本发明涉及一种谐振元件的制造方法，包括以下步骤：制备层叠体；在形成有绝缘薄膜的大致整个表面上形成外部电极；在形成所述外部电极的表面上形成多个凹槽，并平行于所述凹槽地切割层叠体；其中所述第一列中第一组所述开口设置在每一个所述内部电极的交替...

本发明提供了一种组合物，该组合物主要包含下式表示的组合物：（１－ｎ）（Ｋ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎａ↓［ｘ］Ｌｉ↓［ｙ］）↓［ｍ］（Ｎｂ↓［１－ｚ］Ｔａ↓［ｚ］）Ｏ↓［３］－ｎＭ１Ｍ２Ｍ３Ｏ↓［３］其中Ｍ１代表三价金属元素，如Ｂｉ；Ｍ２代表单价...

本发明提供了一种压电陶瓷组合物，该组合物主要包含下式表示的组合物：（１－ｎ）（Ｋ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎａ↓［ｘ］Ｌｉ↓［ｙ］）↓［ｍ］（Ｎｂ↓［１－ｚ］Ｔａ↓［ｚ］）Ｏ↓［３］－ｎＭ１Ｍ２Ｏ↓［３］其中Ｍ１代表二价金属元素，如Ｍｇ；Ｃａ、Ｓ...

本发明提供了一种半导电陶瓷，其绝缘强度为８００Ｖ／ｍｍ或更大，并且室温的电阻率为１００Ω.ｃｍ或更小，室温的电阻率大致上没有历时变化。半导电陶瓷由经烧结的含钛酸钡的半导体材料制成，其中半导电陶瓷的平均颗粒尺寸为１．０μｍ或更小，在陶瓷的...

一种含钛酸铅的压电陶瓷组合物，它具有优良的谐振频率温度稳定性，适用于滤波器、振荡器等，还提供一种用该压电陶瓷组合物的压电元件。包括含ＰｂＴｉＯ↓［３］的陶瓷材料的压电基片在正反面带有振荡电极。在组成满足０．０２≤ｘ≤０．１６和０．１５≤...

本发明提供了一种红外传感器，包含：管座；安装在管座的一侧上的热电元件；转换电路，用于将热电元件中产生的电荷转换为信号；和多个引线端子，它们延伸到管座的另一侧延伸，并电气连接到转换电路，通过堵塞将引线端子固定到管座上。

一种钛酸钡系半导体瓷器组合物，其特征在于，以钛酸钡或其固溶体为主成分，还添加含有半导体化试剂和添加剂的钛酸钡系半导体瓷器组合物中，前述主成分ＢａＴｉＯ↓［３］中一部分Ｂａ被１～２５摩尔％的Ｃａ、１～３０摩尔％的Ｓｒ和１～５０摩尔％的Ｐｂ...

本发明提供了一种压电陶瓷以及制备该压电陶瓷元件的方法，该方法包括下述步骤：＄（１）混合各个组分以形成至少包含Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｃｒ和Ｎｂ的氧化物的混合物；＄（２）煅烧上述的混合物以得到煅烧产物；＄（３）粉碎上述的煅烧产物并加入以ＣｕＯ计...

本发明涉及一种含有陶瓷化合物和锰的压电陶瓷组合物。陶瓷化合物是主要组分，它可用通式（Ｓｒ↓［１－ｘ］Ｍ↓［ｘ］）Ｂｉ↓［２］Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［９］表示。在该式中，Ｍ是二价金属元素，而ｘ满足０≤ｘ≤０．３。当折算为ＭｎＣＯ↓［３］时，锰的...

本发明提供了一种形成布线图案的工艺，包含步骤：通过光掩膜使抗蚀剂曝光，所述光掩膜具有线宽等于或小于分辨极限的图案；并使曝光后的抗蚀剂显像，以形成抗蚀剂图案，它的表面上具有槽凹陷，凹陷未达到抗蚀剂图案的背面。抗蚀剂可以是正抗蚀剂，其中抗蚀...

本发明提供了一种形成布线图案的方法，其特征在于包含步骤：在基片上形成具有抑制收缩效应的抗蚀图案；通过烘焙抗蚀图案使气体从抗蚀图案中释放；在基片和抗蚀图案上形成电极材料薄膜，同时将基片的温度保持在低于抗蚀图案的烘焙温度；并通过将抗蚀图案从...

本发明提供了一种形成介质薄膜图案的方法，包含步骤：通过汽相淀积方法，在其上具有抗蚀图案的基片上淀积介质薄膜，其中将ＣｅＯ＃－［２］，Ｓｍ＃－［２］Ｏ＃－［３］，Ｄｙ＃－［２］Ｏ＃－［３］，Ｙ＃－［２］Ｏ＃－［３］，ＴｉＯ＃－［２］，Ａｌ...

极化处理压电材料的方法。测定由１８０°旋转而获得的最大极化强度△ｆ＃－［１８０ｍａｘ］，比较作为目标值的剩余极化强度△ｆ与最大极化强度△ｆ＃－［１８０ｍａｘ］。如果△ｆ≤△ｆ＃－［１８０ｍａｘ］，确定使极化强度△ｆ完全由１８０°旋转而获...

一种压电陶瓷组合物，它包括由通式（Ｃａ↓［１－ｘ］Ｍｌ↓［ｘ］）Ｂｉ↓［４］Ｔｉ↓［４］Ｏ↓［１５］表示的主要组分，其中Ｍ１是除Ｃａ之外的二价金属和Ｂｉ之外的三价金属中的一种金属，０＜ｘ≤０．３；以及作为辅助组分的锰，其量按ＭｎＣＯ↓［...

一种无铅的压电陶瓷组合物，该组合物包括以通式（Ｓｒ↓［１－ｘ］Ｍ１↓［ｘ］）Ｂｉ↓［２］（Ｎｂ↓［１－ｙ］Ｗ↓［ｙ］）↓［２］Ｏ↓［９］表示的主要组分，Ｍ１是除Ｓｒ之外的二价金属和除Ｂｉ之外的三价金属中的一种金属，０＜ｘ≤０．３，０＜ｙ...

本发明提供一种静磁波器件，它可以在施加一种恒定的外磁场下同时工作于多个频带。它包含：衬底；以及位于衬底上的第一和第二磁性石榴石单晶薄膜，第一和第二层具有不同的磁饱和。比较好的是，构成磁性石榴石单晶薄膜的其中一层的厚度小于靠近衬底的另一层...

一种用具有比常规产品更高耐热性和压电特性的压电陶瓷制成的压电蜂鸣器。压电蜂鸣器１０具有金属板１２，依次形成于金属板１２上的压电陶瓷１４和电极１６。形成压电陶瓷的压电陶瓷组合物中用通式Ｐｂ↓［Ａ］［（Ｔｉ↓［ｘ］Ｚｒ↓［１－ｘ］）↓［ａ］...

本发明提供了一种用于电子部件的封装，包含其侧表面上具有至少一个凹部的基片，所述基片的上表面和底表面上具有电极，还具有设置在所述凹部内的导电图案，从而上表面上的电极通过所述导电图案电气连接到底表面上的电极。封闭的侧壁具有确定了一个适合于接...

本发明的目的是提供能制造压电陶瓷烧结体的压电陶瓷材料，这种压电陶瓷烧结体具有设计窄带滤波器所需的机电耦合系数小、谐振电阻小和谐振频率对温度依赖性小之类的性能，该压电陶瓷材料含有用通式（Ｐｂ↓［ａ］Ｓｒ↓［ｂ］）（Ｚｒ↓［ｃ］Ｔｉ↓［ｄ］...

一种压电元件，包含多个由含有Ｓｒ，Ｂｉ，Ｔｉ，和Ｏ的压电材料构成的压电层，至少３个相对的振动电极，每一个设置在压电层之间，以及形成在振动电极重叠的区域中的能量约束区域，能量约束区域平行于振动电极的平面，并激励ｎ次谐波纵向厚度振动。能量约...