本实用新型提供了一种人脸识别TOF模组，其包括：一投射器模块；一TOF传感模块；一微控制单元；一储存器；一串行器单元；一信号连接模块；一电源模块；其中，所述微控制单元被可通信地电连接于所述TOF传感模块，所述储存器被可读取地连接于所述微...

本申请属于半导体技术领域，具体为一种多线激光投射器，包括用于产生激光的激光光源；对应于所述激光出射路径上以准直激光光线的激光准直元件，和与所述激光准直元件相对应以调节至少部分经过准直的激光光线角度的光学元件；对应于激光光线的传播路径上且...

本发明公开了一种VCSEL芯片及其制备方法，其中，所述VCSEL芯片包括：发光区域和形成于所述发光区域的热沉结构。所述发光区域包括多个VCSEL发光点，其中，所述多个VCSEL发光点包括邻近于所述发光区域的外周缘的第二部分发光点和除所述...

本发明公开了一种VCSEL芯片及其制备方法，其中，所述VCSEL芯片包括发光区域和形成于所述发光区域的热沉结构。所述发光区域包括多个VCSEL发光点，其中，所述多个VCSEL发光点包括邻近于所述发光区域的外周缘的第二部分发光点和除所述第...

本实用新型属于半导体技术领域，具体为一种激光投射模组测试治具，包括模组供电单元，用以与激光投射模组电连接以向所述激光投射模组供电；模组固定单元，与所述模组供电单元相关联以固定所述激光投射模组；所述模组固定单元包括基板，与所述模组供电单元...

公开了一种用于一维TOF探测器的视场角检测方法及其检测装置，其中，所述用于一维TOF探测器的视场角检测方法通过沿特定方向移动线光标，使其沿该特定方向逐步靠近所述一维TOF探测器的接收端，当所述线光标恰好被检测到时，所述线光标与所述一维T...

本实用新型属于半导体技术领域，具体为一种激光投射器，包括激光光源；激光整形元件，对应于所述激光光源的激光出射路径；基板，所述激光整形元件连接，所述激光光源设于所述基板，且该基板设有用于向所述激光光源供电的电路导体，在靠近所述基板端部处设...

公开了一种用于单点VCSEL的控制电路，其包括第一充电支路和第二充电支路，其中，所述第一充电支路包括第一电源单元和场效应晶体管，单点VCSEL适于串联于所述第一电源单元和所述场效应晶体管之间，所述单点VCSEL形成第一电阻，所述场效应晶...

公开了一种VCSEL芯片及其制备方法，其中，所述VCSEL芯片包括：相互电隔离的多个VCSEL发光单元和在晶圆级别集成地设置于所述多个VCSEL发光单元的多个光调制元件。每个所述VCSEL发光单元包括发光主体、电连接于所述发光主体的正电...

公开了一种VCSEL芯片及其制备方法，其中，所述VCSEL芯片包括：基底层、形成于所述基底层上且相互隔离的多个VCSEL单元，以及，在晶圆级别集成地设置于所述多个VCSEL发光单元的多个光调制元件。所述多个VCSEL发光单元通过阴极分区...

公开了一种VCSEL激光器及其制备方法，其中，所述VCSEL激光器包括：第一布拉格反射镜、第二布拉格反射镜和被夹设于所述第一布拉格反射镜和所述第二布拉格反射镜之间的有源区，所述第一布拉格反射镜包括多层第一高铝层和多层第一低铝层，所述第二...

公开了一种在晶圆级别集成的厚度检测装置和VCSEL单元的制备方法，所述在晶圆级别集成的厚度检测装置的制备成本相对降低，并且，检测过程相对简单，使得通过所述厚度检测装置检测绝缘层的厚度的检测成本降低。而且，所述在晶圆级别集成的厚度检测装置...

公开了一种在晶圆级别集成的厚度检测装置和VCSEL单元的制备方法，所述在晶圆级别集成的厚度检测装置包括：第一电容板，其中，在所述VCSEL单元的制备过程中，该绝缘层适于被等厚地形成于所述第一电容板和所述P

公开了一种散斑投射器，其中，所述散斑投射器包括：单点光源和被保持于所述单点光源的光出射路径上的衍射光学元件，所述单点光源仅具有一个发光孔，用于出射单束光，所述光衍射元件用于对所述单束光进行整形，进而使得所述散斑投射器生成具有多个光斑的散...

公开了一种单点VCSEL散斑投射器，其中包括：单点VCSEL光源和被保持于所述单点VCSEL光源的光出射路径上的衍射光学元件，所述单点VCSEL光源仅具有一个发光孔，用于出射单束激光，所述光衍射元件用于对所述单束激光进行整形，进而使得所...

公开了一种VCSEL芯片及其制备方法。所述VCSEL芯片包括：相互电隔离的多个VCSEL发光单元，其中，每个所述VCSEL发光单元包括至少一发光主体以及用于导通所述发光主体的正电连接端和负电连接端；以及，在晶圆级别集成地设置于所述多个V...

公开了一种VCSEL芯片及其制备方法和车载激光雷达。所述VCSEL芯片包括：以阵列方式布置的相互电隔离的多个VCSEL发光单元，每个所述VCSEL发光单元包括至少一发光主体以及用于导通所述发光主体的正电连接端和负电连接端；在晶圆级别集成...

公开了一种可寻址VCSEL芯片及其制备方法。所述可寻址的VCSEL芯片包括：相互电隔离且以阵列方式布置的多个VCSEL发光单元和寻址电路结构，其中，所述寻址电路结构包括多条正电连接线和多条负电连接线，每一所述正电连接线电连接于至少二所述...

公开了一种VCSEL芯片及其制备方法，其中，所述VCSEL芯片包括：基底层；以及，形成于所述基底层上且相互电隔离的多个VCSEL发光单元，其中，每一所述VCSEL发光单元包括发光主体、电连接于所述发光主体的正电极和负电极；其中，所有所述...

公开了一种用于VCSEL单元的驱动电路系统。所述用于VCSEL单元的驱动电路系统包括充电电路模块、驱动电路模块，以及，电连接于所述充电电路模块和驱动电路模块的场效应晶体管。所述场效应晶体管被配置为在截止位和导通位之间可切换地工作，当所述...