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本发明提供了一种磁隧道结制备工艺中的方阻测量单元及方法，测量单元包括三个以上电极块，且所述电极块采用长宽比不同的互连线依次串联。方法包括采用前述磁隧道结制备工艺中的方阻测量单元，通过测量获取相邻电极块之间测量的电阻值，采用预先设定的公式计算...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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