一种提高自对准多重成像技术套刻量测准确性的方法技术

本发明专利技术提供一种提高自对准多重成像技术套刻量测准确性的方法，套刻量测图形包括前层图形和当层图形；前层图形包含多个叠对在当层图形外围的第一光栅结构；第一光栅结构由多个重复排列的条形单元组成；对第一光栅结构中的条形单元分割，形成包含多个重复排列的条形结构的亚光栅结构；提供设有修正后的前层图形的光罩；在基底上形成与亚光栅结构中多个重复排列的条形结构对应的多个重复排列的核心结构；在核心结构侧壁形成侧墙；去除侧墙内的核心结构；沿侧墙刻蚀基底形成包含多个重复排列的Fin结构的栅结构；刻蚀去除栅结构最外侧的两个Fin结构；形成与栅结构叠对的当层图形结构，栅结构与当层图形结构共同构成套刻量测结构。栅结构与当层图形结构共同构成套刻量测结构。栅结构与当层图形结构共同构成套刻量测结构。

【技术实现步骤摘要】
一种提高自对准多重成像技术套刻量测准确性的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种提高自对准多重成像技术套刻量测准确性的方法。

技术介绍

[0002]伴随集成电路制造技术的进步，半导体器件关键尺寸(CD)持续微缩，基于193nm波长的深紫外光源(DUV)浸没式光刻机最小分辨率为76nm，已经不能满足半导体产业持续发展的需求。进一步降低光刻机的波长，采用极紫外(EUV)光源虽然可以大幅提高光刻机的分辨率，但受限于EUV光刻机技术、相关光刻材料和政策原因，EUV光刻技术并未能在整个半导体制造领域广泛运用。为了获得更小的CD，自对准双重成像(SADP)或自对准四重成像(SAQP)技术应运而生，并在先进半导体技术节点得到广泛应用。自对准多重成像技术首先进行一次光刻和刻蚀，形成图形，然后在该图形上均匀沉积特定厚度的薄膜，随后通过高选择比的刻蚀把最开始形成的图形去除，并使沉积于侧壁的图形保留下来，并最终通过刻蚀形成“鳍”式(Fin)结构。这样便通过一次光刻形成了图形周期仅有光刻图形周期一半的图形结构，单位面积图形密度翻倍。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高自对准多重成像技术套刻量测准确性的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供套刻量测图形，所述套刻量测图形包括前层图形和当层图形；所述前层图形包含多个叠对在所述当层图形外围的第一光栅结构；所述第一光栅结构由多个重复排列的条形单元组成；所述条形单元的线宽为a；所述第一光栅结构的周期长度为b；并且所述线宽a小于所述周期长度b；步骤二、对所述第一光栅结构中的条形单元进行分割，使每个所述条形单元形成包含多个重复排列的条形结构的亚光栅结构；所述亚光栅结构中最外侧的两个条形结构的亚线宽为e；所述条形结构的中除最外侧两个条形结构外其他条形结构的亚线宽为c；所述亚光栅结构的亚周期长度为d；并且c<e<2c；所述多个重复排列的亚光栅结构组成修正后的第一光栅结构；所述多个修正后的第一光栅结构组成修正后的前层图形，所述多个修正后的前层图形叠对在所述当层图形外围，与所述当层图形共同构成修正后的套刻量测图形；步骤三、提供设有修正后的前层图形的光罩；利用所述光罩在基底上形成与所述亚光栅结构中所述多个重复排列的条形结构对应的多个重复排列的核心结构；步骤四、在所述核心结构侧壁形成侧墙；步骤五、去除所述侧墙内的所述核心结构；步骤六、沿所述侧墙刻蚀所述基底，形成与所述亚光栅结构对应的栅结构；所述栅结构包含多个重复排列的Fin结构；步骤七、刻蚀去除所述栅结构最外侧的两个所述Fin结构；步骤八、利用设有所述当层图形的光罩，形成与所述栅结构叠对的当层图形结构，所述栅结构与所述当层图形结构共同构成套刻量测结构。2.根据权利要求1所述的提高...

【专利技术属性】
技术研发人员：卞玉洋，张聪，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：