中芯长电半导体江阴有限公司专利技术

中芯长电半导体江阴有限公司共有470项专利

  • 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法,通过包含金属线切口的WB金属线,以减小WB金属线的径向尺寸,从而在进行焊线工艺时,可仅形成一个焊点,而后通过拉伸,使WB金属线自金属线切口处断开,并通过放电形成金属球,制备以焊点作为底部,金属球...
  • 本发明提供一种三维堆叠结构及其制备方法,三维堆叠结构包括电连接的多个半导体封装结构,半导体封装结构包括电路板、芯片、金属焊线、封装层主体、第一金属凸块及第二金属凸块;第一金属凸块位于封装层主体的顶面上且与第一金属焊线电连接,第二金属凸块...
  • 本发明提供一种单极化封装天线及其制备方法,单极化封装天线包括:重新布线层及单极化天线结构;单极化天线结构包括位于封装层中,并以天线金属层作为顶部,以金属布线层作为底部的空气腔,从而可减少封装天线在移动信道中的损耗,使得信号传输速度更快,...
  • 本发明提供一种具有直线形金属焊线的半导体封装结构及其制备方法,半导体封装结构包括芯片、直线形金属焊线及封装层。芯片表面包括焊盘;直线形金属焊线与焊盘相接触形成焊点,直线形金属焊线包括直立线形金属焊线及倾斜线形金属焊线中的一种或组合;封装...
  • 本实用新型提供一种LED芯片的系统级封装结构,封装结构包括:热沉结构、第一芯片、第一封装层、第二封装层、重新布线层、LED芯片、PCB板以及第三封装层。本实用新型采用扇出型系统级封装将多种功能的芯片,包括第一芯片(如ASIC芯片)、LE...
  • 本实用新型提供一种减少临时键合过程气泡形成的键合结构,结构至少包括:焊盘结构,包括衬底、位于所述衬底中的金属填充的TSV深孔、位于所述衬底表面的重布线介质层、以及位于所述重布线介质层上的金属电极,所述重布线介质层表面经过等离子处理而具有...
  • 本发明提供一种扇出型指纹识别芯片的封装结构及封装方法,结构包括:线路层;指纹处理芯片,指纹处理芯片的第一面具有重新布线层,指纹芯片的第二面粘附于线路层的第一面;指纹采集芯片,指纹采集芯片电性接合于重新布线层的第二面;金属连线,连接于重新...
  • 本发明提供一种扇出型指纹识别芯片的封装结构及封装方法,结构包括:线路层;指纹处理芯片,指纹处理芯片的第一面具有重新布线层,指纹芯片的第二面粘附于线路层的第一面;指纹采集芯片,指纹采集芯片电性接合于重新布线层的第二面;金属连线,连接于重新...
  • 本发明提供一种三维扇出型指纹识别芯片的封装结构及封装方法,结构包括:连接布线层、指纹处理芯片,其表面具有重新布线层、金属连接柱、第一封装层、金属布线层、指纹采集芯片,指纹采集芯片及指纹处理芯片为垂直堆叠设置、第二封装层及金属凸块。本发明...
  • 本发明提供一种三维扇出型指纹识别芯片的封装结构及封装方法,结构包括:连接布线层、指纹处理芯片,其表面具有重新布线层、金属连接柱、第一封装层、金属布线层、指纹采集芯片,指纹采集芯片及指纹处理芯片为垂直堆叠设置、第二封装层及金属凸块。本发明...
  • 本实用新型提供一种半导体结构包括Si衬底、绝缘层、Cu柱及钝化层,由于Si衬底与绝缘层具有第一高度差D1,Cu柱与绝缘层具有第二高度差D2,且第一高度差D1大于第二高度差D2,从而可有效避免对器件的电性能造成影响,避免绝缘层内外侧Cu金...
  • 本实用新型提供一种金属布线层的封装结构,封装结构包括晶圆,分离层,形成于所述晶圆的表面;重新布线层介质层,形成于所述分离层的表面;图形化的种子层,形成于所述重新布线层介质层的表面;铜金属层,形成于所述种子层表面;所述图形化的种子层以及形...
  • 本申请提供一种可提高金垫识别度的半导体封装结构。所述半导体封装结构自下而上包括衬底、金属种子层、基底铜层、铜垫层、镍垫层及金垫层,其中,所述铜垫层的表面粗糙度大于所述基底铜层的表面粗糙度,所述金垫层的表面积小于所述基底铜层的表面积且不大...
  • 本实用新型提供一种重新布线层,该结构包括:扩散阻挡层;位于扩散阻挡层的第一面的金属种子层;位于金属种子层上的金属线层;位于金属线层上的缓冲层,缓冲层的表面具有延伸至其内部的多个第一孔隙;位于缓冲层上的叠层结构,叠层结构包括至少两层保护层...
  • 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法。所述半导体封装结构包括:封装基板;芯片,键合于所述封装基板的上表面;塑封材料层,位于所述封装基板和所述芯片的上表面,且将所述芯片塑封;导热胶层,位于所述塑封材料层的上表面;导热引线,贯穿所述塑封...
  • 本发明提供一种LED芯片的系统级封装结构及方法,封装结构包括:热沉结构、第一芯片、第一封装层、第二封装层、重新布线层、LED芯片、PCB板以及第三封装层。本发明采用扇出型系统级封装将多种功能的芯片,包括第一芯片(如ASIC芯片)、LED...
  • 本实用新型提供一种重新布线层,该结构包括:扩散阻挡层;金属线层,位于扩散阻挡层上,其中,金属线层的下端边缘不超过扩散阻挡层,且金属线层的下端呈弧形。通过对金属线层的下端进行整形,去除金属线层的下端的尖角凸部,以使金属线层的下端呈圆角化,...
  • 本发明提供一种3D芯片封装结构及其制备方法,包括:重新布线层;第一电连接结构,位于重新布线层的第一表面;第一塑封层,位于重新布线层的第一表面;第二电连接结构,位于第一塑封层的表面;第二塑封层,位于第一塑封层的表面;第二塑封层在第一塑封层...
  • 本发明提供一种3D芯片封装结构及其制备方法,3D芯片封装结构包括:重新布线层;第一电连接结构,位于重新布线层的第一表面;第一塑封层,位于重新布线层的第一表面;第二电连接结构,位于第一塑封层远离重新布线层的表面;第二塑封层,位于第一塑封层...
  • 本发明提供一种CP探针机及其调节方法,CP探针机包括晶圆承载台;至少两个高度调节装置,高度调节装置与晶圆承载台相接触;支撑件,支撑件与晶圆承载台活动连接,通过支撑件支撑晶圆承载台,且支撑件位于高度调节装置之间;控制器,控制器与高度调节装...