株式会社村田制作所专利技术

株式会社村田制作所共有12091项专利

  • 一种含W的烧结压电陶瓷材料以及使用该材料的压电转换器,W化合物或W氧化物在这种材料中的分离受到抑制。该陶瓷材料含有钛酸铅作为主组分;含Mn氧化物或含Mn化合物、含W化合物或含W氧化物作为辅助组分;含Si氧化物或含Si化合物作为添加组分。...
  • 一种主要包括CaBi↓[4]Ti↓[4]O↓[15]或其它具有层状钙钛矿晶体结构,在常温下显示铁电性的化合物的陶瓷组合物。将该组合物样品置于氧化铝烧箱中,其中分散有粉末氧化锆,以防止咬住,样品上放置氧化铝盖板。然后加热至高于陶瓷组合物熔...
  • 一种压电陶瓷材料具有优良的机械强度、优良的耐化学物质性能和优良的耐湿性。本发明的压电陶瓷材料含有氧化铅,其中在透射电子显微镜下观察到的并由许多构成烧结压电陶瓷材料而且彼此相邻的晶粒所限定的封闭区主要由无定形相构成。
  • 将绝缘电极设置在作为表面安装元件的多层元件的安装表面上,以便与安装表面上的其它元件绝缘。对于施加到绝缘电极的焊剂,施加范围能够安全地限定在绝缘电极内的区域。
  • 本发明揭示一种压电陶瓷及其制造方法。这种压电陶瓷包括以钛酸铅为主要成分,以WO↓[3]表述的钨相对于所述主要成分的重量约占0.1到5%,并且构成所述压电陶瓷的75%以上的结晶粒子,粒径分布在0.2μm到0.8μm的范围内。这种压电陶瓷即...
  • 提出一种高载流子迁移率半导体薄膜的制造方法和配用该方法制造的半导体薄膜的磁电转换元件。将硅单晶衬底的温度升至270℃~320℃,用电子束加热型真空蒸发法形成铟缓冲层,接着形成由锑与铟组成的原始籽晶层。将硅单晶衬底的温度升至460℃~48...
  • 一种可用于形成具有低机电耦合系数、低谐振电阻和低谐振频率温度相关性的烧结压电陶瓷压块的压电陶瓷材料,它是含PbTiO#-[3]、PbZrO#-[3]和Pb(Ma#-[x]Md#-[y])O#-[3]组成的主要组分的固溶体,Ma是至少一种...
  • 提供一种压电陶瓷组合物,它不含铅,与铋叠层化合物相比仍具有高的机电耦合系数,并提供用该组合物的压电陶瓷元件。该压电陶瓷组合物至少包括Ag、Li、Nb和O元素,并且机电耦合系数不小于约20%。
  • 提供一种压电陶瓷组合物和压电元件,即便厚度下降它在加工过程中也不大会发生开裂和碎裂。该压电陶瓷组合物包含一种具有钙钛矿结构的复合氧化物主要组分,该复合氧化物包含至少一种Pb、Zr、Ti、Mn、Nb和O元素并可用通式ABO↓[3]表示,其...
  • 制备在其上表面上形成有脱离层和有光滑顶表面的载体,它的顶表面上至少要涂陶瓷稀浆的区域中基本上没有高度在1μm以上的凸点,含有分散在媒质中的陶瓷粉的陶瓷稀浆涂在载体的脱离层上,制成陶瓷生片。陶瓷生片有0.3至3μm厚的小厚度,载体中没有因...
  • 一种模块组件,其内具有大高度的部件被放置在由欲安装的部件安装衬底所形成的第一断开部分内。而模块组件自身被设置由在欲安装的母板所形成的第二断开部分内。
  • 为了在高温气体中极化压电材料,温度提升部分将压电材料的温度升高至极化压电材料所需的温度。恒温池具有保持所需温度的气氛,并且包含极化保持所需温度的压电材料的极化部分。当压电材料的温度由温度提升部分迅速升至极化压电材料所需的温度并且位于恒温...
  • 一种由传感器电路模件构成的振动陀螺,该传感器电路模件包含一封装基底,一安装在所述基底上的振动器,一利用倒装法安装的片状半导体元件,一片状部分和一罩盖,没有通孔端的封装基底的部分其端面涂覆阻挡光透过的屏蔽光涂层材料。最好,所述的屏蔽光涂层...
  • 一种压电变压器的制造方法和压电变压器的制造装置,用绝缘材料(10)覆盖由设在压电陶瓷体(2)上的构成输入部(3)的极化区域和构成输出部(4)的极化区域所构成的压电变压器的输出部(4)的压电陶瓷体(2)的表面区域,并在空气中对输出部(4)...
  • 以Ca、Bi、Ti及氧组成的铋的层状化合物为主成分的压电陶瓷中,作为主成分的铋的层状化合物中的Ca、Bi及Ti的摩尔比为a∶b∶c时,满足0.15≤a/c<0.25、且3.5≤(2a+3b)/c≤3.88的关系。
  • 一种积层压电器件,包括分层压电体,这种压电体具有驱动侧外电极和连接侧外电极,它们布置在该分层压电体一个侧面处,其中提供由狭缝分隔所述分层压电体形成的多个致动器单元,所述狭缝从分层压电体的上表面延伸至其下表面。在分层压电体的一个侧面内形成...
  • 一种压电元件,包含一个埋在压电陶瓷体内的、在该压电体的纵方向上延伸的内电极。在该压电陶瓷体的上下表面上在沿该纵方向的第一至第三部分内形成第一至第三表面电极。形成备连接电极,以便使其把第一至第三表面电极相互连接起来。第一至第三部分的极化方...
  • 本发明揭示一种电子元件,包括在具有凹部的陶瓷制的芯片载体2的该凹部内,存放入声表面波元件芯片3。围住芯片载体2的凹部开口,将可阀铁镍钴合金制的密封圈4用Ag焊料焊接在芯片载体2的上面。放置在密封圈4上的可阀铁镍钴合金制的金属盖板5的表面...
  • 层叠型压电陶瓷元件的制造方法,其特征在于,具备在含铅元素化合物的压电陶瓷材料的陶瓷生片上涂布含有以银为主成分的合金的导电性浆料后,将该陶瓷生片层叠为层叠体的工序;以及在烧结时的升温过程和保温过程中的氧气浓度在21体积%以上、且降温过程中...
  • 本发明提供具有高机械强度、而且具有优异压电特性及可靠性的叠层型压电陶瓷元件的制造方法,包括在含有Pb元素化合物的压电陶瓷材料的陶瓷生片上涂布含有以Ag为主成分的导体的导电浆料、将该陶瓷生片重叠形成叠层体的步骤,以及将该叠层体在烧结时的升...