在晶圆级别集成的厚度检测装置和VCSEL单元的制备方法制造方法及图纸

公开了一种在晶圆级别集成的厚度检测装置和VCSEL单元的制备方法，所述在晶圆级别集成的厚度检测装置包括：第一电容板，其中，在所述VCSEL单元的制备过程中，该绝缘层适于被等厚地形成于所述第一电容板和所述P

【技术实现步骤摘要】
在晶圆级别集成的厚度检测装置和VCSEL单元的制备方法


[0001]本申请涉及半导体激光器领域，更为具体地涉及在晶圆级别集成的厚度检测装置、用于VCSEL单元的厚度测量方法、VCSEL单元的制备方法。

技术介绍

[0002]VCSEL(Vertical
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Cavity Surface
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Emitting Laser，垂直腔面发射激光器) 是指在衬底的垂直方向上形成谐振腔，沿垂直方向出射激光的一种半导体激光器。
[0003]VCSEL激光器在其出射路径上具有绝缘层，所述绝缘层用于对出射的激光进行调制以使得出射激光的波长满足设计要求，例如，在正面出光的 VCSEL激光器中，在P
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DBR层的上方设有所述绝缘层。绝缘层的厚度和材料的选择将影响VCSEL激光器出射的激光的性能，因此，在制备过程中，需确保绝缘层的厚度满足设计要求，以保证VCSEL激光器的出光性能。
[0004]在现有的VCSEL制备工艺中，有一些用于检测该绝缘层的技术方案。例如，通过聚焦离子束(Focused Ion 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在晶圆级别集成的厚度检测装置，用于测量VCSEL单元中形成于P
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DBR层上的绝缘层的厚度，其特征在于，包括：第一电容板，其中，在所述VCSEL单元的制备过程中，该绝缘层适于被等厚地形成于所述第一电容板和所述P
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DBR层上；以及，叠置于该绝缘层的第二电容板；其中，所述绝缘层的厚度适于基于所述第一电容板和所述第二电容板之间的电容值、该绝缘层的相对介电常数，以及，所述第二电容板的长度和宽度决定。2.根据权利要求1所述的在晶圆级别集成的厚度检测装置，其中，所述第二电容板的上表面高于或齐平于所述P
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DBR层的上表面。3.根据权利要求1所述的在晶圆级别集成的厚度检测装置，其中，所述第一电容板包括电容板主体和自所述电容板主体往上延伸的电连接腿，所述电连接腿的上表面高于或齐平于所述P
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DBR层的上表面。4.一种用于VCSEL单元的厚度测量方法，其特征在于，包括：测得第一电容板和第二电容板之间的电容值，其中，在所述第一电容板和所述第二电容板之间设有与形成于P
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DBR层上的绝缘层等厚的绝缘层；以及基于所述电容值、该绝缘层的相对介电常数、所述第二电容板的长度和宽度，计算出形成于所述P
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DBR层上的所述绝缘层的厚度。5.一种VCSEL单元的制备方法，其特征在于，包括：提供一外延结构，所述外延结构自下而上包括：衬底层、N
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DBR层、有源区和P
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DRB层；对所述外延结构进行蚀刻以形成至少两个台面结构和在所述两个台面结构之间形成向下延伸至所述N
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DBR层的收容腔，每个所述台面结构包括部分所述N
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DBR层、部分所述有源区和部分所述P
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DBR层；在所述收容腔内设置第一电容板，其中，所述第一电容板叠置于所述N
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DBR层；在所述P
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DBR层和所述第一电容板上形成等厚的绝缘层；在形成于所述第一电容板上的所述绝缘层上叠置第二电容板；测得所述第一电容板和所述第二电容板之间的电容值，并基于所述电容值、所述绝缘层的相对介电常数、所述第二电容板的长度和宽度计算出所述绝缘层的厚度；在所述绝缘层的最终厚度满足预设要求后，在每个所述台面结构中所述有源区的上方形成限制层，所述限制层具有对应于所述有源区的限制孔；蚀刻所述绝缘层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林珊珊，王立，李念宜，
申请(专利权)人：浙江睿熙科技有限公司，
类型：发明
国别省市：