多湿的条件下也不发生漏光、进而抑制偏振片在反复高温和低温那样的环境下产生裂纹等外观不良的发生、薄壁且强度优异的偏振板。一种偏振板，其具有偏振片、保护膜和粘...

本发明提供一种偏振板，其是俯视下在外边缘部具有凹状部或在面内具有贯通孔的偏振板，该偏振板可抑制在进行加热处理后放置在大气中后产生的漏光。所述偏振板包含聚乙烯醇系树脂偏振片和设置于其一个面的第一热塑性树脂膜，第一热塑性树脂膜的吸水率为0....

本发明的锂二次电池用正极活性物质是在锂复合金属化合物的表面具备包含锂和铝的金属复合氧化物的包覆层的锂二次电池用正极活性物质，上述锂复合金属化合物由能够掺杂和脱掺杂锂离子的一次颗粒凝聚而成的二次颗粒形成，上述锂二次电池用正极活性物质至少含...

本发明能实现难以使隔膜产生缺陷的异物去除方法。本发明具备：磁棒(12)，其被配置在输送路径(11)上，并能产生磁场，以用于将附着于被输送的隔离膜(1)的第一面的磁性体从隔离膜(1)上剥离；以及气缸(17)，其能使相对于隔离膜(1)的第一...

本发明提供一种圆偏振板，是能够弯曲的显示装置中使用的圆偏振板(1)，其具备偏振片(2)、和配置于偏振片(2)的一侧的相位差层(RF)，偏振片(2)的可见度修正单体透射率为42％以上，相位差层(RF)包含1/2波长板(3)、和1/4波长板...

本发明的锂复合金属化合物是由组成式(I)表示的锂复合金属化合物，其中，当在使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定中将在由2θ＝18.7±1°的范围内显示衍射峰的微晶直径定义为L

本发明提供一种有机电致发光元件，其具备阳极、设于阳极上的发光层、设于发光层上的第1层、设于第1层上的第2层、和设于第2层上的阴极，第1层具有含有选自碱金属元素、碱土金属元素及稀土金属元素中的至少1种的有机金属络合物，第2层包含电子传输性...

本发明所解决的问题是提供具有高发光效率的发光元件。本发明提供了依次包括阴极、电子传输层、发光层和阳极的发光元件。所述发光元件还可以包括在阴极和电子传输层之间的电子注入层。电子传输层包含颗粒和非颗粒性电子传输材料；构成颗粒的材料对波长为5...

偏光膜的制造方法具有下述工序：图案化疏液层形成工序，在基材层的至少一面侧形成图案化疏液层，从而得到带有图案化疏液层的基材层；图案化取向层形成工序，得到具有图案化取向层的带有图案化取向层的基材层，所述图案化取向层是在带有图案化疏液层的基材...

偏光膜的制造方法具有下述工序：准备工序，准备在基材层的至少一面侧具有包含二色性色素的偏光层的层叠膜；保护层层叠工序，通过在层叠膜的偏光层上层叠具有用于被覆偏光层的被覆区域和用于使偏光层露出的露出区域的保护层，从而得到带有保护层的层叠膜；...

偏光膜具有液晶层。液晶层包含液晶化合物，并且具有根据可见度校正偏光度的值而被区分的至少2种区域。至少2种区域的二色性色素的含有率相互不同。

本发明提供一种涂布液，是包含含羟基树脂、无机层状化合物和液状介质的涂布液，5℃的涂布液的利用蔡恩杯测定的流出时间(B)与24℃的涂布液的利用蔡恩杯测定的流出时间(A)的比(流出时间(B)/流出时间(A))为1.40以下。

本发明涉及层叠体及其制造方法。本发明的课题在于提供防止导辊表面的伤痕经由支承体而转印至聚酰亚胺系膜表面的技术。本发明的解决手段在于提供下述层叠体及其制造方法，所述层叠体包含：具有第一面和第二面的支承体；形成于该支承体的第一面上的第一硬涂...

本发明提供一种能够减小比暗电流的光电转换元件。在包含阳极(12)、阴极(16)、以及设置于该阳极与该阴极之间的活性层(14)的光电转换元件(10)中，活性层包含带隙为0.5eV～1.58eV的p型半导体材料、以及n型半导体材料，该n型半...

要求提高光电转换元件的外量子效率。一种油墨，其包含p型半导体材料、n型半导体材料、作为含氮杂环式化合物的第1溶剂、以及作为芳香族烃的第2溶剂。光电转换元件中，活性层为油墨的固化膜。

本发明提供给出一种偏振板的光固化性粘接剂组合物，所述偏振板即使在裁切成规定尺寸的状态对其端部进行研磨，保护膜也不会在端部从偏振片剥离，具有良好密合性。所述光固化性粘接剂组合物包含以下的(A)和(B)。(A)包含下述式(I)所示的环氧化合...

本发明涉及一种颗粒混合物，其包含：液晶聚酯树脂组合物的颗粒和以有机材料为形成材料的微粉，所述液晶聚酯树脂组合物包含液晶聚酯树脂和无机填充材料，微粉的体积平均粒径为10μm以上且200μm以下，相对于颗粒混合物的总质量，微粉的含有率为10...

本发明降低暗电流。在包含阳极(12)、阴极(16)、以及设置于该阳极与该阴极之间的活性层(14)的光电转换元件(10)中，活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料，该p型半导体材料是聚苯乙烯换算重均分子量为40000以上200000以下...

本发明提高比探测率。在包含阳极(12)、阴极(16)、以及设置于该阳极与该阴极之间的活性层(14)的光电转换元件(10)中，活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料，该p型半导体材料是吸收峰波长为800nm以上的高分子化合物；活性层的厚...

相位差膜(1)依次包含基材层(11)、取向层(12)和包含至少1层相位差层(13)的含有相位差层的层。相位差层(13)具有：包含宽度方向的一个端部的第一端区域(13a)、以及在宽度方向上与第一端区域(13a)相邻的第一相邻区域(13c