压电陶瓷组合物制造技术

本发明专利技术提供了一种组合物，该组合物主要包含下式表示的组合物：（１－ｎ）（Ｋ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎａ↓［ｘ］Ｌｉ↓［ｙ］）↓［ｍ］（Ｎｂ↓［１－ｚ］Ｔａ↓［ｚ］）Ｏ↓［３］－ｎＭ１Ｍ２Ｍ３Ｏ↓［３］其中Ｍ１代表三价金属元素，如Ｂｉ；Ｍ２代表单价金属元素，如Ｋ、Ｎａ或Ｌｉ；Ｍ３代表四价金属元素，如Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ或Ｈｆ；ｘ，ｙ，ｚ，ｍ和ｎ满足下列关系：０．１≤ｘ；ｙ≤０．３；ｘ＋ｙ＜０．７５；０≤ｚ≤０．３；０．９８≤ｍ≤１．０和０＜ｎ＜０．１。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种压电陶瓷组合物，尤其涉及一种用作压电陶瓷元件(如压电陶瓷滤波器和压电陶瓷振荡器)的材料的压电陶瓷组合物。主要包括钛锆酸铅(Pb(TixZr1-x)O3)或钛酸铅(PbTiO3)的压电陶瓷组合物被广泛用于压电陶瓷元件如压电陶瓷滤波器。在这些压电陶瓷组合物的生产步骤中，通常采用氧化铅。然而，氧化铅的汽化会使制得的元件的均匀性变差。相反，主要包括铌酸钾钠锂(用通式(K1-x-yNaxLiy)NbO3表示)的压电陶瓷组合物不会引起上述问题，因为它们不含氧化铅。某些这样的包含铌酸钾钠锂的组合物有较高的电气机械耦合系数Kp，并被认为是生产压电陶瓷元件(如压电陶瓷滤波器和压电陶瓷振荡器)的有前途的材料。然而，主要含铌酸钾钠锂压电陶瓷组合物的相对介电常数低于钛锆酸铅或钛酸铅的相对介电常数。因此，当将它们用作压电陶瓷元件如压电陶瓷滤波器和压电陶瓷振荡器的材料时，与包括该陶瓷元件的电路的阻抗匹配较差，且有时电路设计会很困难。当压电陶瓷组合物用于高频区时，会产生下列问题。例如，由于主要含钛锆酸铅的压电陶瓷组合物通常具有较高的相对介电常数(约1000-2000)，因此在高频区(如超过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压电陶瓷组合物，该组合物主要包含下式表示的组合物： （１－ｎ）（Ｋ↓［１－ｘ－ｙ］Ｎａ↓［ｘ］Ｌｉ↓［ｙ］）↓［ｍ］（Ｎｂ↓［１－ｚ］Ｔａ↓［ｚ］）Ｏ↓［３］－ｎＭ１Ｍ２Ｍ３Ｏ↓［３］ 其中Ｍ１代表三价金属元素；Ｍ２代表单价金属元素；Ｍ３代表四价金属元素；ｘ，ｙ，ｚ，ｍ和ｎ满足下列关系：０．１≤ｘ；ｙ≤０．３；ｘ＋ｙ＜０．７５；０≤ｚ≤０．３；０．９８≤ｍ≤１．０和０＜ｎ＜０．１。

【技术特征摘要】
JP 1998-2-18 35714/98;JP 1998-2-18 35716/981．一种压电陶瓷组合物，该组合物主要包含下式表示的组合物(1-n)(K1-x-yNaxLiy)m(Nb1-zTaz)O3-nM1M2M3O3其中M1代表三价金属元素；M2代表单价金属元素；M3代表四价金属元素；x,y,z,m和n满足下列关系0.1≤x；y≤0.3；x+y＜0.75；0≤z≤0.3；0.98≤m≤1.0和0＜n＜0.1。2．根据权利要求1所述的压电陶瓷组合物，其中M1是Bi,M2是至...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村雅彦，安藤阳，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]