本发明的电路连接用黏合剂薄膜为包含导电粒子的黏合剂薄膜，该黏合剂薄膜在薄膜的厚度方向上包括含有无机填料的区域A，区域A由热固性组合物形成，所述热固性组合物含有体积基准的粒度分布中50％累积时的粒径D50为0.5～1.0μm且95％累积时...

一种浆料，其含有磨粒、碳原子数3以上的化合物X及水，所述磨粒包含铈氧化物，所述化合物X的汉森溶解度参数的分散项dD为18.0MPa

提供能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻含有硅的蚀刻对象物的蚀刻气体以及蚀刻方法。蚀刻气体含有用通式C4H

本发明提供主要包含高分子的涂料、油墨、接合剂、在锂离子电池的正极、负极、隔板等的涂布液中可于施工面形成易干燥性涂布物的组合物。一种包含填料、粘结剂、增稠剂与溶剂的涂布组合物，其特征在于，前述粘结剂包含选自二烯橡胶和(甲基)丙烯酸酯聚合物...

硬化性树脂组合物包含硬化性树脂、以及下述通式(A)所表示的化合物。通式(A)中，R

一种封边材料，满足下述(1)～(3)中的至少任一者。(1)包含硬化性树脂、且25℃～50℃下的触变指数为1.0以上；(2)含有环氧树脂、硬化剂、无机填料，以及环状碳二亚胺；(3)含有环氧树脂、硬化剂，以及无机填料，且封边材料的硬化物以热...

提供一种在保存中聚合不易进行的氟丁烯的保存方法。由通式C4H

提供一种能够与非蚀刻对象物相比选择性地对含有硅的蚀刻对象物进行蚀刻的蚀刻气体及蚀刻方法。一种蚀刻气体，含有氟丁烯，所述氟丁烯由通式C4H

提供能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻含有硅的蚀刻对象物的蚀刻气体以及蚀刻方法。蚀刻气体含有用通式C4H

提供一种能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻含有硅的蚀刻对象物的蚀刻气体和蚀刻方法。蚀刻气体含有由通式C4H

提供一种在保存中不易进行异构化反应的氟

含有甲基橙皮苷作为有效成分的自噬激活剂、和含有该自噬激活剂和药学上可接受的载体的自噬激活用组合物。的自噬激活用组合物。

简便地提供适合于具有曲面的三维成型的透明导电膜叠层体。一种透明导电膜叠层体，其特征在于，具有：由透明的热塑性树脂膜制成的透明基材；形成在上述透明基材的至少一个主面上，并且包含粘合剂树脂和金属纳米线而制成的透明导电膜；以及形成在上述透明导...

本发明公开了一种半导体装置的制造方法，其包括对临时固定用层叠体照射光，由此将半导体部件从临时固定用树脂层分离。临时固定用层叠体通过包括如下工序的方法形成，即，以第1主表面与光吸收层接触的朝向，将临时固定用膜材料层叠在光吸收层上的工序；及...

本发明的一方式所涉及的感光性树脂组合物含有：包含源自具有二环戊基的(甲基)丙烯酸酯化合物的结构单元的粘合剂聚合物、光聚合性化合物、光聚合引发剂、在340～430nm具有吸收的增感剂及紫外线吸收剂，紫外线吸收剂对于波长365nm的光的摩尔...

本发明的一方面涉及一种感光性树脂组合物，其含有粘合剂聚合物、光聚合性化合物及光聚合引发剂，所述感光性树脂组合物中，粘合剂聚合物包含源自具有二环戊基的(甲基)丙烯酸酯化合物的结构单元，粘合剂聚合物的重量分子量为7500～23000。量为7...

本发明提供一种包含热塑性树脂、热固性树脂、固化剂及至少具有1个羧基的助熔剂化合物的半导体用黏合剂，其中，助熔剂化合物具有在羧基的α位碳上取代有至少1个吸电子基团的结构。构。构。

一种铜膏，其为热管的毛细结构形成用铜膏，所述铜膏含有铜粒子、热分解性树脂粒子、分散铜粒子和热分解性树脂粒子的分散介质、可溶于分散介质的热分解性树脂。于分散介质的热分解性树脂。

本发明公开有一种制造配线基板的方法，其包括：对在开口内露出的金属层的表面通过与规定的前处理温度的前处理液的接触而进行前处理的工序；及在金属层上通过电解镀敷来形成铜镀层的工序。抗蚀剂层及前处理液，以进行曝光及显影之前的抗蚀剂层浸渍于前处理...

本发明所涉及的半导体装置的制造方法包括：(A)在基板上配置第一芯片的工序；(B)在基板上且第一芯片的周围或应配置第一芯片的区域的周围配置多个加高片的工序；(C)准备带黏合剂片的芯片的工序，所述带黏合剂片的芯片具备第二芯片及设置于第二芯片...