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住友电气工业株式会社专利技术
住友电气工业株式会社共有5332项专利
多相超导电缆的分相结构制造技术
本发明公开了一种超导电缆的分相结构,其包括三根电缆芯线(102),每一电缆芯线具有设置在超导体周围的屏蔽层(203);分线盒(1),其中放置了从将所述三根电缆芯线(102)装配到电缆中的装配部延伸的三根电缆芯线(102),并使电缆芯线(...
通信电缆以及通信线用保护管制造技术
一种通信电缆,用由2层或2层以上的合成树脂层构成的蒙皮、以松散的状态保护通信线,其特征是:上述蒙皮的最硬的硬质树脂层具有到达内径面的环切状或螺旋状的沿长度方向连续的环状槽,用由比上述硬质树脂层软的树脂构成的保护层来制成上述蒙皮的最外层,...
超导电缆的接线部制造技术
一种超导电缆的中间接线部,用于连接超导电缆,每根超导电缆具有线圈架、超导体和绝缘层。通过使连接套圈装配在形成邻接的各线圈架的端部上、以连接套圈的外径等于线圈架的外径的方式压缩连接线圈架、然后彼此连接与连接套圈的外侧形成邻接的超导体同时使...
多相超导电缆的终端结构制造技术
本发明提供一种多相超导电缆的终端结构,该终端结构设置在多相超导电缆的端部和室温侧之间,所述终端结构包括具有多个超导层的多相超导电缆,所述超导层通过导体绝缘层同心设置并传导具有不同相位的电流;用于冷却所述超导层的端部的充满制冷剂的制冷剂盒...
超导电缆的连接结构制造技术
提供一种超导电缆的连接结构,包括:接线盒,其容纳具有超导导体的超导电缆的端部;冷却剂,其充满该接线盒以冷却所述端部;以及压力调节部,其设在接线盒内,并能够通过根据接线盒内的压力变化而改变形状,从而调节压力。
超导电缆的终端结构制造技术
一种超导电缆(100)的终端结构,超导电缆的终端构件通过套管(10)从低温侧延伸到室温侧,其中 该终端结构包括低温侧中的冷却所述套管的制冷剂槽(11), 所述制冷剂槽(11)包括气态制冷剂层(14)和液态制冷剂层(13),及...
超导电缆接合结构制造技术
本发明公开了一种超导电缆接合结构(52,54),用于将在低温下使用的超导电缆(100)接合在一起,或者将所述超导电缆(100)的端子与普通的传导电缆(33)接合在一起,这种结构包括:一个接合绝缘层(20),其被径向设置在用于将超导电缆中...
超导设备的能量引出结构制造技术
一种用于超导设备的电能馈送结构,该电能馈送结构用来在低温侧和室温侧之间输入/输出电能,包括冷却剂容器,包含在超导设备中设置的超导部分,真空隔热容器,被布置为围绕冷却剂容器的外周边,以及包括馈送导体部件,具有布置在室温侧中的一端和具有连接...
构造超导电缆的普通接点结构的方法技术
提供一种构造用于连接超导电缆的普通接点结构的方法,该超导电缆具有电缆芯和沿着该电缆芯设置的光纤。该方法包括下列步骤:从将被连接在一起的两个超导电缆中的每一个的端部拉出光纤,并且将这样拉出的光纤接合;一旦完成接合就将拉出的光纤的额外长度返...
超导设备的低温装置制造方法及图纸
本发明提供了一种有着优良装配工作性能的超导设备的低温装置和一种包含该低温装置的超导电缆的终端结构。该超导电缆的终端结构包括设置在低温侧的超导电缆的终端,用来在低温侧和室温侧之间连通电力的套管(10),连接电缆的终端和套管(10)的连接部...
用于超导电缆的密封端结构制造技术
本发明提供一种用于超导电缆的密封端结构。该结构通过套管在正常温度侧和低温侧之间进行电力的输出和输入,并且超导电缆的端部设置在其中。密封端结构在低温侧具有用于冷却套管的冷却剂容器。冷却剂容器具有充满液体冷却剂的液体冷却剂区域和充满气体冷却...
用来组装超导电缆的连接部分的方法技术
本发明提供一种形成超导电缆连接部的方法,通过该方法能减小连接部的外径。一种组装超导电缆连接部以在包括热绝缘管(100)和容纳在热绝缘管(100)内的电缆芯(200)的超导电缆的一端形成连接部的方法,该方法包括以下步骤:保持热绝缘管使电缆...
结合光纤的水下电缆制造技术
一种结合较长尺寸水下装置的光纤包含安排在诸如电力电缆或供水管道之类较长尺寸水下装置芯体周边上备置的塑料护套内面或外面的光纤。每一光纤组合件包括接纳在其周边有涂层的金属管中的一根光纤,所述涂层由其熔点高于塑料护套材料的熔点的合成树脂材料制...
半导体发光元件制造技术
本发明提供半导体发光元件及制作半导体发光元件的方法。半导体发光元件(1)具备:发光区域(3)、第1Al↓[X1]Ga↓[1-X1]N半导体(0≤X1≤1)层(5)、第2Al↓[X2]Ga↓[1-X2]N半导体(0≤X2≤1)层(7)。该...
氮化物半导体发光元件制造技术
本发明的氮化物半导体发光元件11产生包含紫外线区域的波长成分的光。该氮化物半导体发光元件11,具有包含In↓[X1]Al↓[Y1]Ga↓[1-X1-Y1]N阱层13(1>X1>0、1>Y1>0)及In↓[X2]Al↓[Y2]Ga↓[1-...
制造GaN衬底、外延晶片和半导体器件的方法以及外延晶片技术
本发明涉及制造GaN衬底、外延晶片和半导体器件的方法以及外延晶片。假定r(m)表示GaN衬底(10)的半径,t1(m)表示GaN衬底的厚度,h1(m)表示在形成外延晶片(20)之前的GaN衬底(10)的翘曲,t2(m)表示Al↓[x]G...
GaAs半导体衬底、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及制造方法技术
本发明涉及GaAs半导体衬底及其制造方法,还涉及包括GaAs半导体衬底的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法。所述GaAs半导体衬底包括相对于(100)面(10a)具有6°~16°倾斜角的主表面(10m),在该主表面(10m)上的氯原子...
光纤衍射光栅制造技术
一种光纤衍射光栅,它的特征是,包括:具有芯折射率沿光轴方向变化的衍射光栅部的在使用温度范围内热膨胀系数为正的光纤;由以同心圆形式包围上述衍射光栅部所形成的光纤且在使用温度范围内的热膨胀系数为负的液晶高分子材料组成的第一包层部。
光放大用光纤及其制造方法技术
本发明涉及具备用来在更宽的波段中实现平坦的增益特性或振荡特性的构造的光放大用光纤及其制造方法。本发明的光放大用光纤,具备含有光轴中心的第1掺杂区,和具有比该第1掺杂区还大的外径的第2掺杂区。作为具有与构成该光放大用光纤的主材料的阳离子的...
光放大用光纤和光纤放大器制造技术
一种放大1.58μm带的信号光而使用的至少在纤芯区域(11)中添加了Er的光放大用光纤(1),其特征在于:该纤芯区域(11)的至少一部分由与Er一起共同添加了Ge、Al的石英玻璃构成,该纤芯区域(11)中的平均Er原子浓度大于950wt...
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