碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法技术

本发明专利技术涉及碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。一种碳化硅单晶衬底(1)，其包括第一主表面(1a)、第二主表面(1b)和圆周边缘部(3)。第二主表面(1b)与第一主表面(1a)相反。圆周边缘部(3)连接第一主表面(1a)和第二主表面(1b)。当沿着与第一主表面(1a)垂直的方向观察时，圆周边缘部(3)具有：直线形的定向平面部(OF1)，具有第一半径(R1)的第一圆弧部(A1)，和连接定向平面部(OF1)和第一圆弧部(A1)并具有小于第一半径(R1)的第二半径(R2)的第二圆弧部(A2)。提供了一种能够抑制在碳化硅外延膜的表面中的级差的发生的碳化硅单晶衬底、及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。

Silicon carbide single crystal substrate and method for manufacturing the silicon carbide single crystal substrate

【技术实现步骤摘要】
碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法本申请是申请日为2015年6月24日、申请人为“住友电气工业株式会社”、申请号为201580047727.8、专利技术名称为“碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开涉及碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。
技术介绍
近年来，为了在半导体装置中实现高击穿电压和低损耗等，开始采用碳化硅作为构成半导体装置的材料。例如，日本特开2013-89937号公报(专利文献1)描述了包括：准备由单晶碳化硅构成的晶锭，通过对晶锭进行切片而得到碳化硅衬底，并且对碳化硅衬底的表面进行研磨。引文列表专利文献专利文献1：日本特开2013-89937号公报
技术实现思路
技术问题当在碳化硅单晶衬底上形成碳化硅外延膜时，在碳化硅外延膜的表面中可能发生级差(滑移)。本公开的目的是提供一种能够抑制碳化硅外延膜的表面中的级差的发生的碳化硅单晶衬底、及其制造方法。技术方案根据本公开的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅单晶衬底，包括：/n第一主表面；/n与所述第一主表面相反的第二主表面；和/n连接所述第一主表面和所述第二主表面的圆周边缘部，/n当沿着垂直于所述第一主表面的方向观察时，所述圆周边缘部具有：直线形的定向平面部，具有第一半径的第一圆弧部，以及连接所述定向平面部和所述第一圆弧部并具有小于所述第一半径的第二半径的第二圆弧部，/n其中，/n构成所述碳化硅单晶衬底的材料是六方晶系碳化硅，/n当从所述碳化硅单晶衬底的重心观察时，所述定向平面部位于[1-100]方向，以及/n当从所述重心观察时，所述第二圆弧部位于[11-20]方向。/n

【技术特征摘要】
20140908 JP 2014-1822921.一种碳化硅单晶衬底，包括：
第一主表面；
与所述第一主表面相反的第二主表面；和
连接所述第一主表面和所述第二主表面的圆周边缘部，
当沿着垂直于所述第一主表面的方向观察时，所述圆周边缘部具有：直线形的定向平面部，具有第一半径的第一圆弧部，以及连接所述定向平面部和所述第一圆弧部并具有小于所述第一半径的第二半径的第二圆弧部，
其中，
构成所述碳化硅单晶衬底的材料是六方晶系碳化硅，
当从所述碳化硅单晶衬底的重心观察时，所述定向平面部位于[1-100]方向，以及
当从所述重心观察时，所述第二圆弧部位于[11-20]方向。


2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶衬底，其中，
所述第二半径大于或等于50μm且小于或等于500μm。


3.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶衬底，其中，
所述第一主表面具有大于或等于100mm且小于或等于200mm的最大直径。


4.一种用于制造碳化硅单晶衬底的方法，包括：
制备碳化硅单晶衬底，所述碳化硅单晶衬底具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：冲田恭子，本家翼，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP