可寻址VCSEL芯片及其制备方法技术

公开了一种可寻址VCSEL芯片及其制备方法。所述可寻址的VCSEL芯片包括：相互电隔离且以阵列方式布置的多个VCSEL发光单元和寻址电路结构，其中，所述寻址电路结构包括多条正电连接线和多条负电连接线，每一所述正电连接线电连接于至少二所述VCSEL发光单元的正电连接端；每一所述负电连接线电连接于至少二所述VCSEL发光单元的负电连接端，通过这样的方式，所述寻址电路结构形成多个所述VCSEL发光单元的寻址电路以使得多个所述VCSEL发光单元中任一所述VCSEL发光单元适于通过导通一对所述正电连接线和所述负电连接线实现电导通。所述可寻址VCSEL芯片以相对简化的布线结构实现了其分区点亮的功能，且能够满足在散热等其他方面的性能需求。的性能需求。的性能需求。

【技术实现步骤摘要】
可寻址VCSEL芯片及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体激光器领域，更为具体地涉及可寻址VCSEL芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]VCSEL(Vertical
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Cavity Surface
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Emitting Laser，垂直腔面发射激光器) 是指在衬底的垂直方向上形成谐振腔，沿垂直方向出射激光的一种半导体激光器。随着VCSEL技术(Vertical
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Cavity Surface
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Emitting Laser，垂直腔面发射激光器)的发展，其在光通信、光存储、激光显示和照明等领域得到了广泛的应用。
[0003]在诸多应用中，VCSEL激光器通常以阵列形式被应用(即，VCSEL激光器以阵列形式排布并被应用)，这里VCSEL阵列表示能够产生两束及以上激光光束的光电器件。例如，在将VCSEL技术应用为车载激光雷达时，其投射光源即为VCSEL阵列。
[0004]在一些应用场景中，VCSEL阵列不仅需同时产生两束及以上激光光束，还需要指定特定区域的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可寻址VCSEL芯片，其特征在于，包括：相互电隔离且以阵列方式布置的多个VCSEL发光单元，每一所述VCSEL发光单元包括至少一发光主体以及用于导通所述发光主体的正电连接端和负电连接端；和寻址电路结构，包括多条正电连接线和多条负电连接线，其中，每一所述正电连接线电连接于至少二所述VCSEL发光单元的所述正电连接端；每一所述负电连接线电连接于至少二所述VCSEL发光单元的所述负电连接端，通过这样的方式，所述寻址电路结构形成所述多个VCSEL发光单元的寻址电路以使得所述多个VCSEL发光单元中任一所述VCSEL发光单元适于通过导通一对所述正电连接线和所述负电连接线实现电导通。2.根据权利要求1所述的可寻址VCSEL芯片，其中，每一所述正电连接线电连接于一行或一列所述VCSEL发光单元的所述正电连接端，以及，每一所述负电连接线电连接于一行或一列所述VCSEL发光单元的所述负电连接端。3.根据权利要求1所述的可寻址VCSEL芯片，其中，所述VCSEL发光单元的所述正电连接端和所述负电连接端分别形成于所述发光主体相对的上表面和下表面。4.根据权利要求1所述的可寻址VCSEL芯片，其中，所述VCSEL发光单元的所述正电连接端和所述负电连接端分别形成于所述发光主体的上表面和侧表面。5.根据权利要求4所述的可寻址VCSEL芯片，其中，每一所述VCSEL发光单元的发光主体自下而上包括：衬底层、N型电接触层、N
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DBR层、有源区、具有对应于所述有源区的限制层、P
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DBR层和P型电接触层，其中，所述P型电接触层的上表面形成所述发光主体的上表面，所述N型电接触层的侧表面形成所述发光主体的侧表面。6.根据权利要求5所述的可寻址VCSEL芯片，其中，所述正电连接端形成对应于所述限制孔的出光孔。7.根据权利要求6所述的可寻址VCSEL芯片，其中，所述正电连接线由可透光的导电材料制成。8.根据权利要求6所述的可寻址VCSEL芯片，其中，每一所述正电连接线具有至少一开孔，所述开孔对应于所述正电连接端的所述出光孔。9.根据权利要求5所述的可寻址VCSEL芯片，其中，所述可寻址VCSEL芯片具有形成于每两个所述VCSEL发光单元之间的多个隔离槽，每一所述隔离槽自所述P型电接触层向下贯穿地延伸至所述衬底层，以通过所述多个隔离槽使得所述多个VCSEL发光单元之间相互电隔离。10.根据权利要求5所述的可寻址VCSEL芯片，进一步包括位于每两个所述VCSEL发光单元之间的且掺杂地形成于各所述VCSEL发光单元的所述发光主体的多个隔离介质通道，以通过多个隔离介质通道使得所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭铭浩，赖威廷，王立，李念宜，
申请(专利权)人：浙江睿熙科技有限公司，
类型：发明
国别省市：