【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体材料领域，特别涉及一种硅片中氧沉淀大小的测量方法。
技术介绍
1、氧沉淀是硅晶圆中的一种常见缺陷，通常由过饱和的氧在晶体冷却过程中析出产生。一方面，氧沉淀对于硅片性能的改善具有重要的作用，不仅可以作为金属杂质有效的吸杂位点，还可以增强硅片的机械性能；另一方面，当氧沉淀过大时，也可能会产生差排和滑移，同时，当其位于器件区时，还可能影响区域的导电性。因而，控制氧沉淀的密度和大小非常重要，这需要合适的表征手段。
2、表面光散射(localized light scattering，lls)扫描技术是常用的表面缺陷检测方法。通过与hcl气相刻蚀结合，可以进行原生缺陷探测与识别，得到待测硅片表面缺陷的乳胶球当量(latex sphere equivalent，lse)尺寸。然而，这里的lse尺寸为刻蚀坑的大小，而非氧沉淀的实际大小。
3、扫描电子显微镜(scanning electron microscope，sem)检测是常用的缺陷形貌分析方法，可在lls扫描结果的基础上，对缺陷进行观察测量，得到氧沉
【技术保护点】
1.一种硅片中氧沉淀大小的测量方法，所述方法包括，获取硅片表面缺陷的LSE尺寸，基于所述LSE尺寸将缺陷分为第一组缺陷和第二组缺陷，并根据LSE尺寸计算得到硅片中氧沉淀的大小。
2.根据权利要求1所述的硅片中氧沉淀大小的测量方法，其特征在于，所述第一组缺陷氧沉淀的大小与其LSE尺寸满足如下关系：Sactual＝0.548×SLSE–16.736；所述第二组缺陷，氧沉淀的大小与其LSE尺寸满足如下关系：Sactual＝0.392×SLSE–15.718。
3.根据权利要求2所述的硅片中氧沉淀大小的测量方法，其特征在于，所述第一组缺陷的LSE尺寸小...
【技术特征摘要】
1.一种硅片中氧沉淀大小的测量方法，所述方法包括，获取硅片表面缺陷的lse尺寸，基于所述lse尺寸将缺陷分为第一组缺陷和第二组缺陷，并根据lse尺寸计算得到硅片中氧沉淀的大小。
2.根据权利要求1所述的硅片中氧沉淀大小的测量方法，其特征在于，所述第一组缺陷氧沉淀的大小与其lse尺寸满足如下关系：sactual＝0.548×slse–16.736；所述第二组缺陷，氧沉淀的大小与其lse尺寸满足如下关系：sactual＝0.392×slse–15.718。
3.根据权利要求2所述的硅片中氧沉淀大小的测量方法，其特征在于，所述第一组缺陷的lse尺寸小于62nm，第二组缺陷的lse尺寸大于等于62nm。
4.根据权利要求1所述的硅片中氧沉淀大小的测量方法，其特征在于，所述lse尺寸通过lls方法或lst方法得到...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘赟，王昊，薛忠营，魏星，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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