提供陀螺仪传感器及陀螺仪传感器的控制方法。陀螺仪传感器中，由振子(2)和具有与振子对置的多个电极的安装基板(3)构成的传感器部被具有检测增益比修正部(106)、驱动增益比修正部(153)、偏置误差修正部(160)的控制部(10)驱动控制...

本发明涉及分析结果管理装置、分析结果管理方法以及程序产品。分析结果管理装置具备：数据输入部，接受静态分析结果数据的输入，该静态分析结果数据包含源代码以及对源代码进行静态分析而检测出的多个警告的数据；哈希值计算部，将与警告相关的数据和包含...

本发明涉及分析结果管理装置、分析结果管理方法以及程序产品。分析结果管理装置是管理通过不同的分析工具分析源代码而得到的多个静态分析结果数据的分析结果管理装置，具备：警告对应表，将不同的分析工具对相同种类的警告输出的不同的警告表记与识别信息...

本发明涉及金属熔化和升温供应系统以及熔融金属供应装置。金属熔化和升温供应系统包括熔化装置、升温装置、熔融金属供应装置和控制装置。熔化装置对处于固体状态的金属材料进行加热，并且将金属材料改变为处于液体状态的熔融金属。升温装置包括容纳通过熔...

本发明涉及信息装置、信息处理方法以及信息处理程序产品。信息处理装置具备：数据库，存储源代码的静态分析结果和针对该静态分析结果的审查结果；输入部，从审查完毕的静态分析结果中接受复制源的选择并且接受多个复制目的地的选择，接受从复制源向多个复...

提供陀螺仪传感器及陀螺仪传感器的控制方法。陀螺仪传感器利用具有PLL(140、141)、AGC(130、131)、检测增益比修正部(106)及驱动增益比修正部(153)的控制部(10)对由振子(2)和具有与其对置的多个电极的安装基板(3...

位置检测装置，检测检测体(20、100)的位置，其具备：信号输出部(32、33、61、62)，输出第1信号(V1)和第2信号(V2)；配置部(30、10)，与检测体对置地配置；及信号处理部(50)，计算检测体位置，信号处理部能够对第1信...

陀螺仪传感器具有PLL电路(110、120)，且具有进行基于谐振频率(ω<subgt;1</subgt;)的第一振动模态的检测信号(V<subgt;XP</subgt;)和第一驱动信号的解调、基于谐振频率(ω&l...

作为物体感测装置的处理单元朝向测定区域照射照射光，并基于从检测来自测定区域的物体的反射光的LiDAR取得的信息来感测物体。处理单元具备：波形检测部，检测反射光的信号波形、并且是产生时间差而到达LiDAR的多个信号波形(S1、S2)；以及...

在由供应链管理系统实施的信息管理方法中，管理与构成供应链(SC)的多个交易者(TR)的每一个交易者关联的信息。在该信息管理方法中，准备基于同态加密的私钥(sk)以及公钥(pk)，由多个交易者(TR)共享公钥(pk)。进而，获取由供给交付...

一种电池监视装置(10)，包括基板(70等)、监视各单位电池(B1～B7)的状态的监视IC(30等)、将监视IC与各单位电池电连接的多个检测路径(L1～L8等)、设置于各检测路径的电阻体(51～58、81A～88A、81B～88B等)、...

同时实现抑制压缩机的噪声这点和确保必要的加热能力这点。具备：压缩机(11)，该压缩机将制冷剂吸入并压缩、排出；加热部(13、131)，该加热部将从压缩机(11)排出的制冷剂作为热源来对加热对象物进行加热；减压部(14c)，该减压部使从加...

半导体装置的制造方法具备准备晶轴相对于第1表面的垂线倾斜的半导体晶片的工序、在第1表面中沿沿着晶轴的倾斜方向的第1方向以第1载荷将推压部件推抵在第1表面上从而在半导体晶片中形成沿着第1方向并在半导体晶片的厚度方向上延伸的第1裂纹的工序、...

一种开关元件，缓和开关元件的元件部的外周部中的电场集中，具有配置在沟槽内的栅极电极，设置有所述沟槽的元件部具有中央部和外周部，所述元件部具有n型的源极区域，所述元件部和所述外周部具有p型的体区域、n型的漂移区域、及p型的多个电场缓和区域...

控制装置的处理器构成为执行以下处理：按照跨越多次以采样周期(τs)对(SPAD)像素的响应输出(Os)反复进行采样处理的检测周期来对该响应输出(Os)进行累计而取得输出累计值的时间分布的每个检测帧，将使照射定时与检测周期的始端定时对齐了...

热泵循环装置具备压缩机(11)、分支部(12a)、加热部(13、30、30c)、加热部侧减压部(14c)、旁通通路(21c)、旁通侧流量调整部(14d)、合流部(12f)、发热部(44、70、84)及吸热部(40、40c)。加热部(13...

半导体装置1具备位于IGBT区域20A的多个沟槽栅极50、位于二极管区域20B的多个第一伪沟槽60、以及位于IGBT区域与二极管区域的边界部20C的多个第二伪沟槽70。多个第二伪沟槽分别沿着连结IGBT区域和二极管区域的方向相互隔开间隔...

空调控制部在空调控制处理的步骤S101～S103中获取机内环境信息、机外环境信息和飞行信息。空调控制部在步骤S104的窗户起雾判定处理中，判定窗户起雾条件是否成立。空调控制部在判定窗户起雾条件是否成立时，使用机内环境信息、机外环境信息和...

在具有势垒区域和连接部的开关元件中，抑制使栅极电位上升时的漏电流。半导体装置中，在沟槽内具有栅极电极。半导体衬底具有：第一n型区域，与所述栅极绝缘膜相接；p型的上部体区域，在所述第一n型区域的下侧的所述侧面与所述栅极绝缘膜相接；n型的势...

得到二极管的良好特性。半导体装置具有包含集电极区域的晶体管部和包含阴极区域的二极管部。所述半导体衬底具有缓冲区域，该缓冲区域从上侧与所述集电极区域和所述阴极区域相接。所述集电极区域内和所述阴极区域内的p型杂质浓度以如下方式分布，即：在沿...