光电转换元件及其制造方法技术

本发明专利技术提高比探测率。在包含阳极(12)、阴极(16)、以及设置于该阳极与该阴极之间的活性层(14)的光电转换元件(10)中，活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料，该p型半导体材料是吸收峰波长为800nm以上的高分子化合物；活性层的厚度为300nm以上且小于600nm。

Photoelectric conversion element and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电转换元件及其制造方法
本专利技术涉及光检测元件等光电转换元件及其制造方法。
技术介绍
光电转换元件从例如节省能源、降低二氧化碳排放量的方面出发是极为有用的器件，受到了人们的关注。光电转换元件是至少具备由阳极和阴极构成的一对电极、以及设置于该一对电极间的活性层的元件。光电转换元件中，由透明或半透明的材料构成任一个电极，使光从透明或半透明的电极侧入射到有机活性层。通过入射到有机活性层的光的能量(hν)，在有机活性层中生成电荷(空穴和电子)，所生成的空穴向阳极移动，电子向阴极移动。之后，到达了阳极和阴极的电荷被提取到元件的外部。光电转换元件被用作例如光检测元件。作为光检测元件使用的光电转换元件在被施加了电压的状态下使用，入射至元件的光经转换而以电流的形式被检出。但是，即使是在光未入射的状态下，光电转换元件中也有微弱的电流流通。该电流已知为暗电流，是使光检测的精度降低的主要原因。例如，为了实现暗电流的降低，已知进行了调查活性层的厚度与暗电流的关系的研究(参见非专利文献1)。现有技术文献r>非专利文献...

【技术保护点】
1.一种光电转换元件，其是包含阳极、阴极、以及设置于该阳极与该阴极之间的活性层的光电转换元件，所述光电转换元件中，/n所述活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料，所述p型半导体材料是吸收峰波长为800nm以上的高分子化合物，/n所述活性层的厚度为300nm以上且小于600nm。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171023 JP 2017-204182;20180717 JP 2018-1343851.一种光电转换元件，其是包含阳极、阴极、以及设置于该阳极与该阴极之间的活性层的光电转换元件，所述光电转换元件中，
所述活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料，所述p型半导体材料是吸收峰波长为800nm以上的高分子化合物，
所述活性层的厚度为300nm以上且小于600nm。


2.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述p型半导体材料的吸收峰波长为900nm以上2000nm以下。


3.如权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，所述活性层的厚度为350nm以上550nm以下。


4.如权利要求1～3中任一项所述的光电转换元件，其中，所述n型半导体材料为富勒烯衍生物。


5.如权利要求4所述的光电转换元件，其中，所述n型半导体材料为C60PCBM。


6.如权利要求1～5中任一项所述的光电转换元件，其中，所述p型半导体材料为包含含有噻吩骨架的结构单元的高分子化合物。

【专利技术属性】
技术研发人员：古川大祐，猪口大辅，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP