氧化物烧结材料和制造所述氧化物烧结材料的方法、溅射靶、氧化物半导体膜和制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术提供一种氧化物烧结材料及其制造方法以及氧化物半导体膜。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn，包含In

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化物烧结材料和制造所述氧化物烧结材料的方法、溅射靶、氧化物半导体膜和制造半导体器件的方法
本专利技术涉及氧化物烧结材料和制造所述氧化物烧结材料的方法、溅射靶、氧化物半导体膜和制造半导体器件的方法。本申请要求于2017年5月16日提交的日本专利申请第2017-097405号和于2017年12月4日提交的国际申请PCT/JP2017/043425的优先权的权益，并通过参考将所述日本专利申请和国际申请的全部内容并入本文中。
技术介绍
常规地，非晶硅(a-Si)膜主要用作在液晶显示装置、薄膜EL(电致发光)显示装置、有机EL显示装置等中作为半导体器件如TFT(薄膜晶体管)的沟道层的半导体膜。近年来，作为替代a-Si的材料，人们的关注集中在含有铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的复合氧化物即In-Ga-Zn基复合氧化物(也称为“IGZO”)。预期这种IGZO基氧化物半导体具有比a-Si更高的载流子迁移率。例如，日本特开2008-199005号公报(专利文献1)公开了使用氧化物烧结材料作为靶通过溅射法而形成主要由IGZO构成的氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含有铟、钨和锌的氧化物烧结材料，其中/n所述氧化物烧结材料包含In

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170516 JP 2017-097405;20171204 JP PCT/JP2017/0431.一种含有铟、钨和锌的氧化物烧结材料，其中
所述氧化物烧结材料包含In2O3晶相和In2(ZnO)mO3晶相(m表示自然数)，并且
在所述氧化物烧结材料中与铟原子配位的平均氧原子数为3以上且小于5.5。


2.根据权利要求1所述的氧化物烧结材料，其中
所述In2O3晶相的含量为10质量％以上且小于98质量％。


3.根据权利要求1或2所述的氧化物烧结材料，其中
所述In2(ZnO)mO3晶相的含量为1质量％以上且小于90质量％。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的氧化物烧结材料，其中
所述氧化物烧结材料还包含ZnWO4晶相。


5.根据权利要求4所述的氧化物烧结材料，其中
所述ZnWO4晶相的含量为0.1质量％以上且小于10质量％。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的氧化物烧结材料，其中
在所述氧化物烧结材料中相对于铟、钨和锌的总含量的钨的含量为大于0.01原子％且小于20原子％。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的氧化物烧结材料，其中
在所述氧化物烧结材料中相对于铟、钨和锌的总含量的锌的含量为大于1.2原子％且小于60原子％。


8.根据权利要求1～7中任一项所述的氧化物烧结材料，其中
在所述氧化物烧结材料中锌的含量对钨的含量之比按原子比计为大于1且小于20000。


9.根据权利要求1～8中任一项所述的氧化物烧结材料，其中
所述氧化物烧结材料还含有锆，并且
在所述氧化物烧结材料中相对于铟、钨、锌和锆的总含量的锆的含量按原子比计为...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫永美纪，绵谷研一，粟田英章，富永爱子，德田一弥，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP