本发明涉及ＯＥＡ，它有高的信号放大效率，容易制造，有高的机械强度，有与其他光纤低的接头损耗，以及在信号波长中不大可能出现噪声。按照本发明的ＯＦＡ有这样的功能，通过给该光纤提供泵浦光，它放大传播通过该光纤的信号；用于光放大器的光纤至少包括...

滤光器（１４０）具有损失谱，致使损失Ｌ（ｄＢ）对波长λ（ｎｍ）的斜率ｄＬ／ｄλ在多重信号光的波长范围内是可变的。控制回路（１５０）检测靠光耦合器（１３０）分支的信号光的功率，基于所检测的输入信号光的功率来控制从抽运光源（１２１、１２２）...

一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让ＧａＮ凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区Ｈ，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区Ｈ周围的单晶低变位伴随区Ｚ与单晶低变位剩余区Ｙ的低...

一种单晶氮化镓长晶方法，在衬底基板上有规律地设条纹图案，在其长形成凹凸面构成的Ｖ沟（谷）并加以维持，同时让ＧａＮ凹凸生长，凹凸面构成的Ｖ沟（谷）底部形成缺陷集合区Ｈ，将变位集结于此，实现其周围的低缺陷单晶区Ｚ与Ｃ面生长区Ｙ的低变位化。克...

一个ＩＩ－ＶＩ化合物半导体热处理工艺能降低电阻率却不会因晶格位错密度的增大而导致结晶率下降。该工艺包括以下步骤：（ａ）、让至少一个ＩＩ－ＶＩ化合物半导体在具有由从一个组中选出的至少一种物质形成的内表面的热处理主中与铝接触，该组由热解天生...

一种白色发光元件，包括发生３４０～４００ｎｍ紫外光的ＩｎＧａＮ－ＬＥＤ，含有１×１０＃＋［１７］ｃｍ＃＋［－３］以上浓度的Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｌ、Ｂｒ和Ｉ中任何杂质元素、吸收ＩｎＧａＮ－ＬＥＤ的紫外光发射蓝色光荧光的块状ＺｎＳ第一荧光板...

本发明的ＧａＮ单晶基底１１具有通过在至少含氨气的混合气氛中在基底温度至少是１０２０℃的条件下热处理至少１０分钟后平整的抛光表面。结果是将因为抛光而形成有大量微小缺陷的基底１１表面中的原子重排，从而平整基底１１表面。因此可以使形成于基底１...

一种光半导体模块，其中电子冷却元件和底板之间的接合面积与封壳底板面积之比增加，于是即使在封壳底板面积相同时，也可以增加电子冷却元件的吸热率。封壳（１１）包括安装在其上的多个分开的电子冷却元件（１６）。分开的电子冷却元件（１６）插入陶瓷接...

一种ＧａＮ单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在ＧａＡｓ衬底２上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗１０的屏蔽层８；和外延层生成工序，在屏蔽层８上，生长由ＧａＮ构成的外延层１２。

一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基Ⅲ－Ⅴ化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基Ⅲ－Ⅴ化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第...

本发明提供了一种能够延长寿命的ＺｎＳｅ基发光装置。此发光装置在化合物半导体上形成，它包括安置在ｎ－型ＺｎＭｇＳＳｅ覆盖层（３）和ｐ－型ＺｎＭｇＳＳｅ覆盖层（５）之间的有源层（４），并具有阻挡层（１１），其带隙大于ｐ－型ＺｎＭｇＳＳｅ覆盖...

一种半导体光学装置包括超晶格接触半导体区和金属电极。超晶格接触半导体区具有超晶格结构。超晶格接触半导体区包括Ⅱ－Ⅵ化合物半导体区和Ⅱ－Ⅵ化合物半导体层。Ⅱ－Ⅵ化合物半导体区含有锌、硒和碲，Ⅱ－Ⅵ化合物半导体层含有锌和硒。金属电极在所述超...

在通过使用气相沉积在基础杂衬底上生成ＧａＮ层，然后除去基础衬底而制备的独立ＧａＮ膜中，由于层与基础在热膨胀系数和晶格常数方面的差异，翘曲将会高达±４０μｍ至±１００μｍ。由于有此翘曲，通过光刻法制备器件是有挑战性的，将翘曲降低至＋３０μ...

本发明提供了具有大范围晶体生长速率的第Ⅲ族氮化物晶体，它们的制备方法，和制备这种第Ⅲ族氮化物晶体的设备。制备方法包括：在反应容器（２１）中，围绕晶种（２）形成包含至少一种第Ⅲ族元素和一种催化剂的熔体（１）的熔体形成步骤；和将含氮物质（３...

一种能够可靠地将半导体发光器件安置于其上的次载具和与所述次载具相结合的半导体组件。次载具３包括（ａ）次载具衬底４；以及（ｂ）形成在次载具衬底４上表面４ｆ上的焊料层８。焊料层８在熔化之前的表面粗糙度Ｒａ最大为０．１８μｍ。优选焊料层８在熔...

本发明提供一种制备ＧａＮ晶体衬底的方法，该方法抑制在ＧａＮ晶体生长中的凹坑尺寸的增大以便制备具有高的衬底获得率的ＧａＮ晶体衬底。该制备ＧａＮ晶体衬底的方法包括通过气相生长技术在生长衬底（１）上生长ＧａＮ晶体（４）的步骤，所述ＧａＮ晶体衬...

提供一种激光二极管驱动电路，设置由电源、激光二极管、第一晶体管（ＦＥＴ１）至地的第一电流路径（Ｐ１）和由电源、电阻（Ｒ）、第二晶体管（ＦＥＴ２）至地的第二电流路径（Ｐ２），向所述第一晶体管（ＦＥＴ１）及第二晶体管（ＦＥＴ２）供给用于分别...

半导体元件（１）包含具有量子井结构的活性区域（３）。活性区域（３）包含井区域（５）和阻挡区域（７）。井区域（５）由含有氮、铟和镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体组成。阻挡区域（７ａ）具有第一半导体层（９ａ）和第二半导体层（１１ａ）。第一半导体层（...

本发明提供了一种副支架，其使得半导体发光元件以较高的粘合强度连接。一个副支架３装有基板３和在基板的初级表面４ｆ上形成的焊接剂层８。焊接剂层８的密度至少为焊接剂层８所用材料的理论密度的５０％且不大于９９．９％。焊接剂层８含有至少一种下列组...

一种在光输出面上具有光衍射膜的光发射器件，其特征在于：　　　　该衍射膜包括一个透明ＤＬＣ层；并且，　　　　该ＤＬＣ层包括一个衍射光栅，该衍射光栅包含具有相对较高折射率的局部区域和具有相对较低折射率的局部区域。