本发明涉及一种光学相控阵非等周期排布的优化方法，包括以下步骤：获取光学相控阵的远场光强分布表达式；设定所述光学相控阵中各通道的间距构成的序列为待优化向量；以所述待优化向量为免疫个体，使用免疫优化算法求解获得最优的各通道间距，使得所述光学...

本发明涉及一种包含嵌入式刀片状加热电极的半导体相变存储器单元，包括底部接触电路(01)、加热电极(04)、阻挡层(05)、硫系化合物材料层(07)，硬掩模(08)、顶电极(11)和绝缘介质层；所述硫系化合物材料层(07)上部通过硬掩模(...

本发明提供一种三维封装结构及其制作方法，包括于形成第二再布线层之前，于第一再布线层堆叠设置第一芯片和第二芯片，第一芯片倒装焊接于第一再布线层上，第二芯片通过引线键合与第一再布线层电连接，利用第一再布线层可使芯片之间电性耦合，由此实现芯片...

本发明涉及一种通信感知一体化联合监测场景多目标模拟方法，包括以下步骤：构建包括多个传感器的通信感知一体化联合监测系统；规划所述联合监测系统的组网布局，基于所述组网布局模拟部署各个传感器的站位，并建立各个传感器的决策因子矩阵以模拟传感器的...

本发明涉及一种级联增强型氮化镓高迁移率晶体管结构及封装方法，将低压增强型氮化镓高迁移率晶体管和高压耗尽型氮化镓高迁移率晶体管通过3D堆叠封装而得。本发明利用低压增强型氮化镓高迁移率晶体管相比硅器件具有无反向恢复电荷和快速开关的特点，充分...

本发明涉及一种相变材料，所述相变材料包括铟元素和硫元素，化学式为In<subgt;x</subgt;S<subgt;y</subgt;，x、y为元素的原子组分，并且满足0<x/(x+y)<1，0<...

本发明提供一种MZ型电光调制器及其制备方法。所述MZ型电光调制器自下而上包括衬底层、硅波导层、第一隔离层、氮化硅波导层、第二隔离层、铌酸锂薄膜层、第三隔离层和金属层；所述衬底层的表面为绝缘材料层；所述硅波导层包括位于相对两侧的分束器和合...

本发明涉及一种模拟眼球交互式视线的生成方法及装置。其中，生成方法包括以下步骤：通过位置传感器获取交互目标的位置，得到交互目标在第一坐标系的坐标P<subgt;o</subgt;；根据位置传感器与模拟眼球的位置关系推导第一坐标...

本发明涉及一种增强型氮化镓高迁移率晶体管及制备方法，所述晶体管从下至上依次包括衬底、缓冲层、i‑GaN沟道层、AlGaN势垒层、p‑GaN层以及栅介质层；源极和漏极分别与二维电子气形成欧姆接触，栅极与所述p‑GaN层形成肖特基接触，使栅...

本发明涉及一种陀螺仪，包括万向节支架和悬置于万向节支架上、绕万向节中心呈对称分布的四个主质量块，每个主质量块在靠近所述万向节支架的一侧均连接有第一跷跷板组件，并通过所述第一跷跷板组件附接至所述万向节支架，每个主质量块在远离所述万向节支架...

本发明涉及一种基于非对称阱阵列的微流控芯片及其应用，包括依次设置的进样口(1)、进样分流引导区(2)、进样缓冲区(3)、微颗粒捕获区(4)、出样缓冲区(5)、出样分流引导区(6)和出样口(7)。本发明通过优化捕获结构设计，借助于振荡微流...

本发明涉及一种基于电吸收调制器的2.5D/3D光电共封装装置及其制备方法，包括锗硅电吸收调制器(1)。本发明通过面向高性能计算的光互连架构设计、利用波分复用技术拓宽单光纤通道数、多波长下稳定工作的高性能锗硅电吸收调制器设计、带有高质量选...

本发明涉及一种硅片中氧沉淀大小的测量方法，所述方法包括，获取硅片表面缺陷的LSE尺寸，基于所述LSE尺寸将缺陷分为第一组缺陷和第二组缺陷，并根据LSE尺寸计算得到硅片中氧沉淀的大小；本发明测量氧沉淀的方法对于含有大量氧沉淀的待测硅片，可...

本发明涉及一种低损耗桥式加热器结构及其应用，所述加热器结构包括平行设置的若干加热器单元，所述加热器单元长度大于受热单元长度从而形成桥式，所述加热器单元连接金属层。本发明提出的低损耗桥式加热器结构，可以减小加热器材料对光的吸收，降低吸收损...

本发明涉及一种绝缘体上硅结构的制备方法，包括如下步骤：(1)提供两片衬底，分别为第一衬底和第二衬底；(2)对第一衬底进行电化学腐蚀，改变工艺参数，形成由第一多孔硅层和第二多孔硅层组成的双层多孔硅结构；(3)对第一衬底进行高温热处理；(4...

本发明涉及一种三维细胞球的构建及其在药物筛选中的用途，包括：提供配对融合芯片，配对融合芯片包括呈周期性阵列排布的多组捕获结构，每组捕获结构包括细胞球捕获微孔、测试液滴捕获微孔以及用于流体连通细胞球捕获微孔与测试液滴捕获微孔的微通道；将负...

本发明提供一种压电振动传感器模组，压电振动传感器模组包括阻尼基板盖板和阻尼基板底座、质量块、压电悬梁臂、固定框架、电荷(电压)放大器；其中，质量块通过压电悬梁臂悬空在阻尼基板盖板和阻尼基板底座之间，通过质量块的接收外界振动信号，带动压电...

本发明涉及一种抗辐射加固的鉴频鉴相器电路，包括：第一D触发器电路、第二D触发器电路、C单元电路和频率锁定指示单元电路；第一D触发器电路和第二D触发器电路的结构相同，均包括依次连接的第一DICE锁存器电路和第二DICE锁存器电路，DICE...

本发明涉及一种电流绝对值产生电路，包括：电流比较电路，用于根据基尔霍夫定律产生等于第二电流源和第一电流源的差值的第一电流；翻转电流比较电路，用于根据基尔霍夫定律产生等于第一电流源和第二电流源的差值的第二电流，电流绝对值输出电路，用于输出...

本发明涉及一种绝缘体上硅结构及其制备方法，包括衬底；所述衬底自下而上依次设置有不同孔隙率的多孔硅结构、氧化层、顶层硅层。制备方法包括如下步骤：(1)提供两片衬底，分别为第一衬底和第二衬底；(2)对第一衬底进行阳极氧化，通过改变工艺参数在...