本发明的一种低析出超级铁素体铸造不锈钢及其制备方法。该不锈钢组分为Cr 25～30％，Mo 1～4％，Al 0.03～0.05％，Ce 0.03～0.08％，C≤0.0020％，N≤0.0031％，S≤0.0020％，P≤0.0090％...

本申请提供一种高温合金的制备方法，包括如下步骤：步骤(1)：将合金颗粒和氧化物粉末混合后进行球磨处理，获得球磨产物；步骤(2)：将球磨产物进行烧结致密，获得合金材料。根据本申请的高温合金的制备方法，能有效地提高合金中纳米氧化物的强化效果...

本申请提供一种合金的PLC效应的检测系统以及检测方法，包括：变形加载装置，以及三维变形全场测量装置；变形加载装置包括夹持部；夹持部用于夹持待测试部，以进行变形试验；待测试部的表面设置有散斑；三维变形全场测量装置用于记录待测试部在变形过程...

本发明提供一种脉冲激光3D打印单晶高温合金工艺参数的优选方法，包括如下步骤：准备金属基板及金属粉末；依据工艺范围设计正交试验；将所述金属粉末打印至所述金属基板上形成单道合金熔覆层，试验工艺参数在打印过程中被调整；获取所述单道合金熔覆层尺...

本发明是关于一种低膨胀合金线材及其制备方法，涉及低膨胀合金技术领域。主要采用的技术方案为：一种低膨胀合金线材的制备方法，其包括在线退火、连续拉拔步骤：使低膨胀合金线坯行进且在行进过程中依次经过第一在线退火装置、第一冷却器、拉拔装置、第二...

本发明涉及材料测试技术领域，尤其涉及一种原位透射电镜仿真环境样品杆系统，包括航空插头连接器、样品杆、外场微型芯片、外围电控设备和计算机，样品杆的一端设置所述航空插头连接器，样品杆的另一端设置外场微型芯片，外场微型芯片通过微电路与外围电控...

本发明提供一种溶度积驱动电解液中稀土元素富集及定量的方法，属于分析化学理化检验技术领域，具体步骤为：稀土钢电解样品除去夹杂物后，蒸干有机溶剂后补少量盐酸，定容后，作为待测液待分取测定；分取部分待测液于的玻璃烧杯中，添加溶解在水中的抗坏血...

本发明涉及微动磨损领域，具体是一种核电燃料包壳管与格架刚凸体高温高压水中切向微动磨损试验夹具及其使用方法。该夹具主要包括：刚凸体试样固定块、刚凸体试样紧固螺柱、刚凸体试样固定块夹具、夹具固定板、夹具固定支架、包壳管固定底座、圆弧状夹块等...

本发明涉及一种超硬纳米晶体金属材料，具体地说是一种具有极小孪晶片层厚度和超高强度的纳米孪晶镍及其制备方法。利用电解沉积技术，制备出厚度为数百微米至毫米的纳米孪晶镍，其微观结构是由长200～3000nm，宽约10～50nm的柱状晶粒组成，...

本发明的目的是提供一种制备铁氮化物纳米棒材料的方法，采用化学液相法制备，所述碳包裹Fe

本发明公开了一种曲轴器件的表面纳米化加工方法及加工装置，属于金属材料表面强化技术领域。表面纳米化加工装置为塔盘式表面纳米化加工装置，包括塔式刀盘、纳米化刀夹、纳米化加工刀头和球形加工滚珠。纳米化刀夹固定在塔式刀盘上，纳米化加工头连接在纳...

本发明属于表面强化及修复制造领域，涉及一种高铬铸铁型铁基自熔性合金粉末。合金粉末由以下重量比的成分组成：Cr 25～30％；C 2.8％～3.5％；B 1～3％；Si 0.5～2％；Mo 1～6％；Nb 1～7％；Ni 2～6％；Fe余...

本发明涉及柔性碳纳米管光电记忆存储器的研发与应用领域，具体为一种采用铝纳米晶作为浮栅层、氧化生成的氧化铝作为隧穿层的柔性碳纳米管光电记忆存储器及其制作和作为光电传感及记忆存储器件的应用。采用高纯度半导体性碳纳米管薄膜作为沟道材料，利用铝...

本发明属于金属材料表面改性技术领域，具体涉及一种铝及铝合金表面进行等离子体氧化的方法。采用电弧增强辉光放电(AEGD)技术完成，通过电弧放电产生电子流，然后电子与氧气等气体碰撞使其电离，产生氧等离子体，在基体表面施加正偏压电场，产生辉光...

本发明涉及医用美容外科领域，特别提供一种可吸收镁合金美容线及其制备方法。可吸收镁合金美容线的原材料是镁合金，主要元素为纯镁，所添加的合金元素为Zn、Ca、Nd、Sr的一种或者两种以上；按重量百分比计，镁合金的化学成分和含量为：Zn 0....

本发明涉及防弹装甲用复合材料领域，具体为一种防弹装甲用碳化硅/石墨烯仿生复合材料及其制备方法。该复合材料由体积百分数为0.3％～6％的石墨烯和碳化硅组成，微观上石墨烯片层择优定向分布在碳化硅基体中。该复合材料的制备方法为：首先配制石墨烯...

本发明涉及农机具的生产加工领域，具体地说是一种耐磨损旋耕刀的制造方法。首先将旋耕刀刀坯表面清理干净，采用火焰、电弧、等离子弧等热源将耐磨材料熔化后堆敷刀坯表面；然后按旋耕刀的常规生产工艺：加热‑斜轧‑旋(冲)弯‑冲孔‑裁切‑压弯‑热处理...

本发明涉及掩膜版技术领域，尤其涉及一种高精度硅物理掩膜版及其制作方法。该掩膜版使用的原材料为双抛双面氮化硅的单晶硅片，在单晶硅片的一侧采用光刻和深硅刻蚀的方法刻蚀出一定深度的图形；在单晶硅片的另一侧采用光刻、反应离子刻蚀和湿法刻蚀等技术...

本发明涉及纳米光电探测、纳米高温气敏探测器、半导体纳米材料与纳米技术领域，具体为一种Ga

本发明公开了一种利用三明治布料方式和电磁感应熔炼引熔高熔点混合物的方法，属于材料高温冶金技术领域。采用分瓣式水冷铜坩埚，坩埚内部放置待熔炼的原料，采用底部布置一层氧化物粉，中间平铺金属粉，顶部氧化物三明治布料方式。上述材料在惰性气氛下熔...