一种可以采用各种各样的基质生产出没有裂纹的高质量Ⅲ－Ⅴ族晶体的方法，该方法成本低而且容易简单。一种生产Ⅲ－Ⅴ族晶体的方法，其特征在于包括：在基质上（１）沉积金属膜（２）的步骤；在含有形成图案的化合物的气氛下热处理金属膜（２）的步骤；以及...

提供一种波长变换器，备有即使激励光波长和零色散波长的差增大，也能生成大功率的变换光的结构。该波长变换器包含例如对于波长１５５０ｎｍ具有绝对值≤０．０１ｐｓ／ｎｍ↑［２］／ｋｍ的色散斜率的光纤。

一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让ＧａＮ凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区Ｈ，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区Ｈ周围的单晶低变位伴随区Ｚ与单晶低变位剩余区Ｙ的低...

本发明目的是提供发光元件安装用构件以及使用该构件的半导体装置，所述发光元件安装用构件以及使用该构件的半导体装置易于加工，并且可以进行充分散热。发光元件安装用构件２００包括如下配置：基材２，其包括安装半导体发光元件１的元件安装表面２ａ以及...

本发明提供一种光放大用光纤，该光放大用光纤不仅可以实现增加输出光强度，而且可以充分抑制非线性光学现象的发生。另外，本发明还提供其中采用该光放大用光纤的光放大器和光源装置。光放大用光纤包括：（１）芯区，该芯区掺杂有按重量计为１％到１０％范...

提供氮化物半导体基板的制造方法和基板，能够不从集结位错的部分再次释放位错，位错终结部以外的部分为低位错密度，扩展低位错的部分的面积。在衬底基板上附加覆盖部（γ）形成闭合曲线的掩模，使氮化物半导体气相生长，在露出部（∏）上形成被小面围住的...

在该氮化物半导体基板的加工方法中，首先，准备圆盘状的氮化物半导体基板（２０），其具备多个条纹区域（１２），该多个条纹区域（１２）由晶体缺陷密度高于周围的单晶体区域（１４）的缺陷集中区域构成。接着，以条纹区域（１２）延伸的方向（ＳＴ）为基...

一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基Ⅲ－Ⅴ化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基Ⅲ－Ⅴ化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第...

一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基Ⅲ－Ⅴ化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基Ⅲ－Ⅴ化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第...

一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基Ⅲ－Ⅴ化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基Ⅲ－Ⅴ化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第...

提供一种制造Ⅲ族氮化物半导体晶体的方法，包括下列步骤：在反应器（１）中容纳至少含有Ⅲ族金属元素和碱金属元素的合金（１１）；向所述反应器（１）中导入含氮物质（１４）；在其中所述合金（１１）熔融的合金熔融液（１３）中溶解含氮物质（１４）；和...

一种第Ⅲ族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室（１１０）中引入ＨＣｌ气体（１）而清洁反应室（１１０）的内部，以及第Ⅲ族氮化物晶体物质在清洁的反应室（１１０）中气相沉积。一种第Ⅲ族氮化物晶体物质的制造装置包括：将ＨＣｌ气体（...

一种半导体激光器件（１），包括：具有主面（３ａ）的衬底（３）；在其中主面（３ａ）延伸的方向上具有在衬底（３）上形成的氮化镓外延层（２ａ）和低折射率材料（２ｂ）的光子晶体层（７），该低折射率材料（２ｂ）具有低于外延层（２ａ）的折射率；衬底...

一种可以采用各种各样的基质生产出没有裂纹的高质量Ⅲ－Ⅴ族晶体的方法，该方法成本低而且容易简单。一种生产Ⅲ－Ⅴ族晶体的方法，其特征在于包括：在基质上（１）沉积金属膜（２）的步骤；在含有形成图案的化合物的气氛下热处理金属膜（２）的步骤；以及...

本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底（Ｕ）上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模（Ｍ）的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模（Ｍ）的地衬底（Ｕ）上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模（Ｍ）外围朝着内...

提供一种半导体用氮化物衬底的制备方法及氮化物半导体衬底，在通过使用气相沉积在基础杂衬底上生成ＧａＮ层，然后除去基础衬底而制备的独立ＧａＮ膜中，由于层与基础在热膨胀系数和晶格常数方面的差异，翘曲将会高达±４０μｍ至±１００μｍ。由于有此翘...

本发明提供一种用以将光学发送／接收模块与电路板相连接的方法，以有效减少单纤双向光学发送／接收装置中的电学串扰。该光学发送／接收装置包括光学发送／接收模块以及其上安装有电子器件的电路板，该光学发送／接收模块包括：具有内置发光器件的至少一个...

ＧａＮ衬底、带外延层的衬底、半导体器件及ＧａＮ衬底制造方法。提供一种ＧａＮ衬底，由该ＧａＮ衬底可以制造增强发射效率的发光及半导体器件，提供其中在ＧａＮ衬底主表面上形成外延层的外延衬底、半导体器件以及制造ＧａＮ衬底的方法。该ＧａＮ衬底是具...

ＧａＮ衬底、带外延层的衬底、半导体器件及ＧａＮ衬底制造方法。提供一种具有两英寸或更大的大直径的ＧａＮ衬底、具有在ＧａＮ衬底上形成的外延层的衬底、半导体器件以及制造该ＧａＮ衬底的方法，通过该ＧａＮ衬底，可以在工业上以低成本得到半导体器件，...

含有光子晶体构造的半导体激光器的制造方法，上述光子晶体构造具有空孔的排列，在该方法中，将基板（Ｗ２）设置在生长炉（１３）中，使载气（氮）流动的同时，将生长炉（１３）的温度上升到生长温度Ｔ↓［Ｇ］。在升温过程中，形成了图案的ＩｎＧａＮ层（...