本发明涉及一种多孔微电极阵列的制备方法，包括：S100：在衬底上沉积牺牲层，衬底包括第一部分和第二部分，牺牲层沉积在第一部分上；S200：在衬底的第二部分和牺牲层上沉积第一封装层，其中位于牺牲层上的第一封装层具有多个第一通孔；S300：...

本发明提供一种磁目标的静态定位方法及定位装置，包括：基于静态的磁目标定位装置获取运动的磁目标在预设时间段内n个测量位置的全张量磁梯度数据；选取各测量位置中的一个作为磁目标的初始位置，基于初始位置及全张量不变量求取磁目标的各测量位置，并按...

本发明提供一种石墨烯的转移方法，包括以下步骤：提供一待转移结构，待转移结构包括金属基底以及形成于金属基底上的石墨烯层；提供一功能衬底，将待转移结构放置于功能衬底上，石墨烯层与功能衬底相接触；于预设真空度的环境中对金属基底进行电流热熔处理...

本发明涉及一种集成复用的多物理场声光交调波导及其制备方法，所述多物理场声光交调波导包括：提供一支撑衬底；位于所述支撑衬底上的介质层；位于所述介质层上的压电薄膜；位于所述压电薄膜上的图案化金属结构；对所述压电薄膜进行刻蚀，以在所述介质层上...

本发明涉及一种低功耗非易失性存储器件、存储阵列及其制备方法，相对于磁性隧道结常用结构，区别在于在自由层上界面或下界面额外溅射非均匀磁矩诱导层或者与磁性隧道结常用结构一致，区别在于自由层中的上层铁磁层或下层铁磁层厚度不均匀，从薄到厚以楔形...

本发明涉及一种光伏组件寿命预测方法、设备及介质，其中，方法包括：采用阿伦乌斯公式计算光伏组件的活化能；对所述光伏组件进行紫外加速老化试验，得到紫外老化后光伏组件的特征数据；将紫外辐照度纳入Peck模型，并根据所述活化能和紫外老化后光伏组...

本发明提供一种超导纳米线单光子探测器膜厚测试结构、方法及制备方法，所述膜厚测试结构包括从下至上依次层叠设置的衬底、底反射层、超导膜层、介质材料层及顶反射层；其中，所述底反射层、所述超导膜层、所述介质材料层及所述顶反射层形成光学微腔结构；...

本发明提供了一种阵列化的碳基半导体薄膜材料及其制备方法，首先将经离子注入的半导体晶圆和表面具有牺牲层的支撑衬底，沿牺牲层进行键合，随后对半导体薄膜层进行刻蚀处理，以使半导体薄膜层形成阵列化图案，得到阵列化的半导体薄膜层，以及通过刻蚀处理...

本发明提供一种包含中间半导体层的SOI衬底及其制备方法，包括：于半导体层和第二基底中的一者上依次形成第一绝缘层和非晶半导体材料层，另一者上形成第二绝缘层；以第一绝缘层、非晶半导体材料层和第二绝缘层夹在第一基底和第二基底之间的方式，形成初...

本发明涉及一种地形监测方法，包括以下步骤：在监测点部署标靶并获取图像样本；构建目标检测模型对所述图像样本进行检测，当所述目标检测模型未检测到所述标靶或当所述目标检测模型检测到所述标靶偏离原始位置时输出第一监测信号；所述目标检测模型包括多...

本发明提供一种SOI结构及其制备方法，包括：提供第一基底，于第一基底的第一面上形成低阻层；提供第二基底，第二基底包括位于其表层的半导体层，于半导体层上形成绝缘层；于低阻层和半导体层中的一者上形成绝缘层，通过使低阻层和半导体层中的另一者与...

本发明涉及一种基于语义感知的可见光与红外图像融合方法，包括以下步骤：获取成对的可见光图像和红外图像；将红外图像转化为单通道的灰度图像，将可见光图像转化为ycbcr格式并单独使用y通道，得到y通道图像；将所述灰度图像和y通道图像输入融合网...

本发明涉及半导体加工技术领域，特别涉及一种气敏膜的形成方法、气体传感器的制造方法及气体传感器。气敏膜的形成方法具体包括以下步骤：提供一光敏溶液和气敏溶液组合；所述光敏溶液包括光酸产生剂或者光敏交联剂；所述气敏溶液包括包裹有配体的纳米材料...

本发明涉及一种远心三维测量系统标定方法，包括以下步骤：构建由多个相互平行的标定平面组成的虚拟3D标定目标，所述标定平面上设有多个标定特征点；利用虚拟3D标定目标来对远心相机进行标定；利用相机像素坐标系与投影仪像素坐标系间的全局单应性关系...

本发明提供一种包含中间隔离层的SOI衬底及其制备方法，包括：对高阻材料层进行图形化，形成自高阻材料层的第一主面延伸至第二主面的高阻侧墙以限定出多个通孔；填充通孔，形成彼此分离的多个柱状支撑结构，柱状支撑结构包括富缺陷态材料组成的中心柱体...

本发明提供一种超导量子芯片封装结构及超导量子芯片的倒装封装方法，通过使用具有高分辨率、高纵横比等特性的SU‑8光刻胶，将该光刻胶作为支撑结构，实现了超导量子芯片的倒装封装。相比于现有技术而言，该倒装封装方法既可以根据不同的电路布线层结构...

本发明涉及一种非易失性相位校正方法和光电子器件，其中，方法包括：在光电子器件的波导上集成相变材料；通过改变所述相变材料的所处状态，实现对光电子器件的初始相位差进行校正。光电子器件包括相变材料和调节装置，所述相变材料集成在波导上；所述调节...

本发明提供一种标定装置及标定方法，标定装置包括：低温器件，用于盛装低温液体以提供低温环境；传感器，设置于低温器件内，包括至少一个三维梯度计，用于进行磁场测量并得到电压幅值；线圈阵列，设置于低温器件的下方，包括第一线圈及若干第二线圈，各第...

本发明提供一种高速MEMS光学移相器及其阵列、封装结构和光学设备，移相器中：第二平面区域的驱动定梳齿与第一平面区域的驱动动梳齿构成静电梳齿驱动器；衬底层的平板驱动电极与第一平面区域的垂直运动微镜构成静电平板驱动器；位移传感器传感垂直运动...

本发明涉及一种面向近场成像的自探测太赫兹双光梳谱信息高速提取方法，包括以下步骤：将双光梳的某根梳齿信号下转换到设定频段作为第一处理信号；采集第一处理信号在第一设定时间内的时域信息，分析第一时域信息获得所述任意一个梳齿的梳齿信息；采用设定...