以低消耗电力且简单的结构提供防止产生结露进而使冷库内的温度均匀化的试剂冷库。具有设置于试剂冷库(103)的外壁的内部且使制冷剂在该外壁的内部流通的制冷剂配管、设置于外壁的内部且将存在于试剂冷库的外部的外部气体向试剂冷库的内部引导的送风管...

提高分析装置的性能且使维护变得容易。光源具备并列配置的发出紫外光的第一LED2u和发光光谱与第一LED不同的第二LED2w、与第一LED对置来反射第一LED的光的反射面(3r)以及与第二LED对置来反射第一LED的光并使第二LED的光透...

为了能不仅解决蚀刻处理的面内均匀性还解决充电损坏的减低这样的课题而进行自由度高的等离子密度分布控制，等离子处理装置在内部具备对基板进行等离子处理的等离子处理室，并具备：能将该等离子处理室的内部排气成真空的真空腔；和具备微波源和圆形波导管...

等离子处理装置具备：在内部具备对基板进行等离子处理的等离子处理室并能将该等离子处理室的内部排气成真空的真空室；和对该真空室经由圆形波导管提供微波电力的微波电力提供部，在这样的等离子处理装置中，真空室具备：与圆形波导管连接并接受从圆形波导...

本发明的自动分析系统中，传送线(104)和多个分注线(209、309)配置成彼此不平行，并且夹着样本支架分配模块(100)进行配置的分析模块(200、300)的装置布局相对于通过待机盘(106)的旋转中心的直线(100A)成为线对称。由...

一种真空处理装置，包括：处理单元，包括：设置在真空容器中的处理室；检测器，使用来自晶片的光在处理晶片期间检测晶片上的对象膜的厚度或终点，该检测器通过将预先获得的数据模式与真实数据模式进行比较来检测厚度或终点，预先获得的数据模式指示与膜厚...

为了识别来自多个发光点的多种荧光体的发光，在分别在多个波段对来自各发光点的荧光进行检测的分析方法以及分析装置中，在多个发光点以及多个波段的信号强度之间存在空间串扰以及光谱串扰，上述识别的性能降低。通过向预先确定的运算式输入多个发光点各自...

为了提供使晶片的处理的成品率得到提升的等离子处理装置或等离子处理方法，具备：处理室，其配置于真空容器内部，在内侧配置处理对象的晶片并形成等离子；具有圆筒形的样品台，其配置于该处理室内，在上表面载置所述晶片；多个加热器，其配置于所述样品台...

本发明提供一种能够简化保持部的控制的自动分析装置，所述保持部保持接近位置固定的吸引喷嘴的多个容器并进行旋转及升降。为此，所述自动分析装置具备：吸引喷嘴，其位置固定且吸引反应液、试剂；以及保持部，其保持收容有所述反应液、所述试剂的多个容器...

本发明的目的在于提供一种自动分析装置，提高了分析精度和每单位空间的分析处理能力。因此，本发明是一种自动分析装置，其具备：试剂容器，其上方开口；第一臂，其以第一轴为中心旋转，前端进入所述试剂容器的上方；以及第二臂，其以第二轴为中心旋转，前...

在假设有多个污染因素的分注机构、反应容器中，避免转移并维持分析性能。包括：具备将样品或试剂分注到反应容器中的探针的分注机构；由将探针充分清洗的清洗机构等构成的自动分析部(100)；以及控制部(124)，控制部包括：对表示根据多个分析条件...

为了提供一种能够在同一平面内配置用于接近同一位置的直线移动部和旋转移动部的自动分析装置，本发明的自动分析装置的特征在于，包括用于通过直线移动接近接入点的直线移动部(109)、用于通过旋转移动接近所述接入点的旋转移动部(114)，还包括用...

本发明提供一种自动分析装置以及自动分析方法，在决定了试剂(瓶)对的结构之后，能够与实际使用状况匹配地变更试剂(瓶)对的结构。自动分析装置具有分注多个试剂的分注机构，其特征在于，具有：试剂探针，其分注填充于试剂容器中的试剂；液面检测单元，...

本发明提供自动分析装置，具备控制分析的控制部，所述分析对于对象检测体使用定量范围不同的多个校准线，所述控制部进行：取得包含使用了所述多个校准线的多个测定值在内的多个测定结果，在使用了所述多个校准线的测定时，在检测到异常的情况下，对所述多...

本发明涉及细胞分析器件及使用了该细胞分析器件的细胞分析方法，本发明的目的在于通过在单一细胞分析器件中谋求提高核酸捕获效率和提高细胞捕获效率的兼顾，获得高精度的单一细胞分析数据。本发明涉及细胞分析器件的改良，所述细胞分析器件具备二维阵列芯...

关于自动分析装置，提供一种能够有效地控制对于容器的废弃和使用的技术。自动分析装置具备：控制装置；能够在多个位置设置多个容器的容器保持机构(培养箱)；对于容器分注试样和试剂的分注机构；检测机构；以及进行容器的运输的运输机构。分注机构包含检...

本发明所实现的自动分析装置的预处理方法能使用能够结合多个测定对象物质的多个磁珠，通过一系列处理对多个测定对象物质进行预处理。在自动分析装置的预处理方法中，将磁珠(801)添加到含有测定对象物质的样品中，将测定对象物质与磁珠(801)结合...

为了提供一种以相对于氮化硅膜高的选择比高精度地对氧化硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，而在所述蚀刻方法中通过向处理室内供给处理用的气体来对膜结构进行蚀刻，在所述膜结构中，在配置于所述处理室内的晶片上预先形成的氧化硅膜及氮化硅膜沿上下方向交替地层叠...

为了测量形成于层叠多个不同的材料而得到的样品的图案的立体形状，对构成图案的材料分别预先存储表征该材料中的在单位距离内该材料和电子引起散射的概率的衰减率μ，提取BSE图像中的图案的上表面位置、底面位置以及不同的材料彼此相接的界面位置，使用...

为了提供成品率高的半导体制造方法，向处理室内供给将所述过渡金属络合物化的气体，从而对配置在容器内部的处理室内的半导体晶片的上表面的包含过渡金属的处理对象的膜进行蚀刻，该半导体制造方法进行如下工序，从而对所述处理对象的膜进行蚀刻：第1工序...