本发明提供一种隔离器，其具备与由永久磁铁施加偏置磁场的铁氧体（４１）高频耦合的中心电极（５１）、（５２）、（５３），电极（５１）、（５３）互相不交叉，且与电极（５２）以互相绝缘的状态交叉。连接为电流从电极（５１）的一端（５１ａ）流向另一...

本发明提供一种隔离器，其具备与由永久磁铁施加直流偏置磁场的铁氧体（４１）高频耦合的中心电极（５１）～（５５）。电极（５１）、（５３）互相不交叉，且与电极（５２）、（５４）、（５５）以互相绝缘的状态交叉。连接为电流从电极（５１）的一端（５...

本发明提供一种滤波元件和滤波元件的制造方法，滤波元件（１００）包括：平板状的电介质基板（１）、在所述电介质基板的背面主面设置的接地电极（１３）、和将所述电介质基板（１）的侧面与所述接地电极（１３）的边界附近作为短接端并从所述电介质基板（...

本发明提供一种平衡不平衡转换元件。该平衡不平衡转换元件（１），是在平板状电介质体基板（１０）上设有接地电极（１５）和多个主面电极（１３Ａ）、（１３Ｂ）、（１４）的滤波器。主面电极（１３Ａ）、（１３Ｂ）通过短路用侧面电极（１１Ａ）、（１１...

一种不可逆电路元件，具备：被永久磁铁施加直流磁场的铁氧体（３２）、配置于铁氧体（３２）的中心电极（３５、３６）、和电路基板。中心电极（３５）由导体膜（３５ａ、３５ｂ）形成，中心电极（３６）由导体膜（３６ａ～３６ｈ）形成。在铁氧体（３２）...

本发明提供一种电介质滤波器、芯片元件及芯片元件制造方法。芯片元件（１）是在平板状电介质基板（１０）上设置有接地电极（１５）和多个主面电极（１３Ａ、１３Ｂ、１４）的滤波器。主面电极（１３Ａ、１３Ｂ）经由短路用侧面电极（１１Ａ、１１Ｂ）与接...

本发明公开一种非可逆电路元件，即双端口型隔离器，其中，备有：永磁体（４１）；铁氧体（３２），其通过该永磁体（４１）施加直流磁场；第１和第２中心电极，其配置于该铁氧体（３２）；以及电路基板（２０）。搭载于所述电路基板（２０）上的所述铁氧体...

本发明提供一种用作锂蓄电池阴极活性材料的尖晶石型锂锰复合氧化物，其特征在于所述尖晶石型锂锰复合氧化物的平均粒径为１－５微米、比表面积为２－１０ｍ↑［２］／ｇ。还提供一种尖晶石型氧化锂镁配合物的制造方法，包括：１）雾化和热解至少一种含有构...

本发明提供一种锂蓄电池，包括含有尖晶石结构的锂锰复合氧化物作为活性材料的阴极（３），其特征在于所述尖晶石结构的锂锰复合氧化物颗粒是中空、球形的由初级颗粒烧结而成的次级颗粒，所述次级颗粒的平均粒径为１－５微米，比表面积为２－１０ｍ↑［２］...

本发明提供一种锂蓄电池，包括含有锂钴复合氧化物或锂镍复合氧化物作为活性材料的阴极，其特征在于所述锂钴复合氧化物是中空、球形的颗粒烧结物，所述烧结物的平均粒径为１－５微米，比表面积为２－１０ｍ↑［２］／ｇ。该锂蓄电池具有高的容量和优良的充...

本发明提供一种锂复合氧化物的制造方法，这种方法包括如下步骤：１）使含有金属盐的化合物水溶液或醇溶液雾化热解，形成锂钴复合氧化物或锂镍复合氧化物，和２）使所述的锂钴复合氧化物或所述的锂镍复合氧化物退火，以将其平均粒径增加到约１－５微米，将...

一种锂蓄电池，包括阳极、阴极和插在阳极与阴极之间的含有非水电解液的隔板或固态电解质。阳极包括金属锂、锂合金或一种可吸附和解吸锂离子的材料作为活性材料。阴极含有尖晶石结构的锂－锰复合氧化物作为活性材料。所述尖晶石结构的锂－锰复合氧化物是由...

本发明提供一种具有大的起始容量和优异的充－放电循环特性的锂二次电池的正极活性材料的制造方法，而且该方法能抑制ＮＯ↓［２］的产生。在一种锂二次电池的正极活性材料的制备方法中，在向至少一种构成复合氧化物的金属元素的有机酸盐的水溶液或醇溶液中...

一种尖晶石型锂锰复合氧化物的制造方法，它包括如下步骤：用喷雾热解法合成用通式Ｌｉ（Ｍｎ↓［２－ｘ］Ｌｉ↓［ｘ］）Ｏ↓［４］（其中ｘ由关系式０＜ｘ≤０．０８限定）表示的尖晶石型锂锰复合氧化物；并在Ｔ℃的温度下对该氧化物进行热处理（Ｔ由关系...

本发明提供能够稳定形成具有足够面积的外部端子电极、安装性能好的小型的元器件内装组件及其制造方法。在陶瓷多层基板（１）的安装面一侧设置凹坑（４）并在其中放置电路元器件（６）之后、进行树脂浇注而形成的元器件内装组件，在陶瓷多层基板（１）的安...

以往的电子零部件，因有源零部件与无源零部件集中配置在陶瓷基板的一面上，故有源零部件与无源零部件之间存在相互电磁干扰。另外当将树脂层粘接陶瓷基板时，由于树脂的热硬化，树脂层相对陶瓷基板在硬化前后引起大的体积变化，易发生层间剥离。本发明的电...

本发明的压电陶瓷组成物，含有由一般式｛（１－ｎ）（Ａｇ↓［１－ｘ］Ｌｉ↓［ｘ］）↓［ｍ］（Ｎｂ↓［１－ｙ］Ｔａ↓［ｙ］）Ｏ↓［３］－ｎ（Ｍ↓［１］、Ｍ↓［２］）Ｍ３Ｏ↓［３］｝或｛（１－ｎ）（Ａｇ↓［１－ｘ］Ｌｉ↓［ｘ］）↓［ｍ］（Ｎｂ...

如专利文献１所述，若随着混合ＩＣ等电子元器件进一步降低高度，而减薄屏蔽壳，则由于屏蔽壳是金属制的，因此难以高精度地对它进行弯折等加工，另外由于吸取时作用的外力，使屏蔽壳的变形显著。在专利文献２所述的技术中，由于陶瓷制的盖罩形成为箱型形状...

本发明提供能够小型化而且高性能化的热电变换组件。采用多层电路基板的制造技术，特别是通路导体的形成技术，在由多个绝缘层（２）构成的层叠体（３）的内部，形成ｐ型热电半导体（４）及ｎ型热电半导体（５）。将成对的ｐ型热电半导体（４）及ｎ型热电半...

本发明提供能够以比较低的温度烧成而形成电极，而且受光面电极和半导体基板的粘接强度优越，且能够充分地降低两者间的接触电阻的导电性糊。作为太阳电池的受光面电极用材料使用的导电性糊含有：Ａｇ粉末、有机载色剂、和玻璃料，所述玻璃料的软化点为５７...