氮化物半导体基板及其制造方法技术

提供氮化物半导体基板的制造方法和基板，能够不从集结位错的部分再次释放位错，位错终结部以外的部分为低位错密度，扩展低位错的部分的面积。在衬底基板上附加覆盖部（γ）形成闭合曲线的掩模，使氮化物半导体气相生长，在露出部（∏）上形成被小面围住的凸型的小面丘，将形成露出部（∏）的轮廓线的覆盖部（γ）作为凹部，在维持露出部（∏）的小面丘和覆盖部（γ）的凹部的同时使其结晶生长，靠小面的作用向外侧驱赶位错，使其向轮廓线即覆盖部（γ）集结，在覆盖部（γ）上生成缺陷集合区域（Ｈ），在露出部（∏）上小面下形成低缺陷单晶区域（Ｚ）。在制作成器件后，可用加热的ＫＯＨ、ＮａＯＨ溶化缺陷集合区域（Ｈ），分离成多角形芯片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的目的是提供一种具有规则正确地纵横分散一定形状的低缺陷单晶区域，用网状的缺陷集合区域覆盖这些低缺陷单晶区域的之间的结构的。半导体基板是用于在其上制作元器件的基础元件。通常希望在整面上组成、结构都均匀相同，可是本专利技术提供一种虽是半导体基板，但其组成结构都可根据部位不同的、不均匀的半导体基板。此点与通常的半导体基板不同。所谓的氮化物半导体，指的是氮化镓GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN等。也称为3-5族氮化物半导体。所谓基板是在制作元件时作为衬底的基板，也称为晶片。采用GaN、InGaN的发光元件，作为蓝色LED、蓝色LD开始实用化。以往的蓝色元件的基板采用蓝宝石单晶。蓝宝石能够容易生长单晶，容易得到，廉价，在物理化学上稳定，能够在其上生长GaN、InGaN、AlGaN薄膜。与这些氮化物的基因巧合好。适合作为蓝色发光元件的基板。因此，通过在蓝宝石基板上气相生长(MOCVD法等)薄的GaN、InGaN、AlGaN等薄膜，能够制作发光元件。虽然位错密度(EPD)很多都在1010cm-2的程度，但也不因此而劣化。可大量生产使用如此的蓝色发光元件。但是蓝宝石无劈开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体基板，其特征是，具有表面和背面，并包括：缺陷集合区域（Ｈ），其以宽度（Ｔ’）的网状重复连续设置，由横向闭合曲线即边界（Ｋ、Ｋ）隔开，集合从表面向背面贯通的缺陷；低缺陷单晶区域（Ｚ），其被形成闭合曲线的缺陷集合区域（Ｈ）的边界（Ｋ）包围，为低缺陷的单晶，从表面达到背面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：上松康二，佐藤史隆，弘田龙，中畑成二，中幡英章，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]