本发明提供的一种同或存算单元，所述同或存算单元包括：内部存储单元和同或运算电路；所述内部存储单元的位线输入端与位线连接，所述内部存储单元的反位线输入端与反位线连接，所述内部存储单元的字线输入端与字线连接，所述内部存储单元的权值端与同或运...

本发明涉及一种存内计算装置。该装置包括：输入模块、输出模块、三个6Tsram存储模块、第一传输管、第二传输管以及第三传输管；所述输入模块分别与所述第一传输管的源极、所述第二传输管的源极以及第三传输管的源极连接，一个所述6Tsram存储模...

本发明涉及一种8管双分裂控制存储单元、存储阵列及存内计算装置，包括PMOS管T1、PMOS管T2、NMOS管T3、NMOS管T4、NMOS管T5、NMOS管T6、NMOS管T7、NMOS管T8、位线BL、位线BLB、读字线RWL、读位线...

本发明涉及一种基于4管存储的存储单元，存储单元包括：第一存储子单元、第二存储子单元、位线BL、位线BLB、字线WL、字线MWL、字线MWLB、位线MBL、第一电容和第二电容；第一存储子单元和第二存储子单元均包括管T1、管T2、管T3、管...

本发明涉及一种8T SRAM单元及存内计算装置。该装置包括一个8T SRAM单元阵列、一个输入驱动器、一个列译码和位线驱动模块、一个行解码器和N个数模转换模块。本发明中的8T SRAM单元阵列使用的计算模式采用的2比特输入的乘算模式，相...

本发明涉及一种基于6T单元的存储单元，所述存储单元包括PMOS管T1、PMOS管T2、NMOS管T3、NMOS管T4、NMOS管T5、NMOS管T6、NMOS管T7、NMOS管T8、NMOS管T9、NMOS管T10、电容C_U、电容C_...

本发明提供的一种应用于存内计算的位单元。所述位单元包括：四管存储单元和外围存算电路；所述四管存储单元的权值输出端与所述四管存储单元的权值输入端连接，所述四管存储单元的反权值输出端与所述四管存储单元的反权值输入端连接。本发明设置了四管存储...

本发明涉及一种RT锁存器及锁存方法，RT锁存器包括：非门、三输入与非门、与门、第一SR锁存器和第二SR锁存器。其中三输入与非门的输出端连接第一SR锁存器的另一个输入端、第二SR锁存器的另一个输入端和锁存器的数据通路，使得RT锁存器向上一...

本发明涉及一种基于改进MFCC系数的语音唤醒方法及系统，所述方法包括：获取连续的语音信号；对所述语音信号进行预加重；对预加重后的语音信号加入带有代表能量信息的MFCC第0个系数，得到FBE‑MFCC；将由FBE‑MFCC特征值组成的矩阵...

本发明涉及一种基于SRAM位线同或的电压累加存内计算电路。该电压累加存内计算电路包括：所述同或模式下的读字线驱动器模块通过读字线与所述存储运算单元相连接；所述存储模式下的行译码器模块通过写字线与所述存储运算单元相连接；所述存储模式下的写...

本发明提供一种存内计算单元及阵列，所述存内计算单元包括：用于存储权值的电阻型sram存储单元、用于读写解耦的外围电路和用于进行乘加运算的MAV模块。本发明采用电阻型的sram存储单元代替6Tsram存储单元应用在存内计算阵列中可以降低布...

本发明涉及一种基于4管存储结构的存内计算阵列装置，包括：存储阵列模块、行译码模块、列译码模块、输入激活驱动模块和模数转换器输出模块；所述存储阵列模块的输入端连接输入激活驱动模块，存储阵列模块的输出端通过乘累加位线连接模数转换器输出模块，...

本发明涉及一种双‑6T SRAM结构的存内计算装置。该装置包括：奇偶双通道阵列、T6T SRAM单元阵列、全局‑局部参考电压产生模块、两位补码处理模块和输出组合器，奇偶双通道阵列用于将输入数据分别利用奇数通道和偶数通道输入至T6T SR...