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浙江睿熙科技有限公司专利技术
浙江睿熙科技有限公司共有61项专利
在晶圆级别集成的VCSEL器件和VCSEL器件的制备方法技术
公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件和VCSEL器件的制备方法。所述VCSEL器件包括:基底层、VCSEL激光单元和夹设于所述基底层和所述VCSEL激光单元之间的半导体光学结构。所述半导体光学结构包括:光学调制部和包覆所述光学调制部...
在晶圆级别集成的VCSEL器件和VCSEL器件的制备方法技术
公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件和VCSEL器件的制备方法。所述VCSEL器件包括:外延结构,其自下而上依次包括:衬底、N
在晶圆级别集成的VCSEL器件和VCSEL器件的制备方法技术
公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件和VCSEL器件的制备方法。其中,所述VCSEL器件在晶圆级别上集成了VCSEL激光器和用于调制VCSEL激光器出射的激光的光学元件。在所述VCSEL器件的制备过程中,VCSEL激光器和光学元件之...
VCSEL激光器及其制备方法技术
公开了一种VCSEL激光器,包括:衬底、形成于所述衬底的N
车辆用激光雷达的电路系统技术方案
公开了一种车辆用激光雷达的电路系统。所述车辆用激光雷达的电路系统包括VCSEL光源、储能电路、电连接于所述储能电路的驱动电路以及寻址电路。所述VCSEL光源包括VCSEL阵列、形成于所述VCSEL阵列顶部的顶部电导通图案和形成于所述VC...
单片集成式VCSEL芯片及其制备方法技术
本申请涉及一种单片集成式VCSEL芯片,其包括第一衬底;形成于所述第一衬底上的第一VCSEL单元,所述第一VCSEL单元包括位于其上部区域的第一P
排布紧密的垂直腔面发射激光器制造技术
本实用新型提供了一种排布紧密的垂直腔面发射激光器,包括:隔离层,隔离层包括多边形的主体部以及设置在多边形的各个角部的附加部;金属层,金属层具有多个间隔设置的P型接触电极,多个P型接触电极分别设置在多边形的主体部的不同的角部及对应角部的附...
具有多隧道结的VCSEL激光器及其制备方法技术
本申请提供一种具有多隧道结的VCSEL激光器及其制备方法。所述VCSEL激光器,包括:外延结构和电连接于所述外延结构的正电极和负电极;所述外延结构,包括:衬底;位于所述衬底上方的第一反射器和第二反射器,其中,所述第一反射器和所述第二反射...
VCSEL芯片的束散角检测方法、系统和电子设备技术方案
本申请公开了一种VCSEL芯片的束散角检测方法、系统和电子设备。所述方法包括:通过图像传感器获取VCSEL芯片在不发光时的第一图像和正常发光时所产生的光斑的第二图像;基于所述第一图像与所述第二图像,确定能量值为86%光斑总能量值时对应的...
VCSEL芯片的制备方法技术
本发明提供了一种VCSEL芯片的制备方法。VCSEL芯片的制备方法包括:步骤S10:获取VCSEL芯片的预设氧化图形;步骤S20:获取VCSEL芯片的限制层的氧化速率;步骤S30:根据预设氧化图形和氧化速率确定氧化沟渠的各个位置的宽度或...
在晶圆级别集成的VCSEL器件制造技术
公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件,其中,所述VCSEL器件包括:外延结构,其自下而上依次包括:衬底、第一反射器、有源区、限制层和第二反射器,其中,所述限制层具有对应于所述有源区的限制孔;一体成型于所述外延结构的上表面或下表面的光...
VCSEL芯片的制备方法技术
本发明提供了一种VCSEL芯片的制备方法。VCSEL芯片的制备方法包括:步骤S10:获取VCSEL芯片的预设氧化图形;步骤S20:获取VCSEL芯片的限制层的不同方向的氧化速率;步骤S30:根据预设氧化图形和VCSEL芯片的不同方向的氧...
VCSEL激光器及其制备方法技术
本申请提供一种VCSEL激光器及其制备方法。所述VCSEL激光器,包括:外延结构;形成于所述外延结构上且电连接于所述外延结构的种子金属层;形成于所述种子金属层上且电连接于所述种子金属层的第一电极,其中,所述第一电极具有贯穿地形成于其中且...
单片集成式VCSEL芯片制造技术
本申请涉及一种单片集成式VCSEL芯片,其包括第一VCSEL子芯片,所述第一VCSEL芯片包括以第一阵列布设的多个第一VCSEL单元;以及与所述第一VCSEL子芯片单片集成地第二VCSEL子芯片,所述第二VCSEL子芯片包括以第二阵列布...
组合式VCSEL芯片制造技术
本申请涉及一种组合式VCSEL芯片,其包括第一VCSEL芯片,所述第一VCSEL芯片和第二VCSEL芯片,所述第一VCSEL芯片和所述第二VCSEL芯片背对设置,以使得所述第一VCSEL芯片的激光出射方向与所述第二VCSEL芯片的激光出...
在晶圆级别集成的VCSEL器件制造技术
公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件,其中,所述VCSEL器件包括:外延结构,其自下而上依次包括:衬底、N
在晶圆级别集成的VCSEL器件制造技术
公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件,其中,所述VCSEL器件包括:基底层、VCSEL激光单元和夹设于所述基底层和所述VCSEL激光单元之间的半导体光学结构。所述半导体光学结构包括:光学调制部和包覆所述光学调制部的保护部,其中,所述...
外腔式VCSEL激光器、VCSEL阵列和激光器的制备方法技术
本申请提供一种外腔式VCSEL激光器、VCSEL阵列和激光器的制备方法。所述外腔式VCSEL激光器通过配置合适的发光孔径和/或腔长和/或反射膜,以输出满足预设要求的亮度,制造工艺简单、成本较低。成本较低。成本较低。
可分区导通的VCSEL激光光源及其制备方法和驱动方法技术
本申请提供一种可分区导通的VCSEL激光光源、制备方法及驱动方法。该光源包括:VCSEL阵列;形成于所述VCSEL阵列顶部的顶部电导通图案,以及,形成于所述VCSEL阵列底部的底部电导通图案。所述VCSEL阵列,包括相互电隔离的多个VC...
VCSEL芯片及其制造方法技术
本申请提供一种VCSEL芯片及其制造方法。所述VCSEL芯片包括多个相互串联的子芯片,每个所述子芯片包括预设数量的VCSEL单元,所述子芯片之间具有预防各所述子芯片产生的热量对其相邻的子芯片的输出光功率产生影响的预设间距,通过这样的配置...
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