公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述VCSEL器件包括：外延结构，其自下而上依次包括：衬底、N

公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述VCSEL器件包括：基底层、VCSEL激光单元和夹设于所述基底层和所述VCSEL激光单元之间的半导体光学结构。所述半导体光学结构包括：光学调制部和包覆所述光学调制部的保护部，其中，所述...

本申请提供一种外腔式VCSEL激光器、VCSEL阵列和激光器的制备方法。所述外腔式VCSEL激光器通过配置合适的发光孔径和/或腔长和/或反射膜，以输出满足预设要求的亮度，制造工艺简单、成本较低。成本较低。成本较低。

本申请提供一种可分区导通的VCSEL激光光源、制备方法及驱动方法。该光源包括：VCSEL阵列；形成于所述VCSEL阵列顶部的顶部电导通图案，以及，形成于所述VCSEL阵列底部的底部电导通图案。所述VCSEL阵列，包括相互电隔离的多个VC...

本申请提供一种VCSEL芯片及其制造方法。所述VCSEL芯片包括多个相互串联的子芯片，每个所述子芯片包括预设数量的VCSEL单元，所述子芯片之间具有预防各所述子芯片产生的热量对其相邻的子芯片的输出光功率产生影响的预设间距，通过这样的配置...

本申请涉及一种VCSEL激光光源及其发光方法。该VCSEL激光光源包括至少二VCSEL激光投射单元，其中，所述VCSEL激光投射单元之间的间距大于或等于30um。各所述VCSEL激光投射单元所发射的激光都指向所述VCSEL激光光源待照明...