一种板状热电转换材料，其具有第一主表面和在所述第一主表面的相反侧的第二主表面，并且由彼此接触的多个半导体颗粒形成。所述半导体颗粒各自包含由含有非晶质相的半导体构成的粒子和覆盖所述粒子的氧化层。所述第一主表面与所述第二主表面之间的距离超过...

一种表面被覆切削工具，包括基材以及被覆所述基材的覆膜。所述覆膜包括含有以WC

一种表面被覆切削工具，包括基材以及被覆所述基材的覆膜。所述覆膜包括含有以WC

根据本发明实施方案的中空纤维膜具有：由一根或多根线状体形成的中空多孔支持体；层叠于所述支持体的外表面上的多孔接合层，所述多孔接合层的至少一部分熔接至所述支持体；以及层叠于所述接合层的与所述支持体相反侧的多孔过滤片，并且所述多孔过滤片的至...

一种蓄电池系统包括：与电网连接的蓄电池；以及第一电流传感器，该第一电流传感器被设置在联接蓄电池和电网的电路中并且检测该蓄电池系统的电路中的电流，该蓄电池系统具有与一个或多个发电机连接的电路。该蓄电池系统包括：第二电流传感器，该第二电流传...

一种超导线具有带状形状，并且包括超导层。对于超导线中具有1m的长度且4mm的宽度的单元区域，将温度从77K升高至300K所需的热量大于或等于200J且小于或等于500J。

可以成为使光纤缠绕至线轴的凸缘的边缘部附近的状态，同时在不增加作业工序的情况下抑制光纤的缠绕崩散。在将被覆有被覆树脂的光纤缠绕在线轴上的状态下，用不含增塑剂的树脂膜以直接接触的方式覆盖光纤的外周，从而保管光纤。

观察容器(10)对作为样品的液体样品(O)进行收容，该样品包含成为拍摄装置的拍摄部(30A)、(30B)所涉及的拍摄对象的微小粒子，该观察容器(10)具有由相互交叉的底壁(12A)(第1板部)和底壁(12B)(第2板部)构成的底部，具有...

提供了一种烧结体，该烧结体包含第一相和第二相，其中第一相由立方氮化硼颗粒构成，第二相由第一材料构成，第一材料为其中Al

本发明涉及碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。一种碳化硅单晶衬底(1)，其包括第一主表面(1a)、第二主表面(1b)和圆周边缘部(3)。第二主表面(1b)与第一主表面(1a)相反。圆周边缘部(3)连接第一主表面(1a)和第...

碳化硅衬底具有第一主面和第二主面，并由具有4H多型的碳化硅构成。第一主面的最大直径大于或等于150mm。所述第一主面对应于相对于{0001}面在<11‑20>方向上倾斜大于0°且小于或等于4°的面。所述碳化硅衬底的TTV小于...

一种硬合金包含：含有WC的第一硬质相颗粒，包含至少含有Ti和Nb的碳氮化物的第二硬质相颗粒，以及含有铁族元素的金属结合相。第二硬质相颗粒包括粒状的芯部和被覆芯部的至少一部分的周边部。芯部包含表示为Ti

一种具有复合材料的电极材料，该复合材料包括芯线和外皮，其中芯线由包含至少96质量％的Ni的镍基材料制成，外皮覆盖所述芯线的外周面并且不覆盖芯线的端面而是使端面露出。外皮由包含10质量％至30质量％的Cr和0.1质量％至6质量％的Al的镍...

本发明涉及一种马赫‑曾德尔调制器，其包括：第一电阻元件和第二电阻元件，其均具有第一接触区域和第二接触区域，第一电阻元件的第一接触区域和第二接触区域沿第一轴线的方向排列，第二电阻元件的第一接触区域和第二接触区域沿第二轴线的方向排列；共用导...

根据本发明的光斑尺寸变换器包括：支撑体，其包括主表面，主表面包括第一至第五区域；台面结构，其包括位于第一区域上的第一部分并包括位于第二至第四区域上的第二部分；以及埋入结构，其包括第一区和第二区，台面结构的第二部分的第一和第二侧表面分别埋...

本实施方案所述的制造方法等具有用于有效抑制母材拉丝时的突发性突增的产生的构造。为了调整母材中心部分的残留He浓度，将烧结后且碱金属添加前的具有预定外径的透明玻璃棒在不含He的气氛中按照参照实际结果数据所决定的退火时间来退火，其中所述实际...

一种交换装置通过车载网络对数据进行中继，并且包括多个通信端口、检测部分、和处理部分。检测部分检测与连接至所述通信端口中之一的另一交换装置的通信何时发生了故障。当检测部分检测到通信故障时，处理部分将故障信息发送至不是所述另一交换装置的目标...

一种半绝缘性化合物半导体基板，其包含半绝缘性化合物半导体，所述半绝缘性化合物半导体基板被构造为：在具有(100)的面取向的主面上，沿从所述主面的中心起的<110>方向的四个等效方向以0.1mm间隔测量的比电阻的标准偏差/平均...

一种斜圈弹簧，其具有：由具有珠光体结构的钢形成的芯线10；和由铜或铜合金形成并覆盖所述芯线10的外周表面11的铜镀层20。所述钢含有0.5质量％以上且1.0质量％以下的碳、0.1质量％以上且2.5质量％以下的硅和0.3质量％以上且0.9...

本发明提供一种氧化物烧结材料及其制造方法以及氧化物半导体膜。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn，包含In