磁隧道结制备工艺中的方阻测量单元及方法技术

本发明专利技术提供了一种磁隧道结制备工艺中的方阻测量单元及方法，测量单元包括三个以上电极块，且所述电极块采用长宽比不同的互连线依次串联。方法包括采用前述磁隧道结制备工艺中的方阻测量单元，通过测量获取相邻电极块之间测量的电阻值，采用预先设定的公式计算方阻值。本发明专利技术通过将磁隧道结制备版图中的三个以上的电极块分别以长宽比不同的互连线依次串联，构成磁隧道结制备工艺中的方阻测量单元；采用该结构形式，可以使用探针依次接触各相邻电极块进行测量，测得相邻电极块间的电阻值，由于同一工艺制备的同一产品可视为不存在工艺差异，根据多组不同相邻电极块间测量的不同电阻值，结合电阻值与方阻和接触电阻的数值关系，即可计算得到方阻值。即可计算得到方阻值。即可计算得到方阻值。

【技术实现步骤摘要】
磁隧道结制备工艺中的方阻测量单元及方法


[0001]本专利技术涉及存储器MRAM磁性电子器件
，特别涉及一种磁隧道结制备工艺中的方阻测量单元及方法。

技术介绍

[0002]基于磁隧道结(MTJ)原理的磁性随机存储器(MRAM)具有非易失性、可无限擦写和快速写入等优点而有望成为下一代低功耗通用存储器。MRAM芯片的核心存储单元(Bitcell)为晶体管与磁隧道结的混合器件。对于MRAM芯片的应用，功耗低是其一大优点。其中，器件的电极块阻值对于功耗的影响不容小觑，电极块阻值过大，会导致功耗的上升，产热量增加，降低MRAM芯片的性能。因此，对于器件电极块阻值的监控极为重要。
[0003]采用方阻来标定器件电极块阻值，方阻即方块电阻，指一个正方形的薄膜导电材料边到边之间的电阻，方阻有一个特性，即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的，不管边长是1米还是0.1米，它们的方阻都是一样，即方阻仅与导电膜的厚度等因素有关。一张MRAM芯片的核心存储单元版图中，设计有多种长宽比的电极块(方块)，电极块的方阻都是相同的，因此，对电极块的监控可直接转化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁隧道结制备工艺中的方阻测量单元，其特征在于，包括三个以上电极块，且所述电极块采用长宽比不同的互连线依次串联。2.根据权利要求1所述的磁隧道结制备工艺中的方阻测量单元，其特征在于，采用探针依次接触各相邻电极块测量得到相应的电阻值，采用以下公式计算方阻值：上式中，R
S
表示磁隧道结制备工艺中的方阻值；M表示串联电极块的序号；R
M(M+1)
表示第M个电极块与相邻的第M+1个电极块之间测量的电阻值；τ
M(M+1)
表示第M个电极块与相邻的第M+1个电极块之间互连线的长宽比；W
M(M+1)
表示第M个电极块与其相邻的第M+1个电极块之间互连线的宽度；L
M(M+1)
表示第M个电极块与相邻的第M+1个电极块之间互连线的长度。3.根据权利要求1所述的磁隧道结制备工艺中的方阻测量单元，其特征在于，各所述电极块与互连线接触的面积相同。4.根据权利要求3所述的磁隧道结制备工艺中的方阻测量单元，其特征在于，采用探针依次接触各相邻电极块测量得到相应的电阻值，采用以下公式计算方阻值：上式中，R
S
表示磁隧道结制备工艺中的方阻值；M和N表示串联电极块的序号，且M≠N；R
M(M+1)
表示第M个电极块与相邻的第M+1个电极块之间测量的电阻值；R
N(N+1)
表示第N个电极块与相邻的第N+1个电极块之间测量的电阻值；τ
M(M+1)
表示第M个电极块与相邻的第M+1个电极块之间互连线的长宽比；τ
N(N+1)
表示第N个电极块与相邻的第N+1个电极块之间互连线的长宽比；L
M(M+1)
表示第M个电极块与相邻的第M+1个电极块之间互连线的长度；W
M(M+1)
表示第M个电极块与其相邻的第M+1个电极块之间互连线的宽度；L
N(N+1)
表示第N个电极块与其相邻的第N+1个电极块之间互连线的长度；W
N(N+1)
表示第N个电极块与其相邻的第N+1个电极块之间互连线的宽度。5.根据权利要求1所述的磁隧道结制备工艺中的方阻测量单元，其特征在于，所述电极块依次采用长宽比递增的互连线串联。6.根据权利要求1所述的磁隧道结制备工艺中的方阻测量单元，其特征在于，所述电极块依次采用宽度相同且长度L
n
＝nL...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕术勤，刘宏喜，陈文静，曹凯华，王戈飞，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：