本发明公开了一种溶解小麦储藏蛋白的水性溶剂组合物及其用途。水性溶剂组合物包含５～２５ｗｔ％碱金属氢氧化物、１～５ｗｔ％含硫化合物，其余为水。这种水性溶剂组合物可用于溶解小麦储藏蛋白，用于制备小麦蛋白质纤维。本发明具有的有益效果：其一，本...

本发明公开了一种通过“点击化学”制备糖基修饰丙烯腈基纳米纤维的方法。该方法采用静电纺丝技术制备带有羧基功能基团的丙烯腈基共聚物纳米纤维，通过偶联反应在其表面引入炔基，再利用“点击化学”方法将含叠氮基团的糖基固定到纳米纤维的表面。本发明结...

本发明公开了一种用于蛋白质识别的糖基化纳米纤维的制备方法及应用。它以含有羟基基团的丙烯腈基共聚物为原料，采用静电纺丝的方法制备了直径可控的丙烯腈基共聚物纳米纤维。在三氟化硼乙醚络合物催化下，将乙酰基保护的糖单体固定到纳米纤维表面，再用甲...

本发明公开了一种制备多孔碳纤维的无载体铜锌合金催化剂及其制备和使用方法。该催化剂由铜和锌两种金属的氧化物组成，其中铜和锌的摩尔比为铜∶锌＝９∶１。制备方法如下：按摩尔比取铜的金属盐、锌的金属盐和等同于铜摩尔数的柠檬酸，在蒸馏水中混合溶解...

本发明公开了一种二次加溶剂物理溶解草植物纤维的方法，包括：将草植物纤维浆粕磨碎，加入Ｎ－氧化甲基吗啡的水溶液中，制得草植物纤维浆粕重量与ＮＭＭＯ重量比为１∶４的悬浮液，减压蒸馏，当悬浊液中Ｎ－氧化甲基吗啡与水的摩尔比为１∶４－５时，向悬...

一种高强高模高热收缩纤维的制造方法，依次包括塑炼具有较好可塑性，耐腐蚀性和低极性的高聚物；脱泡后，在比其熔融温度Ｔｍ高２０～１００℃时喷出原丝；冷却；本发明特征是在冷却到比高聚物熔融温度Ｔｍ低０～３０℃时，对原丝拉伸５～２０倍制成。该纤...

一种磷脂改性腈纶纳米纤维复合膜及其制备和用于固定化酶的方法。它以丙烯腈／２－甲基丙烯酰氧－乙基－磷脂酰胆碱共聚物为原料，以二甲基亚砜、二甲基甲酰胺或二甲乙酰胺为溶剂，将含有磷脂基团的丙烯腈共聚物通过静电纺丝法制备而成，并以其作为酶固定化...

一种超细蚕丝的生产方法，其特征在于：　　　　１）用适熟桑叶在２５～２８℃洁净环境下饲养生产上实用的品种蚕至４龄起蚕；　　　　２）以咪唑、邻苯二胺、ＰＯＣｌ↓［３］和ＨＣｌ为初始原料，经过化学反应合成２，４－二氯－Ｎ－苯基咪唑，取名“超细...

本实用新型公开了一种基于温度预测补偿的直拉式晶体生长炉。在提升腔内安装有籽晶头，籽晶提升、籽晶旋转控制部件，在炉筒内安装有坩埚、坩埚提升、坩埚旋转控制部件，硅晶体原料放在坩埚内，坩埚外面包有坩埚加热控制部件，冷却水则贯穿炉筒内硅晶体原料...

本发明公开了一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法，首先在涂覆在玻璃基板上的ＩＴＯ底电极上拉制铽掺杂ＰＴ取向诱导层；再在铽掺杂ＰＴ取向诱导层上沉积ＰＳＴ薄膜；铽掺杂ＰＴ取向诱导层具有（１００）择优取向，ＰＳＴ薄膜同样具有（１０...

本发明公开的柔性衬底上生长ＺｎＯ纳米线阵列的方法，步骤包括：将清洗过的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中，以ＺｎＯ陶瓷为靶材，生长室通入Ｏ↓［２］气体，控制压强为０．０１～２Ｐａ，室温下在柔性衬底上脉冲激光沉积ＺｎＯ籽晶层；分别配置浓...

本发明公开的掺锗直拉硅片，硅片中的氧浓度为５×１０↑［１７］～１５×１０↑［１７］ｃｍ↑［－３］，锗浓度为１×１０↑［１５］～１×１０↑［２１］ｃｍ↑［－３］，体微缺陷密度为１×１０↑［６］～１×１０↑［１０］ｃｍ↑［－３］。其制备方法...

本发明公开的Ｍｇ掺杂的ＺｎＯ超细纳米线具有六方纤锌矿结构，纳米线的直径为１～１０纳米，长度为５～１０００纳米。其合成步骤如下：将脂肪酸锌、脂肪酸镁和高沸点有机溶剂混合置于反应烧瓶中，磁力搅拌下加热至１００～１５０℃，抽真空除去反应体系中...

本发明公开了一种用于边缘限定硅膜生长法生产带状多晶硅的装置，包括有中央套管的锥形导向器和支撑在锥形导向器顶面的上层结构，所述的上层结构包括与中央套管同轴设置的内套筒组，同轴设置在内套筒组外围的外套筒组和用于密封内套筒组及外套筒组顶部的顶...

一种红色发光磷化镓液相外延舟，其特征是腔体Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ为叠式同轴布置，基片支架５置于腔体Ⅱ内，操作杆Ｇ带动腔体Ⅰ作水平移动及带动腔体Ⅰ、Ⅱ作上下运动。Ｐ型磷化镓外延层组分在封闭的腔体Ⅰ内加热成熔体，操作杆Ｇ带动腔体Ⅰ作水平移动，熔体经通道...

生长氧化锌晶体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置，包括生长室（１）、进样室（２）、连接生长室和进样室的活动闸板（４），生长室设有旋转的水平样品架（１３）、样品加热器（１２）、氧源进气管（７）、锌源进气管（８）和排气口（６），其特征是还包括...

一种同心连通单晶生长装置，包括氧化铝坩埚（１２）、硅钼管发热体（１３）、感应搅拌元件（７）、定位热电偶（８）、籽晶操纵杆（９）、籽晶（６）、降温套（１０）、降温器（１１），其特征在于：坩埚（１２）内设有中心套（１），中心套（１）是一空心...

直拉硅单晶的氮保护气氛属于半导体材料制造技术．在直拉（切氏法）硅单晶技术中，以氮气作为拉晶的保护气体．所用的氮气纯度为９９．９９９％以上，进入硅单晶炉内氮气流量为２－５０升／分，炉内氮气压力为０．５－６０乇．由于氮气来源丰富，价格低廉．...

一种以纯氮作为保护气氛的重掺锑硅单晶的制造方法，其特征在于熔硅、掺锑、拉晶过程中所采用的氮气保护气氛为减压－－常压－－减压的保护气氛．采用这种方法制造的重掺锑硅单晶的制造成本比充氩保护制造重掺锑硅单晶的方法可降低成本１５－２０％，提高成...

一种直拉硅单晶的气相掺氮方法，采用纯度为９９．９９％的氮气或者氩－氮混合气作为保护气氛实现气相掺氮，控制炉内气体压力为５－６０托，最佳压力为１５－２５托，气体流量为１０６ｍ＋［３］／ｈｒ，最佳流量为２－５ｍ＋［３］／ｈｒ，制造氮含量为１...