蚀刻气体及其制造方法、以及蚀刻方法、半导体元件的制造方法技术

提供一种能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻含有硅的蚀刻对象物的蚀刻气体和蚀刻方法。蚀刻气体含有由通式C4H

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻气体及其制造方法、以及蚀刻方法、半导体元件的制造方法


[0001]本专利技术涉及蚀刻气体及其制造方法、以及蚀刻方法、半导体元件的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体的制造工序中，使用干蚀刻进行氧化硅、氮化硅等硅化合物的图案化和除去。对于干蚀刻要求高的蚀刻选择性。即，要求与用于图案化的抗蚀剂和掩模相比能够选择性地蚀刻硅化合物。
[0003]提出了满足该要求的各种蚀刻气体，例如专利文献1公开了由六氟丁烯构成的蚀刻气体。另外，专利文献2公开了含有六氟丁烯和六氟丁炔的蚀刻气体。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利公报第6257638号
[0007]专利文献2：日本专利公报第6462699号

技术实现思路

[0008]但是，使用专利文献1、2公开的蚀刻气体进行蚀刻时，蚀刻选择性并不充分。
[0009]本专利技术的课题是提供一种蚀刻气体及其制造方法、以及蚀刻方法、半导体元件的制造方法，在使蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蚀刻气体，含有氟丁烯，所述氟丁烯由通式C4H
x
F
y
表示，所述通式中的x为1以上且7以下、y为1以上且7以下并且x+y为8，所述蚀刻气体含有碳酰氟作为杂质，碳酰氟的浓度为100质量ppm以下。2.根据权利要求1所述的蚀刻气体，还含有氟化氢作为杂质，氟化氢的浓度为100质量ppm以下。3.一种蚀刻气体的制造方法，是制造权利要求1或2所述的蚀刻气体的方法，具备：对粗氟丁烯实施脱水处理的脱水工序；以及对所述粗氟丁烯实施脱氧气处理的脱氧气工序，所述粗氟丁烯是含有水和氧气的所述氟丁烯。4.根据权利要求3所述的蚀刻气体的制造方法，在进行所述脱水工序之后进行所述脱氧气工序。5.根据权利要求3或4所述的蚀刻气体的制造方法，所述脱水处理是使所述粗氟丁烯与吸附剂接触而使所述吸附剂吸附水的处理。6.根据权利要求3～5中任一项所述的蚀刻气体的制造方法，还具备将实施了所述脱水工序和所述脱氧气工序的所述氟丁烯填充到填充容器中的填充工序。7.一种蚀刻方法，具备蚀刻工序，在所述蚀刻工序中使权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木淳，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：