在晶圆级别集成的VCSEL器件制造技术

公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述VCSEL器件包括：外延结构，其自下而上依次包括：衬底、N

【技术实现步骤摘要】
在晶圆级别集成的VCSEL器件


[0001]本申请涉及半导体领域，更为具体地涉及在晶圆级别集成的VCSEL器件。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器(Vertical
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Cavity Surface
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Emitting Laser,VCSEL)是一种半导体激光器，其激光垂直于上表面或下表面射出。相较于传统的边发射半导体激光器，VCSEL激光器具有温漂小、低阈值、光纤耦合效率高、易于集成和封装等特性。
[0003]在实际产业中，VCSEL激光器常作为基础的元件(例如，作为光源)与其他器件被组装为模组被应用。例如，当VCSEL激光器被应用于TOF摄像模组时，VCSEL激光器与线路板、支架、光学衍射元件、金属防护罩等器件组装在一起，以形成TOF摄像模组的激光投射模组。
[0004]在组装所述VCSEL激光器与其他器件以形成投射模组时，一个重要的技术难题是如何将用于调制激光的光学元件稳定地且精准地安装于VCSEL激光器的激光投射路径上。例如，在如上所述的TOF摄像模组的激光投射模组的组装过程中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在晶圆级别集成的VCSEL器件，其特征在于，包括：外延结构，其自下而上依次包括：衬底、N
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DBR层、有源区、限制层和P
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DBR层，其中，所述限制层形成用于限制发光孔径的限制孔；形成于所述外延结构上的半导体光学结构，其中，所述半导体光学结构，包括：光学调制部和包覆所述光学调制部的保护部，所述光学调制部对应于所述限制孔；以及电连接于所述外延结构的正电极和负电极。2.根据权利要求1所述的在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述半导体光学结构包括相互叠置的至少二半导体层结构，所述至少二半导体层结构由具有不同浓度的金属原子掺杂的半导体材料制成，其中，所述至少二半导体层结构的预设区域被氧化以形成所述保护部，所述至少二半导体层结构中未被氧化的部分形成所述光学调制部。3.根据权利要求2所述的在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述至少二半导体层结构通过外延生长工艺形成于所述外延结构的上表面。4.根据权利要求2所述的在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，具有不同浓度的金属原...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭铭浩，王立，李念宜，
申请(专利权)人：浙江睿熙科技有限公司，
类型：新型
国别省市：